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公开(公告)号：CN104487748A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201280074627.0
申请日：2012-08-09
Applicant: 浙江盾安人工环境股份有限公司 , 清华大学
CPC classification number: F16K99/0034 , F16K99/0042 , F16K2099/009 , F16K99/0003
Abstract: 一种微阀装置及控制流体流动的方法。微阀装置包括：微阀本体，该微阀本体由多层构成，并且包括第一层(1)以及与第一层(1)结合的第二层(2)，第二层(2)具有多个流体端口(7，8，9)；腔体(6)，设置在第一层和第二层之间；多个执行器(3，4，5)，分别对应每个流体端口设置，其中多个流体端口(7，8，9)的开闭由多个执行器独立地(3，4，5)控制。控制流体的方法包括采用多个执行器分别对多个流体端口的开闭独立地进行控制。
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公开(公告)号：CN102279206B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110166926.4
申请日：2011-06-21
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了半导体制造技术以及纳米材料应用技术领域中的一种热分析型化学及气体探测传感器，用于解决碳纳米管单独作为传感器应用存在的缺陷。包括半导体衬底、悬空结构、加热元件、测温元件、绝缘层和用于生长碳纳米管薄膜的催化剂层；悬空结构的两端固定在半导体衬底上，并且悬空结构的下表面与半导体衬底不接触；悬空结构的上表面布设加热元件和测温元件；加热元件和测温元件上表面布设绝缘层；催化剂层覆盖整个悬空结构和绝缘层。本发明采用直接生长的方式，将较高热导率和热稳定性的碳纳米管薄膜集成在悬空结构上，可以满足热分析传感器对于高吸附能力材料的要求，提高热分析型传感器的性能。
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公开(公告)号：CN103281084A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310148660.X
申请日：2013-04-25
Applicant: 清华大学
IPC: H03M1/66
Abstract: 本发明提出一种数模转换器，包括：差分器，用于将输入电压与反馈电压相减，其中，输入电压为当前像素点与参考像素点输出电压的差值；积分器，用于对输入电压与反馈电压的差值积分；第一比较器，用于当积分器输出大于第一阈值电压时，反馈第一阈值的电压；第二比较器，用于在预定周期将积分器输出的电压值与第二阈值进行比较；以及控制器，用于当预定周期转换后积分器输出的电压值小于第二阈值时，产生复位脉冲，此外，在一次完整的转换完成之后，将当前像素作为参考像素对下一个像素进行处理，其中，第一阈值大于第二阈值。根据本发明实施例的数模转换器，通过预定周期的累加结果与第二阈值进行比较，进而减少了转换周期提高了数据处理效率。
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公开(公告)号：CN102623433A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210077870.X
申请日：2012-03-22
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本发明公开了属于三维集成技术领域的一种空气间隙的三维互连结构。该三维互连结构由贯穿整个芯片的通孔和通孔内的柱状导电体组成，通孔与柱状导电体之间为环形间隙；柱状导电体在突出于芯片的上下表面至少有一面有支撑头；芯片上下表面至少有一面在通孔的边缘刻蚀有释放槽结构，连通通孔及芯片表面。本发明空气间隙的三维互连结构，通过悬空导电体结构避免使用绝缘层、扩散阻挡层和电镀仔晶层，从而降低三维互连的制造难度，并通过将绝缘层替换为空气层，减小三维互连的高频电容。
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公开(公告)号：CN102290361A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110185954.0
申请日：2011-07-05
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/68 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了属于三维集成电路和微传感器芯片系统领域的一种适用于三维集成技术的模版对准方法。其技术方案如下：以深槽对准模板为定位基准，将平板对准装置嵌入深槽对准模板，两者在垂直方向上重叠；深槽对准模板的内侧面与平板对准装置的外侧面接触。本发明的有益效果为：1)不需要机械装置测量芯片的相对位置以及移动距离，亦不需要进行复杂的光学视觉对准过程，可以直接实现芯片到芯片、芯片到晶圆、或晶圆到晶圆的对准，具有很强的通用性；2)同时完成两层晶圆或芯片的对准与接触，能有效地避免机械转移过程所带来的误差，有利于实现高精度的晶圆或芯片对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101241882B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810102494.