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公开(公告)号：WO2006022302A2
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/015366
申请日：2005-08-24
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 関西ティー・エル・オー株式会社 , 森勇介 , 佐々木孝友 , 川村史朗 , 吉村政志 , 川原実 , 磯部宏晶
CPC classification number: C30B29/403 , C30B9/00 , C30B9/10
Abstract: 穏やかな圧力および温度条件で、窒化アルミニウム結晶が製造可能な製造方法を提供する。 窒化アルミニウム結晶の製造方法において、窒素含有ガスの存在下、下記（Ａ）成分および下記（Ｂ）成分を含むフラックス中又は下記（Ｂ）成分を含むフラックス中において、アルミニウムと前記窒素とを反応させることにより、窒化アルミニウム結晶を生成し成長させる。 （Ａ） アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方の元素 （Ｂ） スズ（Ｓｎ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ビスマス（Ｂｉ）および水銀（Ｈｇ）からなる群から選択される少なくとも一つの元素
Abstract translation: 在
温和的压力和温度条件下，氮化铝晶体，以提供可以制造的制造方法。 在用于制造氮化铝晶体，含氮气体存在下，在过程中含有焊剂或下述成分（B）的焊剂，该方法包括以下的成分（A）和下述成分（B）的铝氮反应 从而形成并生长氮化铝晶体。 （A）的至少一种元素（B）的碱金属和碱土金属锡（Sn），镓（Ga），铟（In），至少它选自铋（BI）和汞（Hg）的组中选择 元素＆NBSP之一;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP ;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP ;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP ;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;＆NBSP;
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公开(公告)号：WO2005095681A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/JP2005/006365
申请日：2005-03-31
IPC: C30B29/38
CPC classification number: C30B9/10 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/1092 , Y10T117/1096
Abstract: 成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるIII族元素窒化物結晶の製造方法、それに用いる製造装置、およびそれらにより得られた半導体素子を提供する。 アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素と窒素とを含む原料液中において、窒素含有ガス雰囲気下、加圧加熱して前記原料液中の窒素とIII族元素とを反応させ結晶を成長させる結晶成長工程を有するIII族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記結晶成長工程に先立ち、さらに、原料調製工程を有し、前記原料調製工程は、窒素含有ガス雰囲気下、雰囲気温度および雰囲気圧力の少なくとも一方を前記結晶成長工程の条件よりも高く設定して、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素とを含む融液中に窒素を溶解させて前記原料液を調製する工程である。本発明の方法は、例えば、図７に示す製造装置により行うことができる。
Abstract translation: 一种生产III族元素氮化物晶体的方法，其具有晶体生长步骤，在压力下加热含有碱金属和碱土金属，III族元素和氮气中的至少一种的原料流体，所述气体含有 从而使上述原料流体中的氮和III族元素反应，并且生长晶体，其进一步包括原料制备步骤，在上述晶体生长步骤之前，将氮溶解在含有至少一种 的碱金属和碱土金属在含氮气体的气氛中，其中将气氛的温度和压力中的至少一个设定在比上述晶体生长步骤高的水平的条件下，制备 以上原料液; 实施上述方法的制造装置，例如图1所示。 7; 以及由上述制造的半导体元件。 该方法允许在短时间内生产具有高质量和大尺寸的III族元素氮化物的晶体，并具有改善的生长速率。
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公开(公告)号：WO2008099720A1
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：PCT/JP2008/051892
申请日：2008-01-30
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/12
Abstract: 窒化ガリウム単結晶をフラックス法によって育成するための融液組成物であって、ガリウム、ナトリウム、バリウムを含有する融液組成物を提供する。融液組成物におけるナトリウムの量を１００ｍｏｌ％としたときのバリウムの量が０．０５～０．３ｍｏｌ％である。
