一种高压脉冲磨料射流发生装置及方法

    公开(公告)号:CN113997205A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111424920.2

    申请日:2021-11-26

    Applicant: 山东大学

    Abstract: 本发明涉及一种高压脉冲磨料射流发生装置及方法,属于喷射装置技术领域,解决了传统的截断式脉冲射流装置截断设备使用寿命低的问题,包括混合室,混合室与磨料供给机构和供水机构连接,混合室的出口与掺气室连接,掺气室与喷嘴连接,掺气室还通过脉冲发生元件与气源设备连接,气源设备能够通过脉冲发生元件向掺气室内通入用于对进入掺气室的磨料射流束进行分隔的气泡,本发明的发生装置使用寿命长。

    一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法

    公开(公告)号:CN111893461B

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202010639961.2

    申请日:2020-07-06

    Applicant: 山东大学

    Inventor: 张宇 韩琳

    Abstract: 本发明公开了一种类氧化硅柔性薄膜的生长方法,包括如下过程:将衬底放入PECVD的反应腔体内,面朝反应腔体内的射频电极,衬底与射频电极的距离保持在5‑25mm,抽真空;当反应腔体内真空度达到设定值时,通入氧气、六甲基硅氧烷和氮气,然后打开射频电源,开始在衬底上生长薄膜;当薄膜生长到期望的厚度时,关闭射频电源,然后停止通入反应气体,关闭真空泵;再通入氮气,当反应腔体内的压力达到大气压后,开启顶盖,取出生长好的薄膜,关闭顶盖;抽真空,然后通入四氟化碳气体,打开射频电源,对反应腔体进行清洗。本发明所公开的方法生长的薄膜具有很好的光学和电学特性,以及很好的致密性和机械柔性,可以作为很好的柔性薄膜封装材料。

    双色荧光双重检测的微流控芯片及方法

    公开(公告)号:CN113025477A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202010553950.2

    申请日:2020-06-17

    Applicant: 山东大学

    Inventor: 韩琳 高亚坤 张宇

    Abstract: 本发明属于核酸检测技术领域,具体涉及用于核酸检测的微流控芯片及方法。双色荧光双重检测的微流控芯片,包括盖片和基片,所述的盖片为双层结构,包括阀门控制层和微流道层;所述阀门控制层用于控制所述微流道层流道内液体走向;所述微流道层包括多个检测单元,每个检测单元包括两条微流道;所述微流道的一端设有进样孔,另一端设有微腔和出样孔;所述基片中,与微流道对应的位置修饰有纳米级氧化石墨烯或石墨烯材料,与微腔对应的位置修饰有戊二醛。本发明的芯片,配合不同的荧光标记技术,在微流道区域测量荧光信号变化,以及在微腔区测量荧光信号变化,达到双重检测,互相印证的效果,从而达到miRNAs的快速、灵敏,准确的双色双重检测。

    一种用于治疗细胞分泌蛋白检测的微流控芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN113009145A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202010553023.0

    申请日:2020-06-17

    Applicant: 山东大学

    Inventor: 韩琳 王超 张宇

    Abstract: 本发明公开了一种用于治疗细胞分泌蛋白检测的微流控芯片及制备方法,该芯片包括微腔阵列芯片和抗体条形码衬底,所述抗体条形码衬底覆盖于微腔阵列芯片上方;所述微腔阵列芯片为生物亲和芯片,其微腔壁修饰有石墨烯纳米材料,所述抗体条形码衬底上印刷有功能捕获抗体,所述功能捕获抗体位于微腔顶部。本发明所公开的微流控芯片可以改善细胞培养环境,有利于细胞生长,捕获抗体效率高,均匀性好,分析结果更加准确,其制备方法工艺简单,成本低廉,适合于大规模生产。

    一种用于同一个单细胞分泌蛋白、细胞质mRNA和核内DNA的同步检测芯片及方法

    公开(公告)号:CN113005022A

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN202010639514.7

    申请日:2020-07-06

    Applicant: 山东大学

    Inventor: 韩琳 张宇

    Abstract: 本发明属于分子生物学技术领域,涉及单细胞的分泌蛋白、细胞质mRNA和核内DNA的检测芯片及方法。一种用于同一个单细胞分泌蛋白、细胞质mRNA和核内DNA的同步检测芯片,该芯片包括阀门控制层、检测层和基底;所述的阀门控制层设置在所述检测层的上方,基底设置在检测层的下方,所述的检测层包括若干个单细胞检测单元、总进样口、进样微流道、出样微流道和总出样口,所述总进样口与进样微流道连接,总出样口与出样微流道连接,每个单细胞检测单元分别与进样微流道和出样微流道连接。本发明的有益效果是:每个检测单元可以进行同一个单个细胞细胞核gDNA、细胞质内mRNA和细胞分泌蛋白的多重信息获取与检测;每个芯片可以同时进行多个单细胞操作,而且试剂消耗量少,成本低,准确度高。

