고온 압력센서장치 및 그 제조방법
    42.
    发明公开
    고온 압력센서장치 및 그 제조방법 有权
    高温压力传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130052841A

    公开(公告)日:2013-05-23

    申请号:KR1020110118137

    申请日:2011-11-14

    CPC classification number: G01L7/082 G01L7/022 G01L19/141

    Abstract: PURPOSE: A high-temperature pressure sensor device and a manufacturing method thereof are provided to maintain the inside of the high-temperature pressure sensor at a vacuum state, thereby accurately measuring in a condition of high temperature and high pressure. CONSTITUTION: A high-temperature pressure sensor device(100) comprises a housing unit(110), a diaphragm(120), a sensor support(130), a sensor unit(150), and a plate(170). The diaphragm is installed in one side of the housing unit and includes a through-hole(121). The sensor support is fitted into the other side of the housing unit and includes a central hole(131) formed in the side becoming fitted into the housing unit. The sensor unit is installed between the diaphragm and the sensor support and includes a sensor hole(151) formed to be communicated with the central hole and the through-hole. The plate closes the through-hole of the diaphragm. The inside of the housing unit is closed while maintaining a vacuum state.

    Abstract translation: 目的:提供高温压力传感器装置及其制造方法,以将高温压力传感器的内部保持在真空状态,从而在高温高压的状态下进行精确测量。 构成:高温压力传感器装置(100)包括壳体单元(110),隔膜(120),传感器支撑件(130),传感器单元(150)和板(170)。 隔膜安装在壳体单元的一侧,并且包括通孔(121)。 传感器支撑件装配到壳体单元的另一侧,并且包括形成在装配到壳体单元中的一侧的中心孔(131)。 传感器单元安装在隔膜和传感器支架之间,并包括形成为与中心孔和通孔连通的传感器孔(151)。 板关闭隔膜的通孔。 在保持真空状态的同时关闭壳体单元的内部。

    메탈 세라믹 진동자의 접합치구 정렬장치 및 방법
    43.
    发明授权
    메탈 세라믹 진동자의 접합치구 정렬장치 및 방법 失效
    一种用于粘合夹具的精确对准的装置和方法

    公开(公告)号:KR101264259B1

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:KR1020060130721

    申请日:2006-12-20

    Inventor: 김영덕 목임수

    Abstract: 본발명은메탈세라믹진동자접합을위한치구의정열방법에있어서, 프레스하단부의정확한지점에베이스치구를설치하여전자석을이용하여고정하는단계; 베이스치구위에자성체가아닌압전세라믹과메탈(비자성체)을정열하는단계; 제어기와전원공급장치를이용하여전자석의자성을떨어뜨린다음최종상단부치구를정열하는단계; 상기상단부치구에프레스를이용하여압을가하고자성을제거하는단계를포함하는메탈세라믹진동자접합치구의정열방법을제공한다.

    LED조명등 고정용 구조체
    44.
    发明授权
    LED조명등 고정용 구조체 有权
    LED灯具结构体

    公开(公告)号:KR101191740B1

    公开(公告)日:2012-10-15

    申请号:KR1020100136127

    申请日:2010-12-27

    Abstract: 본 발명은 LED 등의 조명등을 천장 또는 벽면에 고정하는 구조체에 관한 것으로서, LED 조명등이 설치되는 장착부와, 천장 또는 벽면에 고정되며, 상기 LED 조명등으로부터 전도된 열을 외부로 방출하는 방열부를 포함하되, 상기 방열부는, 천장의 상측 또는 벽체의 내측에 설치되는 제1부재와, 상기 제1부재와 분리 가능하게 결합되며 상기 제1부재와 결합된 상태에서 천장 또는 벽체의 일부분을 수용하는 끼움 홈을 형성하는 제2부재를 포함함으로써, 천장 또는 벽체에 고정 설치됨과 동시에 상기 장착부를 통해 전도된 열을 천장의 상하부 또는 벽체의 내외부로 방출하도록 구성될 수 있다.