Abstract translation: 公开了一种通过含镓，钠和钡的助熔剂法生长氮化镓单晶的熔融组合物。 在该熔融组合物中，每100mol％的钠含有0.05-0.3mol％的钡。
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公开(公告)号：WO2007122867A1
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/JP2007/053862
申请日：2007-02-22
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10 , Y10T117/1096
Abstract: 溶液を収容するための複数個の坩堝１０、坩堝１０を加熱するための発熱体、少なくとも複数個の坩堝および前記発熱体を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器１を備える育成装置を使用する。各坩堝１０内にそれぞれ一つ毎の種結晶を設置し、この種結晶から窒化物単結晶を育成する。
Abstract translation: 使用包括用于容纳熔体的多个坩埚（10）的生长装置; 用于加热所述坩埚（10）的加热元件; 以及用于容纳至少多个坩埚和加热元件的压力容器（1），所述压力容器装有至少包含氮气的气氛。 一个晶种设置在每个坩埚（10）的内部，并且从晶种生长氮化物单晶。
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公开(公告)号：WO2007108498A1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/JP2007/055788
申请日：2007-03-14
CPC classification number: C30B9/10 , C30B7/00 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/406 , C30B35/002 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
Abstract: 本装置は、溶液を収容するための坩堝、坩堝を収容する内側容器１６、内側容器１６を収容する加熱容器３１であって、発熱体１４、発熱体１４が設けられている容器本体１３、および容器本体１３と組み合わされる蓋１２を備えている加熱容器３１、および加熱容器３１を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器３０を備えている。蓋１２の容器本体に対する合わせ面１２ｂが水平面Ｐに対して傾斜している。
Abstract translation: 氮化物单晶制造装置设置有用于存储溶液的坩埚; 用于存储坩埚的内部容器（16）; 存储内容器（16）并具有容器主体（13）的加热容器（31），其中配置有加热体（14）和加热体（14），盖体（12）与 集装箱主体（13）; 和压力容器（30），其储存所述加热容器（31）并填充至少包含氮气的气氛。 盖（12）面向容器主体的面对面（12b）从水平面（P）倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2005080648A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/002560
申请日：2005-02-18
IPC: C30B19/02
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/063 , C30B19/064 , Y10T117/1016
Abstract: 成長レートを向上し、結晶均一性が高く大きな単結晶を短時間で育成できる化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置を提供する。原料液において、原料ガスと接する気液界面から前記原料液の内部に向かう流れが生じるように、前記原料液を攪拌しながら化合物単結晶を成長させる。前記攪拌によって、原料ガスを容易に原料液に溶解することができ、短時間で過飽和状態を実現することが可能であり、化合物単結晶の成長レートを向上させることができる、しかも、前記攪拌によって、原料ガス濃度の高い気液界面から原料ガス濃度の低い原料液内部への流れが形成され、原料ガスの溶解も均一となるので、気液界面での不均一な核発生を抑制でき、得られる化合物単結晶の品質も向上する。
Abstract translation: 一种制造包含气态原料与液体原料反应的化合物单晶的方法，其中，化合物单晶以液态原料搅拌生长，从而在液体原料中形成流动， 气体和液体彼此接触的气液界面到液体原料的内部; 以及用于该方法的装置。 上述搅拌使得气态原料容易地溶解在液体原料中并在短时间内达到过饱和状态，从而提高了化合物单晶的生长速度，并且还允许更均匀地溶解 气态原料通过从具有高含量的气态原料的气 - 液界面形成到具有低含量气态原料的液体原料的内部，导致非气态原料的抑制， 在气 - 液界面中均匀地产生核，这又导致所得化合物单晶质量的提高。 结果，上述化合物单晶的制造方法能够以提高的生长速度在短时间内生长具有高均匀度的大单晶。
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公开(公告)号：WO2010079655A1
公开(公告)日：2010-07-15
申请号：PCT/JP2009/070271
