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公开(公告)号：CN111489699A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010376679.X
申请日：2015-06-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G11C19/28 , G09G3/3258 , G09G3/3266
Abstract: 本发明提供显示装置及其驱动方法。本发明的显示装置在设定于中止期间内的电流测定期间对数据线(S1～Sm)施加测定用电压，测定从m个像素电路(18)向监测线(M1～Mm)输出的电流后，对上述数据线(S1～Sm)施加与视频信号相应的数据电压。
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公开(公告)号：CN107210067B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201680007554.1
申请日：2016-02-16
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 尽量以少的元件数量，实现不发生动作不良且能够达到显示装置的高精细化的移位寄存器电路。单位电路设有作为输出控制用晶体管起作用薄膜晶体管(M5)、用于基于从前段的输出端子(48)输出的导通电平的信号预充电内部节点(VC)的薄膜晶体管(M1)、串联设于前段的输出端子(48)和本段的内部节点(VC)之间的两个薄膜晶体管(M2、M3)、设于内部节点和输出端子(48)之间的薄膜晶体管(M4)、用于下拉输出端子(48)的薄膜晶体管(M6)。薄膜晶体管(M2、M3)在下拉前段的输出端子(48)期间的一部分期间中，仅在时钟周期的四分之一期间处于导通状态。
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公开(公告)号：CN104380474B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201380033025.5
申请日：2013-06-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 半导体装置(100A)具有：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的层间绝缘层(8a)；和在层间绝缘层(8a)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着层间绝缘层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104247031B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201380021447.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13452 , G02F1/1368 , H01L21/425 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化
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公开(公告)号：CN104094409A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007460.0
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2201/40 , G02F2202/10 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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公开(公告)号：CN103918024A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280048649.X
申请日：2012-07-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3677 , G02F1/136213 , G09G3/3614 , G09G3/3655 , G09G2300/0876 , G09G2330/023 , G11C19/28
Abstract: 提供减少功耗的CS驱动方式的液晶显示装置。CS驱动器（500）包括CS移位寄存器（510）和CS输出部（520）。CS移位寄存器（510）基于CS时钟信号CCK输出控制信号（COUT（1）～COUT（m））。CS输出部（520）基于控制信号（COUT（1）～COUT（m））分别输出辅助电容信号（CSS（1）～CSS（m））。在扫描期间（T1）之后设有中止期间（T2）。在中止期间（T2），基于中止期间CS频率（fcck2）的CS时钟信号（CCK）而驱动CS驱动器（500）。中止期间CS频率（fcck2）比扫描期间CS频率（fcck1）低。
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公开(公告)号：CN102077466B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200980125112.7
申请日：2009-03-17
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种比较电路和具备该比较电路的显示装置。使用双栅极TFT(11、12)构成逆变器(15)，使用双栅极TFT(13、14)构成逆变器(16)。将构成逆变器(15)的TFT的顶栅端子与输入端子(DAT(+))连接，底栅端子与逆变器(16)的输出与输出端子(OUT)连接。将构成逆变器(16)的TFT的底栅端子与输入端子(DAT(-))连接，底栅端子与逆变器(15)的输出连接。由此，能够对逆变器(15、16)的阈值电压以促进各逆变器的开关动作的方式进行控制，使比较电路(10)高速地动作。能够获得不易受到晶体管的阈值电压的偏差和输入信号的共用模式电压的变动的影响的、高速地动作的比较电路。
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公开(公告)号：CN103238177A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201280003994.1
申请日：2012-08-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06F1/3265 , G09G3/3618 , G09G2330/021 , G09G2330/022 , G09G2340/0435 , G09G2360/18 , G09G2370/08
Abstract: 提供能基于发送的指令所包含的视频数据来以较小的功耗显示变化较小的图像的显示装置及其驱动方法。显示定时控制器（31）按照每1帧期间判断在从外部发送的指令中是否包含更新的视频数据。其结果是，在判断为不包含更新的视频数据的情况下，不进行由帧存储器（36）保存的视频数据的读出并停止画面的刷新。另外，在判断为包含更新的视频数据的情况下，读出由帧存储器（36）保存的视频数据并进行画面的刷新。
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