公开(公告)号：CN1476640A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN02803113.X

申请日：2002-10-11

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 泉野训宏 ,  松本公树 ,  长滨慎一 ,  佐野雅彦 ,  柳本友弥 ,  坂本惠司

IPC: H01L33/00 ,  F21V5/04 ,  F21V9/16

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/29 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/501 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光装置，包括：配置在支承体(105)上的发光元件(101)、和将吸收该发光元件(101)发出的光并进行波长转换而发光的荧光体、覆盖在发光元件(101)表面的涂敷层(108和109)。所述涂敷层(108和109)，由至少含有选自Si、Al、Ga、Ti、Ge、P、B、Zr、Y、Sn、Pb、或碱土类金属一组中的一种以上元素的氧化物和氢氧化物的无机材料构成。另外，粘接层(110)也由与涂敷层(108和109)相同的无机材料构成。

公开(公告)号：CN1476050A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03146603.6

申请日：2003-07-07

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 长滨慎一 ,  佐野雅彦 ,  柳本友弥 ,  坂本惠司 ,  山本正司 ,  森田大介

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L21/76251 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/483 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种具有相对向结构的氮化物半导体元件及其制造方法。在具有两个相对向的主面并具有比所述的n型和p型氮化物半导体层更大热膨胀系数的生长用基板的一个主面上，至少使n型氮化物半导体层、活性层和p型氮化物半导体层生长而形成结合用层叠体，然后，在p型氮化物半导体层上设置一层以上金属层而形成的第一结合层，同时在具有两个相对向的主面、比所述的n型和p型氮化物半导体层大且与所述的生长用基板具有同样小的热膨胀系数的基板的一个主面上设置由一层以上金属层形成的第二结合层，接着使第一结合层与第二结合层相对向，将结合用层叠体和支持基板热压结合，之后从结合用层叠体除去生长用基板，得到氮化物半导体元件。

公开(公告)号：CN1426119A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02142888.3

申请日：1995-12-04

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 中村修二 ,  长滨慎一 ,  岩佐成人 ,  清久裕之

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层(14)，其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第一P型覆盖层(61)被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的P型氮化物半导体构成的第二P型覆盖层(62)被设置在第一P型覆盖层上。第二P型覆盖层具有比第一P型覆盖的带隙大的带隙。一个n型半导体层(13)设置与有源层(14)的另一面接触。