申请日：2009-11-26
CPC classification number: C30B29/403 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B29/406 , C30B35/002
Abstract: ナトリウムを含む融液からフラックス法によって単結晶を育成する方法であって、イットリウム・アルミニウム・ガーネットからなる反応容器内にフラックスを収容する。アルミナ容器やイットリア容器を使用した場合と比較して、酸素、珪素等の不純物の取り込み量を著しく削減でき、残留キャリア濃度が低く、電子移動度が大きく、比抵抗が高い単結晶を得ることに成功した。
Abstract translation: 公开了一种通过助熔剂技术从含钠助焊剂生长单晶的方法，其特征在于将助熔剂包括在包含钇，铝和石榴石的反应容器中。 通过使用反应容器，能够显着降低诸如氧和硅的杂质的污染，并且生产具有较低残留载流子浓度，较高电子迁移率和较高电阻率的单晶，与其中 使用氧化铝容器或氧化钇容器。
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公开(公告)号：WO2008117564A1
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：PCT/JP2008/051463
申请日：2008-01-24
IPC: C30B29/38 , C30B19/02 , H01L21/208
CPC classification number: C30B29/406 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B19/08 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02625
Abstract: 育成容器１内でフラックスおよび単結晶原料を含む融液２中で種結晶基板５上に窒化物単結晶を製造するのに際して、育成容器１内の融液２に、水平方向において温度勾配を設ける。これによって、フラックス法によって窒化物単結晶を育成するのに際して、単結晶への雑晶の付着を抑制し、かつ単結晶の膜厚を均一化する。
Abstract translation: 在生长容器（1）中，在含有助熔剂和单晶材料的溶液（2）中的晶种基板（5）上制造氮化物单晶。 生长容器（1）中的溶液（2）在水平方向上具有温度梯度。 在通过助熔剂法生长氮化物单晶时，抑制了劣质结晶对单晶的粘附，并且单晶的膜厚均匀化。
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公开(公告)号：WO2007102610A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：PCT/JP2007/054744
申请日：2007-03-05
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/063
Abstract: 窒素含有非酸化性雰囲気下で容器１内で原料を溶融させることによって単結晶を育成するのに際して、この混合融液１０と非反応性の材質からなる固形物からなる攪拌媒体１２を混合融液１０に接触させた状態で容器１を揺動させながら単結晶を育成する。
Abstract translation: 通过在含氮非氧化性气氛下在容器（1）中熔化材料来生长单晶。 在将由混合熔体（10）和非反应性材料制成的固体材料构成的搅拌介质（12）与混合熔体（10）接触的状态下，使容器（1）摆动来生长单晶 ）。
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50.发明申请
公开(公告)号：WO2007029655A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/317474
申请日：2006-09-04
Applicant: 松下電器産業株式会社 , 国立大学法人大阪大学 , 北岡康夫 , 峯本尚 , 川口靖利 , 森勇介 , 佐々木孝友 , 川村史朗
CPC classification number: C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/403
Abstract: 成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できる六方晶系窒化物単結晶の製造方法、それにより得られる六方晶系窒化物単結晶を提供する。 液相成長によって平面状の種結晶基板の両面に同時に六方晶系窒化物単結晶を成長させることを特徴とする。前記結晶成長は、窒素含有ガスの存在下、ガリウム、アルミニウム及びインジウムからなる群から選択される少なくとも１つのＩＩＩ族元素と、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくとも一方のフラックスと、窒素とを含む融液を用い、前記種結晶基板の両面が融液と接触するように、前記種結晶基板を融液中に配置して行うことが好ましい。
Abstract translation: 可以在短时间内生长获得改善的生长速度的六方氮化物单晶和高质量的大晶体的方法; 和通过该方法获得的六方氮化物单晶。 该方法的特征在于通过液相外延在平面晶种衬底的每一侧同时生长六方晶氮化物单晶。 晶体生长优选在将晶种衬底设置在包括选自镓，铝和铟的至少一种III族元素的熔体中，同时将包含碱金属和碱土金属中的至少一种的焊剂， 和氮气，使得晶种基板的两侧与熔体接触。
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