    一种多孔GaN导电DBR及其制备方法

    公开(公告)号:CN110061109B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201910342832.4

    申请日:2019-04-26

    Applicant: 山东大学

    Inventor: 张宇 魏斌

    Abstract: 本发明涉及一种多孔GaN导电DBR及其制备方法,包括自下而上依次生长的衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型故意掺杂氮化镓层和多孔GaN导电DBR层;所述多孔GaN导电DBR层由高孔洞率多孔GaN层和低孔洞率多孔GaN层交替堆叠形成。本发明不存在晶格失配问题,结构稳定,且多孔GaN导电DBR层具有高反射率、导电性好、中心波长可调的特点。

    一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109873297B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201910342984.4

    申请日:2019-04-26

    Applicant: 山东大学

    Inventor: 张宇 魏斌

    Abstract: 本发明涉及一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法,属于光电子领域,包括导电衬底,导电衬底上制作有金属层,金属层上窗口处制作有介质DBR层,介质DBR层上制作有透明导电层,透明导电层上依次制作有p型半导体层、多量子阱有源层和n型半导体层,n型半导体层上表面生长制备有多孔导电DBR层,多孔导电DBR层上表面制作有绝缘介质层,绝缘介质层覆盖多孔导电DBR层、n型半导体层、多量子阱有源层、p型半导体层以及透明导电层,绝缘介质层上表面制作有n电极。本发明通过金属键合技术将外延结构转移到导电性较好的衬底上,并采用电化学腐蚀形成多孔GaN导电DBR结构,增加器件可工作的电流密度,提高光电性能。

    一种细胞分布分析装置的制造方法

    公开(公告)号:CN111257206A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201811458739.1

    申请日:2018-11-30

    Applicant: 山东大学

    Inventor: 韩琳 张宇

    Abstract: 本发明公开了一种细胞分布分析装置的制造方法,采用该方法制得的细胞分布分析装置对细胞的种类分布进行分析,误差小,精度高,耗时短,成本低。该方法包括制备微流控芯片,包括如下步骤:在模型衬底上制作出模型微槽阵列,其中,每个模型微槽的体积为0.1-10nl;将模型微槽阵列转移到柔性材料上,形成表面具有细胞微槽阵列的微流控芯片,其中每个细胞微槽的体积为0.1-10nl;对表面形成有细胞微槽阵列的微流控芯片表面进行亲水处理。

    一种外泌体过滤装置
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110747111A

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201910929497.8

    申请日:2019-09-29

    Applicant: 山东大学

    Inventor: 张宇 褚玉金 韩琳

    Abstract: 本发明公开了一种外泌体过滤装置,包括控制部分和过滤部分,所述控制部分包括微注射泵和注射器,所述过滤部分包括上压板、下压板和位于上压板和下压板之间的至少两个孔径不同的过滤膜,所述上压板上位于过滤膜的上方设有进样口,所述下压板上位于过滤膜的下方设有出样口,所述进样口和出样口位于同一直线上;所述注射器通过注射针头和注射软管与所述进样口相连,所述出样口通过出样软管连接样本收集装置,本发明所公开的过滤装置可以更加有效的筛选外泌体,并且可以详细地将外泌体按直径进行细分,可控性高,结构简单,成本低。

    一种二硫化钨晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN109378273A

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201811087135.0

    申请日:2018-09-18

    Applicant: 山东大学

    Inventor: 韩琳 姜建峰 张宇

    Abstract: 本发明公开了一种二硫化钨晶体管及其制造方法,该晶体管中通过对二维二硫化钨层进行等离子体处理,从而有效的修复二维二硫化钨层中硫空位和内部缺陷,使N和O提供电子来代替空位,从而减少缺陷导致的额外的散射;同时,N和O掺杂改善了二硫化钨的内部电阻和接触电阻,从而减少了界面陷阱;本发明的二硫化钨晶体管可以实现高场效应迁移率和低阈值电压,具有很好的器件性能。

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