公开(公告)号：CN106486479A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610728317.6

申请日：2016-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高桥幸雄 ,  松浦仁

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/525 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L22/22 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件具有：设置在半导体衬底的主表面的凸状态的第一绝缘膜；形成在半导体衬底上并以包围凸状态的第一绝缘膜的周围的方式设置的、导电类型与半导体衬底的导电类型不同的第一扩散层；构成熔断元件的、以跨过凸状态的第一绝缘膜的方式形成的第一导电层；以及设置在第一导电层之上的第二绝缘膜。

公开(公告)号：CN106252396A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610382527.4

申请日：2016-06-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松浦仁

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7398 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种包括具有低导通状态电压和低关断损耗的特征的IGBT元件的半导体器件。该半导体器件由沟槽栅极型IGBT元件组成。IGBT元件包括：被给予栅极电位的多个栅极沟槽电极、以及被给予发射极电位的多个发射极沟槽电极。在相邻的沟槽电极之间，形成至发射极电极层的接触。就这一点而言，在半导体衬底中，形成P型浮置区域，该P型浮置区域经由层间绝缘层，与发射极沟槽电极中的至少一些的底部接触。

公开(公告)号：CN203250742U

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201320010525.4

申请日：2013-01-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松浦仁

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本实用新型涉及一种IE型沟槽栅极IGBT。用于进一步增强具有有源晶元的宽度比无源晶元更窄的窄有源晶元IE型沟槽栅极IGBT的性能的方法，有效的是缩减晶元从而增强IE效应。然而，当简单地缩减晶元时，由于增加的栅极电容而降低了切换速度。IE型沟槽栅极IGBT晶元形成区域基本上包括具有线性有源晶元区域(40a)的第一线性单元晶元区域(40f)、具有线性孔集电极区域(40c)的第二线性单元晶元区域(40s)以及布置在它们之间的线性无源晶元区域(40i)。

公开(公告)号：CN207474470U

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201721135203.7

申请日：2017-09-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松尾隆充 ,  松浦仁 ,  齐藤靖之 ,  星野义典

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件。在有效区域(ACR)中，在沟槽(TRC)内配置有栅电极(GEL)。与栅电极(GEL)隔开距离地在沟槽(TRC)内配置有发射极电极(EEL)。在有效区域(ACR)形成有源极扩散层(SDR)和基极扩散层(BDR)。基极扩散层(BDR)的基极底部以发射极电极(EEL)侧的基极底部的部分位于比栅电极(GEL)侧的基极底部的部分深的位置的形态倾斜。接触部(CCN)的接触底部以与发射极电极(EEL)接触的接触底部的部分位于比与基极扩散层(BDR)接触的接触底部的部分深的位置的形态倾斜。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利