-
公开(公告)号:CN1631034A
公开(公告)日:2005-06-22
申请号:CN03803743.2
申请日:2003-02-12
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 马渕圭司
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H04N5/357
Abstract: 如果在未选择时使浮动节点的电位处在0V,则电子从浮动节点泄漏到发光二极管,从而生成了噪声。MOS型固态成像装置具有以矩阵排列的单位像素(10),并且每个单位像素具有发光二极管(11)、将发光二极管(11)的信号传送到浮动节点(N11)的传送晶体管(12)、将浮动节点(N11)的信号输出到垂直信号线(22)的放大晶体管(13)和将浮动节点(N11)复位的复位晶体管(14)。通过使用将P型MOS晶体管配置在接地端而形成的反向器结构作为驱动漏极线(23)的缓冲器末级(29),有可能在未选择时使浮动节点(N11)的电位变成例如0.5V,并防止电子通过传送晶体管(12)泄漏到发光二极管(11)。
-
公开(公告)号:CN102569321B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201210023103.0
申请日:2009-04-03
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 马渕圭司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/35563 , H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/23229 , H04N5/3575 , H04N5/363 , H04N5/365 , H04N5/37213 , H04N5/3742 , H04N5/3765 , H04N5/378
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件和电子装置,该固体摄像器件包括像素阵列部和信号处理部。所述像素阵列部被设置为包括排列起来的多个单位像素,所述多个单位像素中的各个单位像素是在垂直和水平方向上具有不同尺寸的矩形像素,并且所述多个单位像素中的多个相邻单位像素被组合起来以形成在垂直和水平方向上具有相同尺寸的正方形像素。所述信号处理部被设置为对从所述多个被组合起来的单位像素中读出的多个信号进行处理并且将处理过的信号作为单个信号输出。因而,所述单个信号可以作为来自于正方形格子(正方形像素)的信号而被处理。可以基本上获得正方形像素产品的易处理性并且使图像处理和系统构造更容易。
-
公开(公告)号:CN1776917B
公开(公告)日:2014-11-12
申请号:CN200510131571.X
申请日:2005-10-20
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14603 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/1464
Abstract: 本发明公开了一种固态成像设备,其包括:光电转换部件,其为每个像素提供,并将在衬底的第一表面上入射的光转换为信号电荷;电路区域,读取由光电转换部件积累的信号电荷;多层膜,包括绝缘膜和布线膜,该多层膜放置在与第一表面相对的衬底的第二表面;和传输防止膜,至少设置在多层膜的布线膜和衬底之间。
-
公开(公告)号:CN101609837B
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN200910151044.3
申请日:2009-06-09
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件、它的驱动方法以及使用它的电子装置。这种固体摄像器件包括:在基板的单位像素区域中在不同深度处形成的多个光电二极管;以及从所述基板的一个表面侧在深度方向上形成的多个纵向晶体管,所述多个纵向晶体管的栅极部被形成在与各个所述光电二极管对应的深度处,所述栅极部用于读出通过在所述多个光电二极管中进行光电转换而获得的信号电荷。采用本发明的固体摄像器件,饱和电荷量(Qs)得以增大,灵敏度得以提高且易于使像素尺寸减小。本发明的使用该固体摄像器件的电子装置具有较高图像质量。根据本发明的固体摄像器件的驱动方法,能够减小伪色、残像、噪声和混色且能够提高灵敏度。
-
公开(公告)号:CN101729805B
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN200910206583.2
申请日:2009-10-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/353 , H04N5/359 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/37457 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/3532 , H04N5/3591 , H04N5/3698 , H04N5/374 , H04N5/3742 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及固态图像传感器及其驱动方法、成像设备和电子装置。该固态图像传感器包括像素阵列和由该阵列中的多个像素共用的电荷到电压转换器、复位栅极和放大器。复位栅极电源的电压水平被设为高于放大器电源的电压水平。此外,可以将从像素中的光电检测器溢流的电荷丢弃到电荷到电压转换器中。该图像传感器还包括行扫描器,该行扫描器被配置为在对像素阵列中的行进行扫描以从中读出信号时,该行扫描器对与读出行上的像素共用一个电荷到电压转换器的像素的光电检测器中的电荷进行复位。在从读出行上的像素读出信号的同时或者在此之前进行电荷复位。