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/84 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种基于SOI圆片的三维集成电路的实现方法。所述方法包括：刻蚀去除制造好集成电路的绝缘体上硅(SOI)圆片对应垂直互连的SOI器件层；利用有机聚合物将SOI圆片与辅助圆片临时键合，去除SOI圆片衬底将SOI层向辅助圆片转移；利用有机聚合物实现临时转移的SOI圆片和另一个制造好集成电路的底层圆片的背面对正面永久键合，形成叠加圆片；从叠加圆片正面刻蚀二氧化硅层和永久键合层形成垂直通孔，填充金属实现SOI层圆片与底层圆片的垂直互连。本发明在绝缘位置制造垂直互连解决深孔侧壁绝缘，降低了三维集成的制造难度。本方法可用于集成电路和微型传感器领域，实现多层芯片的背面对正面键合的三维集成。
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公开(公告)号：CN101645401A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910092403.2
申请日：2009-09-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种电路器件三维集成的方法，所述方法包括：在带有电路器件的第一衬底圆片的正面制造盲孔；将第一衬底圆片的正面与辅助圆片进行键合，将所述第一衬底圆片进行背面减薄处理，使所述盲孔开口形成通孔；以所述辅助圆片上的金属种子层为起点，采用自底向上的电镀方式在所述通孔内填充导电金属；将第一衬底圆片的背面与带有电路器件的第二衬底圆片的正面进行键合。本发明实施例在将电路器件三维集成时，在电路器件的衬底圆片上制造盲孔并开口形成通孔，利用辅助圆片采用自底向上的电镀方式向通孔内填充金属，避免了电镀盲孔可能出现的孔洞和缝隙，实现了高密度、高深宽比的三维互连，同时也降低了三维集成和互连的工艺难度。
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公开(公告)号：CN101079386A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710118827.2
申请日：2007-06-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 本发明公开了一种三维集成电路的实现方法，属于半导体制造技术和三维集成技术领域。所述方法包括：在第一层电路圆片的键合面或辅助圆片的键合面淀积电镀种子层；使用所述辅助圆片作为支撑对第一层电路圆片的背面进行减薄并刻蚀穿透圆片的通孔，使电镀种子层通过通孔暴露出来；使用自底向上的电镀技术，将所述电镀种子层作为起点，电镀填充通孔，并在填充的通孔上制作凸点；采用凸点键合的方式将所述第一层电路圆片与第二层电路圆片进行连接。本发明通过沉积电镀种子层，采用自底向上的电镀方式实现高深宽比的垂直互连通孔内的填充，降低了工艺难度，不仅可以实现硅衬底的三维集成，还可以扩展到其他半导体衬底的三维集成，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN1091251C
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN99122159.1
申请日：1999-10-29
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明涉及一种量程设计可变的石英谐振式力传感器，包括弹性体、敏感谐振器、承载杆和紧固螺母。承载杆置于弹性体的上梁上，弹性体为整体的平行双梁结构，六个柔性铰链分别构成上下两个平行梁的弹性支撑，传感器为对称结构，敏感谐振器置于平行梁之间，上梁为双梁并联结构，下梁为单梁结构。通过合理设计柔性铰链的参数，使上梁的支撑刚度系数与下梁及敏感谐振器的刚度系数间取合理的比值，可以实现不同的量程设计要求。
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公开(公告)号：CN118315212A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410582543.2
申请日：2024-05-11
Applicant: 清华大学
Inventor： 王喆垚
Abstract: 本发明提供了一种静电驱动的微机械开关及其制备方法，属于射频微机电器件领域，其中静电驱动的微机械开关包括：可动梁、上驱动电极、触点元件、金属支撑柱、下驱动电极、信号线和第一基底。其中，可动梁的下表面配置有上驱动电极和触点元件，上驱动电极和触点元件在空间上彼此隔离；金属支撑柱设置在第一基底的上表面上，与上驱动电极键合，用于支撑可动梁，使可动梁悬空；下驱动电极和信号线设置在第一基底的上表面上，金属支撑柱与下驱动电极和信号线在空间上彼此隔离，并且触点元件与信号线上下对准，上驱动电极与下驱动电极上下对准，其中，信号线和触点元件的材料为钇钡铜氧晶体。
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