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公开(公告)号：KR1020170055582A
公开(公告)日：2017-05-22
申请号：KR1020150157912
申请日：2015-11-11
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L41/22 , H01L41/27 , H01L41/04 , H01L41/047 , H01L41/18
Abstract: 본발명의한 가지양태에따라서, 전사기판상에패터닝된전극층을리시버기판에직접프린팅공정을통해전사하여, 반도체소자를제조하는방법이제공된다. 상기방법은플렉서블한전사기판을준비하는단계; 상기전사기판상에금속산화물층을형성하는단계; 포토리쏘그래피프로세스를포함하는패터닝공정을이용하여상기금속산화물층 상에마이크로미터크기의간격을갖는전극패턴을형성하는단계; 상기전극패턴의전극사이에실리콘나노와이어를정렬하는단계; 반도체요소가구비된경질또는플렉서블한리시버기판에점착성물질의층을형성하는단계; 상기실리콘나노와이어가정렬된전사기판을상기리시버기판에접촉하여소정의압력을인가함으로써, 상기전사기판의전극패턴과실리콘나노와이어를상기전사기판으로부터분리하여상기리시버기판의점착성물질에전사하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101481387B1
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：KR1020130108888
申请日：2013-09-11
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00 , C01B33/021
CPC classification number: H01L21/02603 , C01B33/021 , C01P2004/16 , H01L21/02019 , H01L21/02381 , H01L21/02631 , H01L21/324 , H01L29/0669
Abstract: 본 발명에 따라서, 본 발명에 따라서, Si 기판을 준비하는 단계; 상기 Si 기판 상에 소정 재료의 제1 막을 형성하는 단계; 급속 열처리(rapid thermal annealing)를 수행하여, 열적 응집(thermal aggregation)에 의해 상기 Si 기판 상에 상기 재료로 구성되는 복수의 나노입자를 형성하는 단계; 1차 무전해 식각(MCE)을 수행하여, 상기 Si 기판 표면에 80 nm 이하 크기의 나노홀을 형성하는 단계; 상기 나노홀이 형성된 상기 Si 기판 표면에 소정 재료의 제2 막을 형성하는 단계; 2차 무전해 식각을 수행하여, 직경 80 nm 이하의 Si 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노와이어 합성 방법이 제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种硅纳米线的合成方法，包括：制备Si衬底的步骤; 在Si衬底上形成某些材料的第一层的步骤; 通过进行快速热退火，通过热聚集形成由Si衬底上的材料组成的多个纳米颗粒的步骤; 通过进行第一无电蚀刻（MCE）在Si衬底的表面上形成尺寸为80nm以下的纳米孔的工序; 在其上形成有纳米孔的Si衬底的表面上的某些材料的二次层的步骤; 以及通过进行二次无电蚀刻来形成直径为80nm以下的Si纳米线的工序。
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公开(公告)号：KR101386562B1
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020070100020
申请日：2007-10-04
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: G02F1/1343 , C01G15/00 , C01G19/00
Abstract: 본 발명은 불투명 전도성 산화물 박막 및 그를 이용한 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 투명한 전도성 산화물에 전이금속이 도핑되어 광의 투과율이 저하된 박막 및 그를 이용한 화소전극과 공통전극을 구비함으로써 콘트라스트비가 향상된 액정표시장치에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 따른 전도성 박막은, 투명한 전도성 산화물; 상기 투명한 전도성 산화물에 도핑된 전이금속; 을 포함하여 구성된다. 그리고, 상기 전도성 박막을 이용한 본 발명에 따른 액정표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 종횡으로 교차되어 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인; 상기 화소마다 형성되며, 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속된 박막 트랜지스터; 투명한 전도성 산화물에 불투명한 전이금속이 도핑되어 형성되며, 상기 박막 트랜지스터와 접속된 화소전극; 상기 화소마다 형성되어 화소전극과 함께 수평전계를 이루는 공통전극; 을 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 공통전극 또한 투명한 전도성 산화물에 전이금속이 도핑되어 형성된다.
