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公开(公告)号：CN101432879B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200780015451.0
申请日：2007-02-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1633 , H01L45/1691 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在两个电极间施加电压脉冲时，在两个电极间经由可变电阻体而流过电流的电路路径的剖面形状，以比两个电极的任一个的线宽细的线宽形成，并以比制造工艺中的最小加工尺寸更小的线宽形成，所以，与以往的可变电阻元件中的在电气上作出贡献的区域相比，其面积被缩小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101840730A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010135831.1
申请日：2010-03-12
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/24
Abstract: 本发明涉及非易失性可变电阻元件的成型处理的控制电路及控制方法。本发明提供能够对多个存储器单元的非易失性可变电阻元件同时进行成型处理、能够缩短成型时间的非易失性半导体存储装置。非易失性半导体存储装置在存储器单元阵列(501a)和第二选择线(位线)解码器(508)之间配置成型感测电路(510)，成型感测电路(510)在对连接于同一第一选择线(字线)的多个成型处理对象的存储器单元同时经由第二选择线施加成型处理用的电压脉冲时，通过对第二选择线的电位变动或流过该第二选择线的电流量进行测定来感测各存储器单元的成型处理的完成，进行控制使得停止向与感测到该成型处理的完成的存储器单元连接的上述第二选择线的电压施加。
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公开(公告)号：CN101681913A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015449.8
申请日：2008-04-07
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。
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公开(公告)号：CN101432879A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015451.0
申请日：2007-02-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1633 , H01L45/1691 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在两个电极间施加电压脉冲时，在两个电极间经由可变电阻体而流过电流的电路路径的剖面形状，以比两个电极的任一个的线宽细的线宽形成，并以比制造工艺中的最小加工尺寸更小的线宽形成，所以，与以往的可变电阻元件中的在电气上作出贡献的区域相比，其面积被缩小。
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公开(公告)号：CN101432878A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015413.5
申请日：2007-02-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1273 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在配置于基底衬底(5)上的下部电极(1)的上部形成突起电极物(2)。突起电极物(2)在与下部电极(1)的接触面不同的面与可变电阻体(3)接触，该可变电阻体(3)在与突起电极物(2)的接触面不同的面上与上部电极(4)接触。由此，突起电极物(2)(可变电阻体(3))和上部电极(4)的交叉点部分成为可变电阻体的在电气上作出贡献的区域，因而与以往的可变电阻元件中的区域相比，其面积被缩小。
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公开(公告)号：CN1767049A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510103804.5
申请日：2005-06-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C29/50 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C29/50008 , G11C2013/009 , G11C2213/31
Abstract: 可变电阻元件在第一电极(1)和第二电极(3)之间设置钙钛矿型氧化物(2)而形成，通过在第一电极(1)和第二电极(3)之间施加一定极性的电压脉冲使第一电极(1)和第二电极(3)之间的电阻变化，进而，具有相对于电压脉冲施加中的累积脉冲施加时间的增加、电阻值的变化率从正到负变化的电阻滞后特性。以累积脉冲施加时间不超过电阻滞后特性中相对于累积脉冲施加时间的增加、电阻值的变化率从正到负变化的特定累积脉冲施加时间的方式，在可变电阻元件上施加电压脉冲。
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