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公开(公告)号：CN1297581A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00800436.6
申请日：2000-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/208 , H01L21/316 , H01L21/288 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02126 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628 , H01L21/3124 , H01L21/31695
Abstract: 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要的方法是,采用向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜,对该涂敷膜进行热处理的办法形成所希望的薄膜。
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公开(公告)号：CN1256792A
公开(公告)日：2000-06-14
申请号：CN99800210.0
申请日：1999-02-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/48 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0694 , H01L27/1108 , H01L27/12 , H01L29/78603 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , H01L31/101 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 存储器IC10a包括衬底(转移侧衬底)21,和在该衬底21上层积的存储器单元阵列71、存储器单元阵列72及存储器单元阵列73。将各存储器单元阵列71、72和73分别按照薄膜结构的转移方法从图21中的下侧按该顺序层积。所述转移法包括在原衬底上通过分离层形成薄膜器件层(存储器单元阵列)后,对所述分离层照射照射光,在所述分离层的层内和/或界面上产生剥离,将所述原衬底上的薄膜器件层转移到衬底21侧。
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公开(公告)号：CN1199507A
公开(公告)日：1998-11-18
申请号：CN97191134.7
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2001/13613 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L27/1214 , H01L29/78603 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363
Abstract: 本发明是一种将基板上的薄膜器件转移到转移体上的方法,包括:在所述基板上形成分离层的工序;在所述分离层上形成包含薄膜器件的被转移层的工序;通过中间层将包含薄膜器件的被转移层接合到所述转移体上的工序;将光照射到所述分离层上,在所述分离层的层内和/或界面处产生剥离的工序;以及使所述基板从所述分离层脱离的工序。
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公开(公告)号：CN1579009B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN03801384.3
申请日：2003-04-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/208 , H01L21/316 , H01L29/78 , B05D7/00
CPC classification number: H01L21/288 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628 , H01L21/02639 , H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292
Abstract: 本发明是一种在基体材料上形成具有多个层的薄膜装置的制造方法，其特征在于，形成多个层中的至少一层的工序，具有：使喷出包含所述一层的构成成分的液态材料的喷嘴与基体材料的相对位置移动的工序，和将液态材料从喷嘴向基体材料喷出的工序。在成膜室(110)内由喷嘴将液态材料喷出并涂敷于基板，形成薄膜。该基板经第一热处理部(103A)、第二热处理部(103B)的热处理，能够提高膜的结晶性、致密性、以及与其它膜的紧密接合性。
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公开(公告)号：CN100477079C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610100303.6
申请日：1997-08-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , G02F1/136
Abstract: 本发明提供一种剥离方法，包括：从基板剥离脱离件，其中：剥离所述脱离件包括以多束连续实施的光束照射；以所述多束光束中的第一光束照射第一区域；以所述多束光束中的第二光束照射第二区域部分；以及第一区域不与以强度比第二光束的最高强度的90%高的部分所述第二光束照射的部分第二区域重叠，或者不与以所述第二光束中强度无变化的部分光束照射的部分所述第二区域重叠。此外，提供了相应的转移方法，以及按照相应剥离方法或转移方法制造薄膜器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100456476C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200410005319.X
申请日：2004-02-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/8239
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 提供一种能高度集成化的强介电存储器。本发明的强介电存储器(1000)包括片状器件(100)，而片状器件(100)具有包含强介电电容器(20)的存储单元阵列(102)，和包含在存储单元阵列(102)上方形成的薄膜晶体管的电路部分(104)。
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公开(公告)号：CN100392891C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200310110299.8
申请日：1997-11-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , H01L27/3211 , H01L27/3218 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L27/3283 , H01L51/0005 , H01L51/001 , H01L51/5246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H01L51/56 , Y10S428/917 , Y10T428/10 , Y10T428/24868 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明的有机EL元件的制造方法的特征是，它包含：在透明基板(804)上形成象素电极(801)、(802)、(803)的工序；在象素电极上按喷墨方式形成由有机化合物构成的发光层(806)、(807)、(808)的工序。借此可以简便而且短时间地进行高精度的图案成形，也可以简单地进行膜设计和发光性能的最优化，而且可以容易地调整发光效率。
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公开(公告)号：CN100385682C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN00800436.6
申请日：2000-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/208 , H01L21/316 , H01L21/288 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/02126 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628 , H01L21/3124 , H01L21/31695
Abstract: 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要的方法是，采用向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜，对该涂敷膜进行热处理的办法形成所希望的薄膜。
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公开(公告)号：CN100340137C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN00803264.5
申请日：2000-09-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3293 , G09F9/313 , H01L27/3244
Abstract: 通过将TFT层(22)的电路部(22C)退到相邻的EL显示体(14)的背面侧，能够使相邻的EL显示体(14)的周端的象素之间的间隔为10μm，使4个EL显示体(14)从外观上看为一体，能够形成大型的EL显示屏。在将多个EL显示体排列成矩阵形状时，能够维持TFT的象素部的象素间距。
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公开(公告)号：CN1280755C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN98802395.4
申请日：1998-12-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G06F7/57 , G06F7/535 , G06F7/723 , G06F21/72 , G06F2207/3816 , G06F2207/5353 , G06F2221/2149
Abstract: 对于输入数据依处理步骤进行计算并将求得的结果输出的信息处理系统，此系统包括多个计算单元(7-1～7-x)，依据处理步骤以2m(m：自然数)位计算精度执行计算，还包括多个用来级联计算单元的级联终端。当计算中所要求的最大计算精度是2n(n为自然数且是常数)位时，将x个计算单元级联成满足x≥2n/2m(x是自然数)。当计算中所要求的计算精度是2n1(n1≤n，且n1是可变的)位时，将x1个计算单元级联成满足x1≥2n1/2m(x1是自然数且是可变的)。这样，以所需精度执行计算的信息处理系统就易由硬件方式实现。此外，在这种硬件方式下易于提高计算精度。
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