전도성 박막, 광 투과율, 액정표시장치, 화소전극, 공통전극-
公开(公告)号：KR101234539B1
公开(公告)日：2013-02-19
申请号：KR1020110007361
申请日：2011-01-25
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 본 발명은 랜덤 네트워크 구조를 갖는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 덤 네트워크 트랜지스터는: 소정의 기판 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 배치되고, 랜덤 네트워크 구조로 형성되어 소스 전극 및 드레인 전극 사이에서 전자 이동용 채널을 제공하는 복수의 나노 로드; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 적어도 일부와, 상기 나노 로드 상에 형성되는 유전층;을 포함하고, 상기 유전층은 상기 복수의 나노 로드 사이에 충진된 구조를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020120086115A
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：KR1020110007361
申请日：2011-01-25
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L29/0669
Abstract: PURPOSE: A field effect transistor with a random network structure and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a random network transistor with a gate structure by efficiently combining a dielectric layer with a nano rod. CONSTITUTION: A source electrode and a drain electrode are formed on a substrate. A plurality of nano rods are located between the source electrode and the drain electrode. The plurality of nano rods are formed with a random network structure. The plurality of the nano rods provide a channel for moving electrons between the source electrode and the drain electrode. A dielectric layer is formed on the nano rod and a part of the source electrode and the drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种具有随机网络结构的场效应晶体管及其制造方法，以通过有效地将电介质层与纳米棒组合而制造具有栅极结构的随机网络晶体管。 构成：在基板上形成源电极和漏电极。 多个纳米棒位于源电极和漏电极之间。 多个纳米棒形成有随机网络结构。 多个纳米棒提供用于在源电极和漏电极之间移动电子的通道。 介电层形成在纳米棒上，一部分源极和漏电极。
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Patent Agency Ranking46.发明公开나노와이어 소자를 임의 형태로 프린팅하여 나노 소자를 제조하는 방법 및 상기 방법에 사용되는 중간체 빌딩 블록 有权制造纳米器件的方法，通过ARBITRARILY印刷其中的纳米器件和中间构建块可用于该方法
公开(公告)号：KR1020110138478A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：KR1020100058380
申请日：2010-06-21
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/0673 , H01L29/775 , H01L2924/0002 , B82B3/0009 , H01L21/0274 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nano-element by printing a nano-wire element in a pre-set shape and an intermediate building block for the method are provided to pattern and integrate the nano-wire element on a system to be programmable by using the intermediate building block. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nano-element includes the following: A nano-wire solution is prepared. A building block includes a substrate and a nano-wire element carrier and is divided into a plurality of building block units. The nano-wire solution is dropped between the electrodes of the building block units. A dielectrophoresis process is implemented, and the electrodes of the building block units are connected by the nano-wire in order to form the nano-wire element. The nano-wire element is transferred to a gate substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种通过印刷预定形状的纳米线元件和用于该方法的中间构建块来制造纳米元件的方法，以将纳米线元件图案化并集成在可编程的系统上，以通过使用 中间建筑块。 构成：制造纳米元件的方法包括以下：制备纳米线溶液。 构建块包括基板和纳米线元件载体，并且被分成多个结构单元。 纳米线溶液落在构建块单元的电极之间。 实现介电电泳工艺，并且通过纳米线连接构建块单元的电极以形成纳米线元件。 纳米线元件被转移到栅极衬底。
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公开(公告)号：KR1020090034658A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：KR1020070100020
申请日：2007-10-04
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: G02F1/1343 , C01G15/00 , C01G19/00
CPC classification number: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/136286 , G09G2320/066
Abstract: An opaque conductive oxide thin film doped with a transition metal and a liquid crystal display device using the same are provided to improve a contrast ratio by including a pixel electrode and a common electrode formed by an opaque conductive oxide thin film. A gate line and a data line are formed on a substrate by turns, and define a pixel. A TFT(Thin Film Transistor) is formed on pixels, and is connected to the gate line and the data line. A pixel electrode(105) is formed by doping an opaque transition metal in a transparent conductive oxide, and is connected to the TFT. A common electrode(106) is formed on pixels, forms a horizontal electric field together with the pixel electrode, and is formed by doping an opaque transition metal in a transparent conductive oxide. The transparent conductive oxide includes one among ITO(Indium Tin Oxide) and ZnO(Zinc Oxide).