    산세 정도 검량선 측정용 표준시편 제조 방법
    45.
    发明授权
    산세 정도 검량선 측정용 표준시편 제조 방법 失效
    酸洗标准曲线参考样品的制作方法

    公开(公告)号:KR100941594B1

    公开(公告)日:2010-02-11

    申请号:KR1020070135477

    申请日:2007-12-21

    Abstract: 본 발명은 산세 정도 검량선 측정용 표준 시편의 제조 방법에 관한 것으로, 열연 공정 후 냉연공정에서 열연판재의 표면에 발생한 스케일을 제거하기 위한 산세 공정에서 산세의 정도를 측정하기 위한 센서의 검량선 확보를 위한 표준시편의 제조 방법에 관한 것이다.
    본 발명에 의하여 산세 부위와 미산세 부위를 정확히 측정하여, 검량선 측정의 효율성을 증대시키고, 산세 공정의 생산성을 증가시켜 고품질 표면의 열연판재 생산을 확대시킬 수 있다.
    산세, 교정, 검량선, 시편

    디엘씨 가스 센서
    46.
    发明授权
    디엘씨 가스 센서 失效
    디엘씨가스센서

    公开(公告)号:KR100928531B1

    公开(公告)日:2009-11-26

    申请号:KR1020020051942

    申请日:2002-08-30

    Abstract: 본 발명에 따른 DLC 가스 센서는 검출 대상 가스의 흐름이 원활하게 이루어지지 않는다는 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서,
    본 발명은, 가스의 농도를 측정하기 위해 사용되는 DLC 감지막(12), DLC 감지막(12)의 하부에 위치하는 Si 웨이퍼(14), Si 웨이퍼(14) 하부에 설치되고 바이몰트 타입(bimorph type)의 압전체를 사용하여 공진 주파수로 DLC 감지막(12)의 표면을 진동시켜서 DLC 감지막(12)의 표면에 대한 검출가스의 탈착 및 부착을 원활하게 하는 압전 진동자(20)를 포함하는 것을 특징으로 하며,
    본 발명에 의하면, DLC 감지막(12) 표면에 정체되는 가스를 전체 가스의 흐름과 동일한 수준으로 만들어 주게 되어, 상기 DLC 가스 센서에 의해 NOx 가스를 검출하는 경우에, 감도 개선 및 분해능이 향상되는 효과를 발생시키게 된다.
    DLC 가스 센서, DLC 감지막, 압전 진동자, 진동 주파수, Si 웨이퍼

    Abstract translation: 目的:提供DLC气体传感器,通过促进DLC传感层表面的气体流动来有效测量气体密度。 一种DLC气体传感器,包括安装在硅的背面的硅晶片(14),DLC传感层(12),SiO 2(16),电极(18)和压电振荡器(20) 晶片(14)。 压电振荡器(20)振动DLC感测层(12),以促进DLC感测层(12)表面处的气体流动。 压电振荡器(20)通过使用玻璃环氧树脂附着到DLC气体传感器的下表面。 压电振荡器(20)包括双压电晶片型压电振荡器。 压电振荡器(20)的谐振频率约为2kHz至5kHz。

    적층형 압전 변압기의 구조
    47.
    发明授权
    적층형 압전 변압기의 구조 失效
    叠层压电变压器的结构

    公开(公告)号:KR100614968B1

    公开(公告)日:2006-08-25

    申请号:KR1020040070720

    申请日:2004-09-06

    Abstract: 본 발명은, 적층된 압전체 사이마다 소정의 외부 영역까지 돌출되어 형성된 다수의 층간 전극을 구비한 적층형 압전 변압기의 구조로서, 상기 각 층간 전극의 각 돌출된 영역에 각기 형성된 다수의 방열용 홀(hole)과, 상기 각 층간 전극의 각 돌출된 영역 사이에 특정 간격으로 형성되어, 상기 각 층간 전극을 지지하는 다수의 스페이서(spacer)를 구비한다.

