公开(公告)号：JP6056868B2

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：JP2014540776

申请日：2013-08-20

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 岡本 浩一郎 ,  多田 宗弘 ,  波田 博光 ,  阪本 利司

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8246 ,  H01L43/08 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76879 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/1675 ,  H01L21/76814 ,  H01L2221/1036

公开(公告)号：JP6040544B2

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：JP2012065037

申请日：2012-03-22

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 岡本 浩一郎 ,  多田 宗弘 ,  波田 博光

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/532 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L2924/0002

公开(公告)号：JP5799504B2

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：JP2010545791

申请日：2010-01-08

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 多田 宗弘 ,  阪本 利司 ,  斎藤 幸重 ,  矢部 裕子 ,  迫坪 行広 ,  波田 博光

IPC: H01L21/82 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436

公开(公告)号：JP5794231B2

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：JP2012520452

申请日：2011-06-14

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 多田 宗弘 ,  宮村 信 ,  波田 博光

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L45/1253 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675 ,  G11C2013/0073 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JP5790660B2

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：JP2012536451

申请日：2011-09-20

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 多田 宗弘 ,  宮村 信 ,  波田 博光

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L45/04 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  G11C13/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/73 ,  G11C2213/75

公开(公告)号：JP2015111712A

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：JP2015013184

申请日：2015-01-27

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 多田 宗弘 ,  岡本 浩一郎 ,  阪本 利司 ,  波田 博光

IPC: H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L27/28 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L45/1616 ,  H01C17/08 ,  H01C7/006 ,  H01C7/18 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1675

Abstract: 【課題】信頼性を維持したまま、低電圧化を可能にした抵抗変化素子を提供する。 【解決手段】第1の電極101及び第2の電極103と、第1の電極101及び第2の電極103の間に設けられた、少なくとも酸素及び炭素を含むイオン伝導層102と、を有する。第1の電極101はイオン伝導層へ伝導可能な金属を含む。イオン伝導層102は、酸素及び炭素の他に少なくともシリコンを元素として含む多孔質膜であり、6員環又は8員環からなるシロキサン構造を含む膜であり、少なくとも不飽和炭化水素基を含む膜である。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够实现低电压同时保持可靠性的电阻变化元件。解决方案：电阻变化元件包括：第一电极101; 第二电极103; 以及设置在第一电极101和第二电极103之间并且至少包括氧和碳的离子传导层102。 第一电极101包括能够导电到离子传导层的金属。 离子导电层102是除了氧和碳之外至少包括作为元素的硅的多孔膜。 多孔膜是包含由6或8元环和至少不饱和烃基构成的硅氧烷结构的膜。

公开(公告)号：JP2015065240A

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：JP2013197417

申请日：2013-09-24

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 岡本 浩一郎 ,  多田 宗弘 ,  井口 憲幸

IPC: H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L49/02 ,  H01L27/105

Abstract: 【課題】電流制御膜形成時にRuを含む電極が酸化され、整流特性の低下およびばらつきが生じる。 【解決手段】本発明の電流制御素子は、第1電極と、第1電極上に設けられた第2電極と、第2電極上に設けられた電流制御層と、電流制御層上に設けられた第3電極を有し、第1電極は少なくともRuを含む材料からなり、電流制御層は前記第2電極を構成する少なくとも1種類の金属元素を含む酸化物からなることを特徴とする。 【選択図】 図1

Abstract translation: 要解决的问题：为了解决在形成电流控制膜时使包含Ru的电极氧化以引起劣化和整流特性的变化的问题。本发明的电流控制元件包括：第一电极; 设置在所述第一电极上的第二电极; 设置在所述第二电极上的电流控制层; 以及设置在电流控制层上的第三电极。 第一电极包括至少含有Ru的材料，并且电流控制层包括含有构成第二电极的至少一种金属元素的氧化物。

公开(公告)号：JP2020161723A

公开(公告)日：2020-10-01

申请号：JP2019061663

申请日：2019-03-27

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 沼田 秀昭 ,  多田 宗弘 ,  伴野 直樹 ,  岡本 浩一郎 ,  井口 憲幸

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/8239

Abstract: 【課題】熱安定性を向上し、電気特性を改善した非線形抵抗素子の提供。 【解決手段】非線形抵抗素子は、第1電極と、前記第1電極と対向配置された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた多層膜と、を備え、前記多層膜は、カルコゲナイド薄膜からなる第1中間層の上に、アモルファス・カルコゲナイド薄膜からなる非線形抵抗層と、カルコゲナイド薄膜からなる第2中間層と、をこの順に積層してなる組を1つ又は複数組備え、前記非線形抵抗層を構成する前記アモルファス・カルコゲナイド薄膜の組成から定まる平均配位数が、前記第1中間層と前記第2中間層をそれぞれ構成する前記第1、第2のカルコゲナイド薄膜の組成から定まるそれぞれの平均配位数よりも小さい。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019047003A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：JP2017169790

申请日：2017-09-04

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 伴野 直樹 ,  多田 宗弘

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/8239

Abstract: 【課題】スイッチ動作に必要な電圧やそのばらつきを低減した金属析出型の抵抗変化素子を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】本発明の抵抗変化素子は、金属析出型の抵抗変化膜と、前記抵抗変化膜の一方の面に接して前記抵抗変化膜に金属イオンを供給する第1の電極と、前記抵抗変化膜の他方の面に接する第2の電極と、を有し、前記第1の電極は外周にバリアメタルを有し、前記バリアメタルは絶縁体を介して前記抵抗変化膜に接する。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP6344243B2

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：JP2014557401

申请日：2014-01-15

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 多田 宗弘 ,  阪本 利司 ,  伴野 直樹 ,  岡本 浩一郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L45/126 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/78 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683