Abstract translation: 提供掺杂有过渡金属的不透明导电氧化物薄膜和使用其的液晶显示装置，以通过包括由不透明导电氧化物薄膜形成的像素电极和公共电极来提高对比度。 栅极线和数据线被轮流形成在衬底上，并且限定像素。 在像素上形成TFT（薄膜晶体管），并连接到栅极线和数据线。 像素电极（105）通过在透明导电氧化物中掺杂不透明过渡金属形成，并连接到TFT。 公共电极（106）形成在像素上，与像素电极一起形成水平电场，并且通过在透明导电氧化物中掺杂不透明的过渡金属形成。 透明导电氧化物包括ITO（氧化铟锡）和ZnO（氧化锌）之一。
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48.发明公开전자 소자의 광활성층 형성용 용액을 현장에서 대량 생산하기 위한 방법 및 3차원 부직 구조를 갖는 광활성층을 포함하는 전자 소자 有权用于形成光电装置的光敏层的解决方案的大量生产方法和包含三维非结构结构的光电层的电子装置
公开(公告)号：KR1020140093832A
公开(公告)日：2014-07-29
申请号：KR1020130005647
申请日：2013-01-18
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42
Abstract: According to the present invention, an apparatus for forming a photoactive layer is provided to form a photoactive layer on an electronic device. The device includes: a solution supply part containing a solution where a polymer material having a solubility parameter difference (Δδ) with a solvent; a transportation unit which is connected to the solution supply part via a pipe, and is configured to transport the solution by predetermined flux from the solution supply part; a cooling unit which is connected to the transportation unit via a pipe, and cools the temperature of the solution in the pipe transported by the transportation unit to a low temperature below 0°C, as being maintained at a low temperature state below 0°C; and a spraying unit which is connected to the cooling unit via a pipe, and forms a photoactive layer by spraying the solution transported from the cooling unit onto the substrate. At least a part of the polymer material (2) in the solution is converted into a nanofibrils type having a diameter of nanometers and a length of micrometers, and is sprayed onto the substrate by the injection unit, and the solution sprayed by the injection unit is sprayed at a higher temperature than the temperature of the state cooled by the cooling unit.
Abstract translation: 根据本发明，提供一种用于形成光敏层的装置，以在电子设备上形成光敏层。 该装置包括：溶液供给部，其含有溶剂，其中溶剂参数差（Δδ）与溶剂的聚合物材料; 运送单元，经由管连接到溶液供给部，构成为通过来自溶液供给部的预定流量输送溶液; 冷却单元，其经由管连接到输送单元，并且将由运输单元输送的管中的溶液的温度冷却至低于0℃的低温，保持在低于0℃的低温状态 ; 以及通过管连接到冷却单元的喷射单元，并且通过将从冷却单元输送的溶液喷射到基板上而形成光敏层。 将溶液中的至少一部分聚合物材料（2）转化为直径为纳米，长度为微米的纳米原纤维，并通过注射单元喷涂到基材上，并且由注射单元喷射的溶液 在比由冷却单元冷却的状态的温度高的温度下喷雾。
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公开(公告)号：KR101352809B1
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020110079430
申请日：2011-08-10
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L31/0392 , B60R1/04 , C03C3/078 , C03C3/087 , C03C4/0092 , C03C11/005 , C03C15/00 , C03C2204/00 , C03C2204/08 , G02B27/0006 , G02B2207/107 , G02F1/133308 , G02F2001/133302 , G06F3/041 , H01G9/20 , H01L31/02366 , Y02B10/10 , Y02E10/50 , Y10T428/1045 , Y10T428/24355 , Y10T428/249969
Abstract: 본 발명에 따라 제공되는 유리 제조 방법은 알칼리 용액을 포함하는 불산(HF) 또는 플루오라이드 대체 에천트(etchant)로 유리의 표면을 식각하여, 상기 유리의 표면에 나노크기의 기공을 갖는 다공성 구조의 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 종래 기술과 달리, 별도의 코팅층을 형성하지도 않으며, 유해한 화학물질을 사용하지 않고, 비교적 저온에서의간단한 프로세스를 통해 반사 방지 특성, 안티포깅 특성, 초친수성 특성을 갖는 유리를 제공할 수 있다. 이러한 유리은 디스플레이 장치용 보호 필터, 태양전지, 이동통신 단말기, 건축물 유리, 광학 소자용 렌즈 등 높은 광투과율을 요구하는 여러 애플리케이션에 효율적으로 적용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101254947B1
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：KR1020110111841
申请日：2011-10-31
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/302 , H01L21/02694 , H01L21/425 , H01L29/66045
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a field effect transistor having a one-dimensional nanostructure and the field effect transistor are provided to improve manufacturing efficiency by using a simple process. CONSTITUTION: A silicon nanowire is synthesized on a silicon wafer by performing an electrolyses etching process. The surface of the nanowire is rough. The silicon nanowire is cut down. The silicon nanowire functions as a channel between a source and a drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种制造具有一维纳米结构的场效应晶体管和场效应晶体管的方法，以通过简单的工艺来提高制造效率。 构成：通过执行电解蚀刻工艺在硅晶片上合成硅纳米线。 纳米线的表面是粗糙的。 硅纳米线被切断。 硅纳米线用作源极和漏极之间的沟道。
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