窒化アルミニウム結晶の製造方法およびそれにより得られた窒化アルミニウム結晶
    41.
    发明申请
    窒化アルミニウム結晶の製造方法およびそれにより得られた窒化アルミニウム結晶 审中-公开
    生产由该方法得到的氮化铝晶体和氮化铝晶体的方法

    公开(公告)号:WO2006022302A2

    公开(公告)日:2006-03-02

    申请号:PCT/JP2005/015366

    申请日:2005-08-24

    CPC classification number: C30B29/403 C30B9/00 C30B9/10

    Abstract:  穏やかな圧力および温度条件で、窒化アルミニウム結晶が製造可能な製造方法を提供する。  窒化アルミニウム結晶の製造方法において、窒素含有ガスの存在下、下記(A)成分および下記(B)成分を含むフラックス中又は下記(B)成分を含むフラックス中において、アルミニウムと前記窒素とを反応させることにより、窒化アルミニウム結晶を生成し成長させる。 (A) アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方の元素 (B) スズ(Sn)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、ビスマス(Bi)および水銀(Hg)からなる群から選択される少なくとも一つの元素                                                                                 

    Abstract translation:

    温和的压力和温度条件下,氮化铝晶体,以提供可以制造的制造方法。 在用于制造氮化铝晶体,含氮气体存在下,在过程中含有焊剂或下述成分(B)的焊剂,该方法包括以下的成分(A)和下述成分(B)的铝氮反应 从而形成并生长氮化铝晶体。 (A)的至少一种元素(B)的碱金属和碱土金属锡(Sn),镓(Ga),铟(In),至少它选自铋(BI)和汞(Hg)的组中选择 元素&NBSP之一;                      &NBSP ;                        &NBSP ;                        &NBSP ;      

    III族元素窒化物結晶の製造方法、それに用いる製造装置、およびそれらにより得られた半導体素子
    42.
    发明申请
    III族元素窒化物結晶の製造方法、それに用いる製造装置、およびそれらにより得られた半導体素子 审中-公开
    用于生产III族元素氮化物晶体的方法,其使用的生产装置和生产的半导体元件

    公开(公告)号:WO2005095681A1

    公开(公告)日:2005-10-13

    申请号:PCT/JP2005/006365

    申请日:2005-03-31

    Abstract:  成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できるIII族元素窒化物結晶の製造方法、それに用いる製造装置、およびそれらにより得られた半導体素子を提供する。  アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素と窒素とを含む原料液中において、窒素含有ガス雰囲気下、加圧加熱して前記原料液中の窒素とIII族元素とを反応させ結晶を成長させる結晶成長工程を有するIII族元素窒化物結晶の製造方法であって、前記結晶成長工程に先立ち、さらに、原料調製工程を有し、前記原料調製工程は、窒素含有ガス雰囲気下、雰囲気温度および雰囲気圧力の少なくとも一方を前記結晶成長工程の条件よりも高く設定して、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とIII族元素とを含む融液中に窒素を溶解させて前記原料液を調製する工程である。本発明の方法は、例えば、図7に示す製造装置により行うことができる。

    Abstract translation: 一种生产III族元素氮化物晶体的方法,其具有晶体生长步骤,在压力下加热含有碱金属和碱土金属,III族元素和氮气中的至少一种的原料流体,所述气体含有 从而使上述原料流体中的氮和III族元素反应,并且生长晶体,其进一步包括原料制备步骤,在上述晶体生长步骤之前,将氮溶解在含有至少一种 的碱金属和碱土金属在含氮气体的气氛中,其中将气氛的温度和压力中的至少一个设定在比上述晶体生长步骤高的水平的条件下,制备 以上原料液; 实施上述方法的制造装置,例如图1所示。 7; 以及由上述制造的半导体元件。 该方法允许在短时间内生产具有高质量和大尺寸的III族元素氮化物的晶体,并具有改善的生长速率。

    化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置
    46.
    发明申请
    化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置 审中-公开
    用于生产化合物单晶和生产装置的方法

    公开(公告)号:WO2005080648A1

    公开(公告)日:2005-09-01

    申请号:PCT/JP2005/002560

    申请日:2005-02-18

    Abstract:  成長レートを向上し、結晶均一性が高く大きな単結晶を短時間で育成できる化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置を提供する。原料液において、原料ガスと接する気液界面から前記原料液の内部に向かう流れが生じるように、前記原料液を攪拌しながら化合物単結晶を成長させる。前記攪拌によって、原料ガスを容易に原料液に溶解することができ、短時間で過飽和状態を実現することが可能であり、化合物単結晶の成長レートを向上させることができる、しかも、前記攪拌によって、原料ガス濃度の高い気液界面から原料ガス濃度の低い原料液内部への流れが形成され、原料ガスの溶解も均一となるので、気液界面での不均一な核発生を抑制でき、得られる化合物単結晶の品質も向上する。

    Abstract translation: 一种制造包含气态原料与液体原料反应的化合物单晶的方法,其中,化合物单晶以液态原料搅拌生长,从而在液体原料中形成流动, 气体和液体彼此接触的气液界面到液体原料的内部; 以及用于该方法的装置。 上述搅拌使得气态原料容易地溶解在液体原料中并在短时间内达到过饱和状态,从而提高了化合物单晶的生长速度,并且还允许更均匀地溶解 气态原料通过从具有高含量的气态原料的气 - 液界面形成到具有低含量气态原料的液体原料的内部,导致非气态原料的抑制, 在气 - 液界面中均匀地产生核,这又导致所得化合物单晶质量的提高。 结果,上述化合物单晶的制造方法能够以提高的生长速度在短时间内生长具有高均匀度的大单晶。

    六方晶系窒化物単結晶の製造方法、六方晶系窒化物半導体結晶及び六方晶系窒化物単結晶ウエハの製造方法
    50.
    发明申请
    六方晶系窒化物単結晶の製造方法、六方晶系窒化物半導体結晶及び六方晶系窒化物単結晶ウエハの製造方法 审中-公开
    用于生产六角形氮化物单晶,六方晶氮化镓半导体晶体的方法和用于生产六面体氮化物单晶的方法

    公开(公告)号:WO2007029655A1

    公开(公告)日:2007-03-15

    申请号:PCT/JP2006/317474

    申请日:2006-09-04

    CPC classification number: C30B9/10 C30B19/02 C30B29/403

    Abstract:  成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できる六方晶系窒化物単結晶の製造方法、それにより得られる六方晶系窒化物単結晶を提供する。  液相成長によって平面状の種結晶基板の両面に同時に六方晶系窒化物単結晶を成長させることを特徴とする。前記結晶成長は、窒素含有ガスの存在下、ガリウム、アルミニウム及びインジウムからなる群から選択される少なくとも1つのIII族元素と、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくとも一方のフラックスと、窒素とを含む融液を用い、前記種結晶基板の両面が融液と接触するように、前記種結晶基板を融液中に配置して行うことが好ましい。

    Abstract translation: 可以在短时间内生长获得改善的生长速度的六方氮化物单晶和高质量的大晶体的方法; 和通过该方法获得的六方氮化物单晶。 该方法的特征在于通过液相外延在平面晶种衬底的每一侧同时生长六方晶氮化物单晶。 晶体生长优选在将晶种衬底设置在包括选自镓,铝和铟的至少一种III族元素的熔体中,同时将包含碱金属和碱土金属中的至少一种的焊剂, 和氮气,使得晶种基板的两侧与熔体接触。

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