-
公开(公告)号:CN1717940B
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200380104566.9
申请日:2003-11-21
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04N9/07
CPC classification number: H04N9/045
Abstract: 在使用多条水平信号线来发布像素信号以便实现高速操作的配置中,消除了在图像信号中出现的色差和波纹。示出了正在读出第2n行像素信号,并且,将奇数列的R像素从水平信号线(60A)输出到输出系统(A)。同时,将偶数列的Gr像素从水平信号线(60B)输出到输出系统(B)。还示出了正在读出第2n+1行像素信号,并且通过切换电路部分(50)的切换操作而将奇数列的Gb像素从水平信号线(60B)输出到输出系统(B)。类似地,通过切换电路部分(50)的切换操作而将偶数列的B像素从水平信号线(60A)输出到输出系统(A)。
-
公开(公告)号:CN100568517C
公开(公告)日:2009-12-09
申请号:CN200410103791.7
申请日:2004-11-05
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/78 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: 提供一种具有其中对各个像素获得阱接触的布置的固态成像器件。在固态成像器件中,阱接触部件形成于光电转换部分的有源区中。阱接触部件把其中设置有像素的晶体管和光电转换部分和光电转换部分的阱固定于预定电势。
-
公开(公告)号:CN101546118A
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200910132305.7
申请日:2009-03-25
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 马渕圭司
IPC: G03F1/00 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供了光刻用掩模及光刻用掩模数据的形成方法、背照射型固体摄像器件及其制造方法和电子装置。所述光刻用掩模的形成方法包括以下步骤:当形成用于制造如下背照射型固体摄像器件的光刻用掩模时,该背照射型固体摄像器件从与上面形成有元件区域的布线的表面侧相对的表面侧获取入射光,且所述元件区域中形成有光电转换元件,该形成方法通过使用将至少一部分输出端子的位置反转的反转数据来形成所述掩模。本发明能够与前照射型无区别地处理背照射型,因此,不必要求安装有背照射型CMOS图像传感器的评估板或者后续级的信号处理IC具有特定的规格,并且不必增加成本。
-
公开(公告)号:CN100502024C
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200510087979.1
申请日:2005-07-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05599 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H04N5/335 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37457 , H01L2924/00 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 在布线层侧形成微型焊点34,37的背照型MOS(金属氧化物半导体)固态图像拾取器件32和在布线层侧在与MOS型固态图像拾取器件的微型焊点34,37相对应的位置上形成微型焊点35,38的信号处理芯片33通过微型凸块36,39连接。在包括MOS型固态图像拾取器件的半导体模块中,在可以提高图像处理速度的同时,可以实现画面内的同时性和可以提高画面质量,可以简化制造工艺,并且可以提高成品率。此外,可以降低同时驱动所有像素或大量像素时所需的功耗。
-
公开(公告)号:CN100481471C
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200510071647.4
申请日:2005-03-01
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/2254
Abstract: 本发明涉及一种CMOS传感器的光学系统,该系统包括使出射光瞳距在成像平面的中心区域短而在成像平面的外围区域长的一非球面透镜。非球面透镜起到使得出射光瞳距从成像平面的中心区域朝着成像平面的外围区域单调增大。另外,根据出射光瞳距d进行光瞳校正,所述出射光瞳距d满足(d1+d2)/2<d<d2,该式中d1是成像平面中心处的出射光瞳距,d2是成像平面边缘处的出射光瞳距。
-
-
-
-
-
-
-
-
-