    Abstract translation: 本发明涉及层叠型压电变压器的结构,该层叠型压电变压器具有形成为向层叠的压电体之间的规定的外侧区域突出的多个层间电极, 并且在层间电极的突出区域之间以预定间隔形成并支撑层间电极的多个隔离物。

    가속도 센서의 베이스 접합 구조
    48.
    发明授权
    가속도 센서의 베이스 접합 구조 失效
    加速度计接合基座结构

    公开(公告)号:KR100601253B1

    公开(公告)日:2006-07-13

    申请号:KR1020020082789

    申请日:2002-12-23

    Abstract: 본 발명은 가속도 센서의 베이스 접합 구조에 관한 것으로서, 진동체에 연결되는 메인 베이스와, 상기 메인 베이스로부터 진동체의 진동을 전달받는 유니트 베이스와, 상기 유니트 베이스에 설치되고 상기 전달된 진동을 전기적 신호로 변환시키는 압전체를 구비하는 가속도 센서에 있어서, 프리프레그(prepreg)로 상기 메인 베이스와 유니트 베이스를 접합시키는 것을 특징으로 하며, 이러한 방법에 의해 정렬이 용이하고, 두께가 얇음에도 불구하고 절연특성 및 전단강도가 아주 우수한 접합층을 갖게 되므로 고온에서도 연화되지 않고 절연특성이 우수한 가속도센서의 제조가 가능한 장점이 있으며, 또한 이러한 방법으로 제조된 접합층의 절연특성이 기존의 방법에 비하여 월등히 뛰어나 산업현장에서 사용할 경우 내노이즈 특성이 우수한 장점이 있다.
    가속도센서, 압전체, 절연체, 베이스, 프리프레그

    MOS형 수소 검지센서
    49.
    发明公开
    MOS형 수소 검지센서 失效
    MOS型氢气检测传感器

    公开(公告)号:KR1020060070749A

    公开(公告)日:2006-06-26

    申请号:KR1020040109344

    申请日:2004-12-21

    Abstract: 본 발명은 MOS형 수소 검지센서에 관한 것으로서,
    제1 실리콘 기판(111); 상기 제1 실리콘 기판(111)의 양측면상에 형성된 제1 및 제2 실리콘 산화막(121,122); 상기 제1 실리콘 산화막(121)상에 형성된 제2 실리콘 기판(112); 상기 제2 실리콘 기판(112)상에 형성된 제3 실리콘 산화막(123); 상기 제3 실리콘 산화막(123)상에 형성된 수소 흡착금속층(130); 상기 수소 흡착금속층(130)상에 형성된 제1 전극층(141); 상기 제2 실리콘 기판(112)상의 또다른 위치에 형성된 제2 전극층(142);을 포함하여 이뤄진다.
    수소 센서, 폭발, SOI 기판, 수소흡착 금속, MOS

    에스오아이 실리콘 기판을 이용한 써모파일 적외선 센서및 그의 제작방법
    50.
    发明公开
    에스오아이 실리콘 기판을 이용한 써모파일 적외선 센서및 그의 제작방법 无效
    使用SOI WAFER的热传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020060021981A

    公开(公告)日:2006-03-09

    申请号:KR1020040070718

    申请日:2004-09-06

    CPC classification number: H01L35/34 G01J5/12 H01L35/12

    Abstract: 본 발명은 하부실리콘산화막과 하부실리콘층과 중앙실리콘산화막과 상부실리콘층과 상부실리콘산화막을 포함한 SOI 실리콘 기판 위에 고온부와 저온부를 포함하는 써모파일 적외선 센서를 제작하는 방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 SOI 실리콘 기판을 이용한 써모파일 적외선 센서의 제작방법은 고온부가 형성될 부분의 하부실리콘산화막을 패터닝하여 제거하고, 하부실리콘산화막을 마스크로 하여 하부실리콘층을 식각하는 제 1 단계와; 고온부의 흑체가 형성될 부분의 상부실리콘산화막을 패터닝하여 제거하고, 상부실리콘산화막을 마스크로 하여 상부실리콘층을 식각하는 제 2 단계와; 저온부가 형성될 부분의 상부실리콘층을 제거한 후 상부실리콘층과 연결되는 알루미늄전극을 형성하여 열전쌍을 형성하는 제 3 단계와; 고온부가 형성될 부분의 상부실리콘층 위에 상부절연막과 금속박막을 순차적으로 적층하는 제 4 단계와; 알루미늄전극 위에 금속패드와 와이어를 연결하고 에폭시로 채우는 제 5 단계와; 금속박막을 처리하여 흑체를 형성하는 제 6 단계를 포함한다.
    멤브레인, 써모파일, 적외선 센서, 열전쌍, 제백효과, SOI웨이퍼

Patent Agency Ranking