公开(公告)号：CN104335355A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380029493.5

申请日：2013-06-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  三木绫 ,  岸智弥 ,  广濑研太 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为:Ga:5％以上、In:25％以下(不含0％)、Zn:35～65％及Sn:8～30％。

公开(公告)号：CN104272463A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380023934.0

申请日：2013-05-08

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  田尾博昭 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管，其开关特性和应力耐受性良好，特别是应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。本发明的薄膜晶体管，在基板上至少具有：栅电极；栅极绝缘膜；氧化物半导体层；源-漏电极；以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源-漏电极的保护膜，其中，氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体，第二氧化物半导体层形成于栅极绝缘膜之上，并且第一氧化物半导体层形成于第二氧化物半导体层与保护膜之间。

公开(公告)号：CN103270602A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201180061835.2

申请日：2011-12-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋 ,  岸智弥

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L27/016 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有In、Zn、和选自Al、Si、Ta、Ti、La、Mg及Nb中的至少一种元素(X组元素)。根据本发明，可提供一种薄膜晶体管半导体层用氧化物，其具备不含Ga的In-Zn-O氧化物半导体的薄膜晶体管的开关特性及耐应力性良好，特别是正偏压应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。

公开(公告)号：CN103038888A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037189.6

申请日：2011-07-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 森田晋也 ,  三木绫 ,  岩成裕美 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供一种薄膜晶体管的开关特性优异，特别是在保护膜形成后也可以稳定获得良好的特性的薄膜晶体管半导体用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物，是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物含有Zn、Sn和Si。

公开(公告)号：CN101971294B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200980108416.2

申请日：2009-04-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  越智元隆 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  横田嘉宏 ,  福间信也 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。

公开(公告)号：CN102822945A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180016158.2

申请日：2011-03-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺尾泰昭 ,  森田晋也 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/76867 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种配线构造，其即使省略通常设于Cu系合金配线膜和半导体层之间的阻挡金属层，也能够发挥出优异的低接触电阻，此外密接性也优异。本发明涉及基板之上，从基板侧按顺序具备半导体层和Cu合金层的配线构造，其中，在所述半导体层与所述Cu合金层之间，从基板侧按顺序含有如下的层叠结构：含有从氮、碳、氟和氧所构成的群中选择的至少一种元素的(N、C、F、O)层；含有Cu和Si的Cu-Si扩散层，构成所述(N、C、F、O)层的氮、碳、氟和氧任一种元素与所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层是含有Cu-X合金层(第一层)和第二层的层叠结构。

公开(公告)号：CN102077323A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125535.9

申请日：2009-07-03

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  福间信也 ,  三木绫 ,  越智元隆 ,  森田晋也 ,  横田嘉宏 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L23/53238 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76843 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可省略纯Cu或Cu合金的Cu系合金配线膜与半导体层之间的金属阻挡层的直接接触技术，其在广泛的工艺范围的范围内，能够将Cu系合金配线膜与半导体层直接且可靠地连接。本发明涉及一种配线结构，在基板上从基板侧起依次具备半导体层、和纯Cu或Cu合金的Cu系合金膜，其中，在所述半导体层和所述Cu系合金膜之间，包含从基板侧起依次为含有选自氮、碳及氟中的至少一种元素的(N、C、F)层、和含有Cu及Si的Cu-Si扩散层的层叠结构，且所述(N、C、F)层所含的氮、碳及氟中的至少一种元素与所述半导体层所含的Si结合。

公开(公告)号：CN101971294A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108416.2

申请日：2009-04-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  越智元隆 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  横田嘉宏 ,  福间信也 ,  后藤裕史

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种能够省略在纯Al或Al合金的Al系合金配线与半导体层之间的阻障金属层的直接接触技术，其是可以在宽的工艺余度的范围将Al系合金配线与半导体层直接且可靠地连接的技术。本发明涉及一种配线结构，其为在基板之上从基板侧开始依次具备半导体层、纯Al或Al合金的Al系合金膜的配线结构，在所述半导体层和所述Al系合金膜之间含有从基板侧开始依次为(N、C、F)层以及Al-Si扩散层的层叠结构，所述(N、C、F)层为含有选自氮、碳和氟中的至少一种元素的层，所述Al-Si扩散层含有Al和Si，且所述(N、C、F)层中所含的氮、碳和氟中的至少一种的元素与所述半导体层中所含的Si结合。