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公开(公告)号：KR100665993B1
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：KR1020050000620
申请日：2005-01-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 나노입자 생성장치에 관한 것으로, 특히 본 발명은 질소 등의 불활성가스를 보유하는 탱크를 이용하거나, 공기중의 불활성기체인 질소를 분리하는 질소분리장치를 사용하여 불활성기체만을 전극사이의 방전공간으로 유입시켜 방전방식에서 문제가 되는 오존 , 질소산화물 등의 유해가스의 발생을 억제시킨다. 또한, 본 발명은 국부적으로 방전이 일어나는 영역만이 질소 등의 불활성 기체가 통과할 수 있도록 구성하여 많은 양의 나노입자를 최소량의 불활성기체로 효과적으로 생성한다.
이를 위해 본 발명의 나노입자 생성장치는 내부에 공기유로가 형성된 챔버(10)와, 이 챔버(10) 내의 공기유로(11)에 공기를 송풍하는 송풍팬(20)과, 챔버(10) 내의 공기유로(11)에 대향되도록 마련되며 나노입자로 만들기 원하는 덩어리 재료로 이루어진 복수의 전극(31)과, 전기방전을 위해 복수의 전극(31)에 고전압을 인가하는 고전압발생부(33)와, 공기중에 포함된 산소(0
2 )가 복수의 전극(31)사이의 방전공간(50)에서 전기방전에 의해 반응하는 것을 방지하도록 복수의 전극(31)사이의 방전공간(50)에 불활성기체를 공급하는 불활성기체공급장치(40)를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020060075893A
公开(公告)日：2006-07-04
申请号：KR1020040115263
申请日：2004-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82B3/0004 , B82B3/0038 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 나노입자생성장치에 관한 것으로, 이러한 본 발명의 목적은 장치의 부피를 큰 폭으로 줄여 소형화가 가능하도록 마련된 나노입자생성장치를 제공하는 것이다.
이를 위해 본 발명에 따른 나노입자생성장치는 나노입자를 형성하기 위한 재료를 가열하도록 마련되는 가열유닛이 재료를 직접방식으로 가열할 수 있도록 마련된다. 따라서 본 발명에 따른 나노입자생성장치는 이렇게 직접가열방식으로 재료를 가열하도록 마련되는 가열유닛의 구조를 통해 가열유닛과 재료와의 사이의 공간이 삭제되어 장치의 부피를 큰 폭으로 줄일 수 있게 됨으로써 소용화가 용이하게 된다.
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