公开(公告)号：CN1799171A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015121.8

申请日：2004-05-27

Applicant: 夏普株式会社 ,  住友电气工业株式会社

Inventor： 神川刚 ,  金子佳加 ,  元木健作

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02636 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光器件，其中，衬底或氮化物半导体层具有缺陷集中区域和低缺陷区域，低缺陷区域对应于除缺陷集中区域外的区域。包括衬底或氮化物半导体层的缺陷集中区域的部分具有比低缺陷区域要深的沟槽区域。于是，通过在缺陷集中区域中挖掘出沟槽，可以使生长方向均匀和表面平整度提高。晶片表面内的特性的均匀性导致产率的提高。

公开(公告)号：CN103907211B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201280053485.X

申请日：2012-09-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚

IPC: H01L33/60 ,  F21S2/00 ,  F21V29/00 ,  H01L33/64 ,  F21Y115/10

CPC classification number: F21V13/08 ,  F21K9/90 ,  F21V7/0066 ,  F21V7/22 ,  F21Y2115/10 ,  H01L24/45 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0091 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种发光装置、照明装置以及发光装置的制造方法。该发光装置(50)具有：发光元件(60)；具有搭载发光元件(60)的搭载面(70a)及位于与搭载面(70a)相反一侧且不搭载发光元件(60)的面即非搭载面(70b)的陶瓷基板(90)。该金属反射膜(90)对透过陶瓷基板(70)的、来自发光元件(60)的光进行反射。(70)；形成于非搭载面(70b)上的金属反射膜

公开(公告)号：CN103918093B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201380003789.X

申请日：2013-05-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L24/29 ,  H01L33/483 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体发光装置(50)，其包含：包含透明基板(110)的半导体发光元件(100)；搭载有半导体发光元件(100)的反射基板(60)；具有透光性的粘接层(70)，其包含荧光体(72)，且将半导体发光元件(100)固定在反射基板(60)上；密封部件(80)，其包含荧光体(82)，且密封半导体发光元件(100)。在该半导体发光装置(50)中，粘接层(70)具有密封部件(80)所包含的荧光体(82)的平均粒径以下的厚度。

公开(公告)号：CN104247053A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380012484.5

申请日：2013-03-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  加藤正明 ,  花本哲也

IPC: H01L33/10

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/42 ,  H01L33/64 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091 ,  H01L33/10 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 半导体发光元件(100)具有：透明基板(110)，其对该半导体发光元件(100)所发出的光具有透光性；多层结构体(150)，其形成在所述透明基板(110)上。多层结构体(150)包含由n型层(120)、MQW发光层(130)及p型层(140)构成的半导体多层膜。透明基板(110)包括光散射结构(200)，所述散射结构(200)形成在该透明基板(110)中，用于使入射到基板中的光散射。

公开(公告)号：CN101847823B

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201010144053.2

申请日：2010-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  太田征孝

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/02 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/028 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/4031 ,  H01S2304/04

Abstract: 氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置。因为EL发射图案得到改进，氮化物半导体发光芯片的发光效率得到增强。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体发光芯片)含具有主生长面10a的氮化物半导体基板10以及在氮化物半导体基板10的主生长面10a上生长的氮化物半导体层11至18。GaN基板10的主生长面10a是相对于m面在a和c轴方向都具有偏角的面，而且在a轴方向的偏角大于在c轴方向的偏角。

公开(公告)号：CN102957088A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210285689.8

申请日：2012-08-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川上俊之 ,  神川刚

IPC: H01S5/028 ,  G02B1/10

CPC classification number: G02B27/0006 ,  G02B1/10 ,  G02B1/105 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282

Abstract: 本发明公开了一种光学构件和光学模块。该光学构件发射或者透射460nm或者更小的波长的激光，并且由电介质膜形成的第一涂层施加在其表面的至少一部分上，以及由包含贵金属或者铂族元素的电介质膜形成的第二涂层施加在该第一涂层上。

公开(公告)号：CN101931164B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201010258196.6

申请日：2005-11-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山田英司 ,  神川刚 ,  荒木正浩

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN101609961B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200910159795.X

申请日：2007-03-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  川口佳伸

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/028 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。

公开(公告)号：CN1581610B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200410055604.2

申请日：2004-07-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  山田英司 ,  荒木正浩 ,  金子佳加

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为106cm-2或更低的GaN基板(10)上通过蚀刻形成条形凹陷部分(16)。在该基板(10)上生长氮化物半导体膜(11)，在远离凹陷部分(16)上方的区域中形成激光条(12)。使用这样的结构时，激光条(12)中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜(11)形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。

公开(公告)号：CN101325310B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200810125459.9

申请日：2008-06-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  川口佳伸

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。