公开(公告)号：CN103000666A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210316979.4

申请日：2012-08-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括衬底和设置在衬底之上的化合物半导体层，其中所述化合物半导体层包括第一区域，所述第一区域具有通过活化第一杂质所产生的第一导电型载流子，并且化合物半导体层还包括第二区域，所述第二区域具有与第一区域相比更低浓度的载流子，所述第二区域所具有的所述载流子是通过活化与第一杂质为相同类型的第二杂质产生的。

公开(公告)号：CN102651393A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110452379.6

申请日：2011-12-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/10 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/181 ,  H03F1/3247 ,  H03F1/523 ,  H03F3/189 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/444 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 栅电极形成为将电极材料包埋在用于电极的凹陷中，所述凹陷通过栅极绝缘膜形成在堆叠化合物半导体结构中，并且也通过将电极材料包埋在用于电极的凹陷中来形成与堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极，所述凹陷已经形成在堆叠化合物半导体结构中使得场板电极至少在用于电极的凹陷的底面上与堆叠化合物半导体结构直接接触。

公开(公告)号：CN102651334A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210028789.2

申请日：2012-02-09

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 酒井泰治 ,  常信和清 ,  今田忠纮 ,  今泉延弘 ,  冈本圭史郎

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/335 ,  H01L23/538 ,  H01L29/778 ,  H03F1/32

CPC classification number: H03F1/3247 ,  H01L21/4825 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/181 ,  H03F3/189 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/84

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、用于制造半导体装置的方法和电子电路。该用于制造半导体装置的方法包括：将包括连接导电膜的密封层放置在表面上，使得连接导电膜与半导体元件的电极和引线相接触；通过连接导电膜使所述电极与所述引线电耦接；以及通过密封层密封所述半导体元件。

公开(公告)号：CN102646609A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210031859.X

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  冈本圭史郎 ,  今泉延弘 ,  今田忠纮 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/335 ,  H01L23/488 ,  H01L29/778 ,  H02M7/217 ,  H02M3/155

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。

公开(公告)号：CN102468331A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110259610.X

申请日：2011-08-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种半导体器件，其一个方面提供：衬底；晶体管，包括在衬底上方形成的电子渡越层和电子供应层；氮化物半导体层，在衬底上方形成并连接至晶体管的栅极；以及控制器，控制氮化物半导体层中的电荷运动。

公开(公告)号：CN105281550B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201510334001.4

申请日：2015-06-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  广濑达哉

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/42

Abstract: 本公开提供了电源电路和功率因数校正电路，该电源电路包括开关元件和控制部。控制部将开关元件操作时产生的反电动势转换成光能并且将光能转换成电信号。此外，控制部基于通过转换光能获得的电信号来驱动开关元件。因此，与通过谐振重新产生浪涌能量的情况不同，不需要使用诸如电感器的谐振元件。因此，减小了电路规模。

公开(公告)号：CN103430294B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201180069251.X

申请日：2011-03-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L21/338 ,  H01G7/00 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01G4/1272 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明的化合物半导体装置设有第1电极（3）、在第1电极（3）的上方形成的本征第1化合物半导体层（1）、在第1化合物半导体层（1）上形成且带隙比第1化合物半导体层（1）小的第2化合物半导体层（2）以及在第2化合物半导体层（2）的上方形成的第2电极（4）。

公开(公告)号：CN103780061B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310369671.0

申请日：2013-08-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H03K17/063 ,  H02M2001/0054 ,  H03K17/567 ,  Y02B70/1483 ,  Y02B70/1491

Abstract: 本申请公开了一种晶体管控制电路和电源装置，该晶体管控制电路包括：晶体管，该晶体管包括具有栅场板的栅极电极、漏极电极和在栅场板和漏极电极之间形成在层间绝缘膜的顶部上的控制电极；比较器电路，将晶体管的漏极电压与基准电压进行比较；以及电极控制电路，其基于来自比较器电路的比较结果来生成要给予控制电极的电压。

公开(公告)号：CN103109369B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201080067573.6

申请日：2010-06-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮

IPC: H01L27/095 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/085 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及半导体装置。该半导体装置中设有：具备沿基板（1）的厚度方向层叠的电子渡越层（5）以及电子供给层（6）的晶体管；在基板（1）的上方与电子渡越层（5）以及电子供给层（6）平行地形成的电子渡越层（3）；与电子渡越层（3）肖特基接合的阳极电极（12a）；以及与电子渡越层（3）欧姆接合的阴极电极（13d）。阳极电极（12a）与晶体管的源极连接，阴极电极（13d）与晶体管的漏极连接。

公开(公告)号：CN102646609B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210031859.X

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  冈本圭史郎 ,  今泉延弘 ,  今田忠纮 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/335 ,  H01L23/488 ,  H01L29/778 ,  H02M7/217 ,  H02M3/155

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。