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公开(公告)号:CN101841004B
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201010167432.3
申请日:2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor: 荒井康行
IPC: H01L51/52 , H01L33/38 , G02F1/13357 , F21S2/00
CPC classification number: H01L51/5203 , F21W2131/101 , F21Y2105/00 , H01L33/382 , H01L51/5212 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361
Abstract: 本发明的目的是提供能够抑制当照明装置具有较大面积时在发光区内的亮度不均匀性的照明装置。在一第一电极和一第二电极之间形成一包含发光材料的层,并且形成一第三电极,它通过形成在第二电极和包括发光材料的层中的孔连接于第一电极。通过该孔将第三电极电连接于第一电极,能够减小由于第一电极的相对较高的电阻率所造成的电压降的影响。
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公开(公告)号:CN101252134B
公开(公告)日:2014-05-28
申请号:CN200810080855.4
申请日:2008-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1233 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11534 , H01L27/11546 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1237 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其技术要点如下:在具有绝缘表面的同一衬底上形成有半导体层的膜厚度不相同的多种薄膜晶体管。通过将被要求高速工作的薄膜晶体管的半导体层的沟道形成区薄膜化,使该半导体层的沟道形成区的膜厚度薄于被要求对电压的高耐压性的薄膜晶体管的半导体层的沟道形成区,使沟道形成区的膜厚度变薄。而且,被要求高速工作的薄膜晶体管的栅极绝缘层的膜厚度可以薄于被要求对电压的高耐压性的薄膜晶体管的栅极绝缘层。
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公开(公告)号:CN101794770B
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN200910262549.7
申请日:2009-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor: 荒井康行
IPC: G02F1/136 , H01L27/02 , H01L29/786 , H01L23/52
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/7869
Abstract: 一种显示设备包括:形成于基板之上且用作栅极电极的第一布线;形成于第一布线之上的栅极绝缘膜;设置在栅极绝缘膜之上的第二布线和电极层;以及形成于第二布线和电极层之间的高阻抗氧化物半导体层。在该结构中,第二布线是使用低阻抗氧化物半导体层和低阻抗氧化物半导体层上的导电层的层叠体而构成的,并且电极层是使用低阻抗氧化物半导体层和层叠的导电层的层叠体而构成的,使得用作低阻抗氧化物半导体层的像素电极的区域露出来。
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公开(公告)号:CN101667569B
公开(公告)日:2013-12-04
申请号:CN200910170513.6
申请日:2009-09-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor: 荒井康行
IPC: H01L25/04 , H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0508 , H01L25/042 , H01L31/0475 , H01L31/1896 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明目的之一在于:在光电转换装置中,将连接各个光电转换元件的布线的制造工序简化。本发明的另一目的在于防止连接各个光电转换元件的布线的连接不良。光电转换装置包括分别具有第一和第二单晶半导体层的第一和第二光电转换元件。第一电极设置在第一和第二光电转换元件的下方表面上,而第二电极设置在第一和第二光电转换元件的上方表面上。第一和第二光电转换元件并置固定在支撑衬底上。第二单晶半导体层具有到达第一电极的贯通口。第一光电转换元件的第二电极延伸到贯通口,以电连接到第二光电转换元件的第一电极。
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公开(公告)号:CN101950749B
公开(公告)日:2013-05-29
申请号:CN201010241495.9
申请日:2006-03-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L21/84 , H01L23/49855 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01Q1/2283 , H01Q9/0407 , H01Q9/27 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种无线芯片以及具有该无线芯片的电子设备。本发明提供一种具有高机械强度的无线芯片。而且,本发明还提供了一种能够防止电波被阻挡的无线芯片。在本发明的无线芯片中,通过各向异性导电粘合剂将具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层固定到天线,并将薄膜晶体管连接到天线。天线具有介电层、第一导电层、和第二导电层;第一导电层与第二导电层之间是介电层;第一导电层用作发射电极;第二电极用作接地体。
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公开(公告)号:CN101842910B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN200880114551.3
申请日:2008-10-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/76254 , H01L31/1892 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 通过有效利用硅半导体材料提供了光电转换特性优秀的光电转换器件。本发明涉及一种用于制造利用太阳能电池的光电转换器件的方法,其中:多个单晶半导体衬底排列在具有绝缘表面的支承衬底上,在各个单晶半导体衬底的预定深度处形成了受损层;单晶半导体衬底的表面层部分利用受损层作为边界薄薄地分离,以在支承衬底的一个表面上形成单晶半导体层;以及该单晶半导体层被来自因单晶半导体层分离而暴露的表面侧的激光束辐照,以使该单晶半导体层的表面平坦化。
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公开(公告)号:CN101142715B
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN200680008486.7
申请日:2006-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/6836 , H01L21/84 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L2221/68327 , H01L2221/6835 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2223/6677 , H01L2224/03002 , H01L2224/03009 , H01L2224/06181 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29118 , H01L2224/2912 , H01L2224/29139 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29464 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32265 , H01L2224/32501 , H01L2224/33181 , H01L2224/83005 , H01L2224/83007 , H01L2224/83851 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/07811 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/142 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01Q23/00 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83
Abstract: 本发明的一个目标是提供提高机械强度的无线芯片。此外,本发明的一个目标是提供可以防治电波被阻断的无线芯片。本发明为无线芯片,其中具有薄膜晶体管的层通过各向异性导电粘合剂或导电层固定在天线上,并且薄膜晶体管连接到天线。天线具有介质层、第一导电层和第二导电层。介质层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一导电层作为发射电极并且第二导电层作为接地体。
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公开(公告)号:CN101064347B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200710100942.7
申请日:2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/42368 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/78609 , H01L29/78618 , H01L29/7881
Abstract: 一种半导体器件,其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。
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公开(公告)号:CN101064321B
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN200710102490.6
申请日:2007-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/76 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/11531 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/1255 , H01L29/04
Abstract: 提供一种高度可靠的半导体器件及该半导体器件的制造方法,其中可防止诸如栅电极层与半导体层之间的短路以及漏电流之类的或者由于半导体层对绝缘层的覆盖缺陷而导致的缺陷。为了在绝缘表面上形成多个半导体元件,不将半导体层分为多个岛形半导体层,相反,在一层半导体层中形成使用作半导体元件的多个元件区电绝缘的元件隔离区,即,具有高电阻的第一元件隔离区和与元件区接触并具有与元件区的源和漏区的导电类型相反的导电类型的第二元件隔离区。
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公开(公告)号:CN102422338A
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN201080019425.7
申请日:2010-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/00 , G02F1/1333 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H05K1/189 , G02F1/133305 , G02F1/13452 , G02F1/167 , G06F3/0412 , G06F2203/04102 , G09G3/2096 , G09G3/3208 , G09G3/36 , G09G3/3611 , G09G5/003 , G09G5/39 , G09G2300/0421 , G09G2300/0478 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H05K2201/10128
Abstract: 显示设备包括:柔性显示面板(4311),其包括显示部分(4301),其中扫描线和信号线彼此交叉;支撑部分(4308),用于支撑柔性显示面板(4311)的端部;信号线驱动电路(4323),用于向为支撑部分(4308)提供的信号线输出信号;和扫描线驱动电路(4321a,4321b),用于向沿着垂直于或基本垂直于支撑部分(4308)的方向为显示面板(4311)的柔性表面提供的扫描线输出信号。
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