适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的制备方法

    公开(公告)号:CN1268967A

    公开(公告)日:2000-10-04

    申请号:CN99800657.2

    申请日:1999-03-19

    CPC classification number: C09G1/02 C09K3/1463

    Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件的金属氧化物CMP浆料的制备方法,其中将含有1~50重%的金属氧化物和50~99重%的水的混合物在一个预混合罐中进行混合,借助于一个传输泵通过用高压泵加压以使流动速度不低于100米/秒,将混合物传输至一个分散室中,并在分散室中通过两个孔口进行反方向碰撞分散。本发明的浆料的颗粒具有更窄的颗粒分布,并且显示出30~500纳米的超细颗粒大小。此外,本发明的浆料在其制备的全过程中几乎没有或根本没有污染,并且不表现出尾料现象,从而避免了μ-划痕。因此本发明的浆料可用于通过CMP工艺使浅沟隔离、层间绝缘和中间金属绝缘的平面化。

    用于滤色片的光敏树脂组合物以及使用其的滤色片

    公开(公告)号:CN102466973A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201110188176.0

    申请日:2011-07-05

    Abstract: 本发明提供了用于滤色片的光敏树脂组合物以及使用其的滤色片。用于滤色片的光敏树脂组合物包括:(A)包括由以下化学式1表示的结构单元的丙烯酸基粘合剂树脂;(B)丙烯酸基光聚合单体;(C)光聚合引发剂;(D)颜料;以及(E)溶剂。在化学式1中,X1是H或C1至C30烷基基团,X2是取代或未取代的C1至C20烷基基团、C5至C20芳基基团、C6至C20烷芳基基团、C3至C20环烷基基团、或C6至C30多环烷基基团,X3是H、取代或未取代的C1至C20烷基基团、C5至C20芳基基团、C6至C20烷芳基基团、C3至C20环烷基基团、或C6至C30多环烷基基团,k是0或1,m是范围从0至20的整数,以及n是范围从0至20的整数,其中在k是0的情况下,X3是氢。[化学式1]

Patent Agency Ranking