무선통신용 고주파 스위치 제조 방법
    41.
    发明公开
    무선통신용 고주파 스위치 제조 방법 失效
    制造无线电通信高频开关的方法

    公开(公告)号:KR1020000059785A

    公开(公告)日:2000-10-05

    申请号:KR1019990007635

    申请日:1999-03-09

    Inventor: 윤종남 이재영

    CPC classification number: H05K3/4614 H01P1/15

    Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a high frequency switch for radio communication is provided to simplify a manufacturing process of the switch to miniaturize the switch, by forming a lambda/4 circuit as a thin conductive pattern in a thin film dielectric material to use a surface mounted device in a capacitor configuring a low pass filter, and by patterning an inductor on a dielectric layer. CONSTITUTION: A method of manufacturing a high frequency switch for radio communication comprises the steps of: accumulating an upper conductive layer and a lower conductive layer utilized as contacts on upper/lower surfaces of a ceramic substrate; accumulating a thin film first dielectric layer on the upper conductive layer; forming many curved-conductive patterns on the first dielectric layer; accumulating a second dielectric layer on the first dielectric layer; partly forming many metal electrodes according to edges of the second dielectric layer; forming a conductive pattern having more than one stub on a region of the second dielectric layer; arranging diodes and capacitor elements on the metal electrodes; forming conductive regions according to accumulating directions of the metal electrodes on some regions of left/right side walls of the metal electrodes, and electrically connecting a selected metal electrode with the upper/the lower conductive layers; and forming many conductive layers on some regions of front/back surfaces of the metal electrodes, and selectively connecting the rest metal electrodes with power.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造用于无线电通信的高频开关的方法,以简化开关的制造过程以使开关小型化,通过在薄膜电介质材料中形成λ/ 4电路作为薄导电图案以使用表面 安装在构成低通滤波器的电容器中,并且通过在电介质层上构图电感器。 构成:制造无线电通信用高频开关的方法包括以下步骤:在陶瓷基板的上/下表面上积聚作为接点使用的上导电层和下导电层; 在上导电层上积累薄膜第一电介质层; 在所述第一介电层上形成许多弯曲导电图案; 在所述第一电介质层上积累第二电介质层; 部分地形成根据第二介电层的边缘的许多金属电极; 在所述第二电介质层的区域上形成具有多于一个短截线的导电图案; 在金属电极上布置二极管和电容器元件; 根据所述金属电极的左右侧壁的一些区域上的金属电极的累积方向形成导电区域,并且将所选择的金属电极与所述上部/下部导电层电连接; 并且在金属电极的前表面/后表面的一些区域上形成许多导电层,并且用电力选择性地连接其余的金属电极。

    써큘레이터/아이솔레이터
    43.
    发明公开
    써큘레이터/아이솔레이터 失效
    循环器/隔离器

    公开(公告)号:KR1020100128765A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:KR1020090047362

    申请日:2009-05-29

    CPC classification number: H01P1/36 H01P1/387 H01P3/08 H01P7/08

    Abstract: PURPOSE: A circulator/isolator is provided to improve the productivity by relieving the effect of component which is strongly dependent on material. CONSTITUTION: A resonator(30) is located between the top ferrite substrate and the lower part ferrite substrate. Three impedance expansion and bandwidth transmission lines(31) are formed on the outside of resonator with the angle which is identical to each other. An I/O terminal(33) is respectively connected to each line end.

    Abstract translation: 目的:提供循环器/隔离器以通过缓解强烈依赖于材料的部件的影响来提高生产率。 构成:谐振器(30)位于顶部铁氧体衬底和下部铁氧体衬底之间。 三个阻抗扩展和带宽传输线(31)以彼此相同的角度形成在谐振器的外部。 I / O端子(33)分别连接到每个线路端。

    UWB용 광대역 안테나
    44.
    发明公开
    UWB용 광대역 안테나 失效
    超宽带宽带天线

    公开(公告)号:KR1020090069876A

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:KR1020070137693

    申请日:2007-12-26

    Inventor: 윤종남 박규호

    Abstract: A broadband antenna for UWB is provided to increase a surface dimension of a radiator by plating the radiator according to a surface of dielectric of a rectangular parallelepiped. A dielectric(101) approximately has a shape of a rectangular parallelepiped. Grooves(103,107) are formed in both sides of the dielectric. A radiator(110) includes a feed pattern, a first connection pattern(113), a radiation pattern(115), a second connection pattern, and an output pattern. The feed pattern is formed in one side of a bottom surface of the dielectric. The first connection pattern is formed inside the groove of one side of the dielectric. The first connection pattern is connected to the feed pattern. The radiation pattern is formed on a top surface of the dielectric. The radiation pattern is connected to the first connection pattern. The second connection pattern is formed inside the groove of the other side of the dielectric. The second connection pattern is connected to the radiation pattern. The output pattern is formed in the other side of the bottom surface. The output pattern is connected to the second connection pattern.

    Abstract translation: 提供用于UWB的宽带天线,以通过根据长方体的电介质的表面电镀散热器来增加散热器的表面尺寸。 电介质(101)大致具有长方体形状。 沟槽(103,107)形成在电介质的两侧。 散热器(110)包括馈送图案,第一连接图案(113),辐射图案(115),第二连接图案和输出图案。 馈电图案形成在电介质的底表面的一侧中。 第一连接图案形成在电介质的一侧的凹槽内。 第一连接图案连接到供纸图案。 辐射图形成在电介质的顶表面上。 辐射图连接到第一连接图案。 第二连接图案形成在电介质的另一侧的凹槽内。 第二连接图案连接到辐射图案。 输出图案形成在底面的另一侧。 输出模式连接到第二连接模式。

    칩 안테나
    45.
    发明授权
    칩 안테나 失效
    칩안테나

    公开(公告)号:KR100659787B1

    公开(公告)日:2006-12-20

    申请号:KR1020050132305

    申请日:2005-12-28

    Inventor: 윤종남

    Abstract: A chip antenna is provided to obtain a resonance frequency at 5.8GHz by forming a radiating pattern with a predetermined length in a length direction of a dielectric substrate on at least one surface of an electrode plate. A chip antenna includes a dielectric substrate(100), an electrode plate(110), two electrode patterns(120,130), a connector(140), and a radiating pattern(150). The electrode plate is formed on an upper surface of the dielectric substrate. The electrode patterns are formed to be apart from each other on a rear surface of the dielectric substrate. The connector is formed at a side surface of the dielectric substrate so that the electrode plate is coupled with the electrode patterns. The radiating pattern is formed in a length direction of the dielectric substrate at a side surface of the electrode plate. The electrode patterns are formed to be parallel to each other in a width direction of the dielectric substrate.

    Abstract translation: 通过在电极板的至少一个表面上的电介质基板的长度方向上形成具有预定长度的辐射图案来提供芯片天线以获得5.8GHz的谐振频率。 芯片天线包括电介质基板(100),电极板(110),两个电极图案(120,130),连接器(140)和辐射图案(150)。 电极板形成在电介质基板的上表面上。 电介质图案形成为在电介质基板的后表面上彼此分开。 连接器形成在电介质基板的侧表面,使得电极板与电极图案连接。 辐射图案形成在电极板的侧表面处的电介质基板的长度方向上。 电极图案形成为在电介质基板的宽度方向上彼此平行。

    이동 통신 단말기의 프런트 엔드 모듈
    46.
    发明授权
    이동 통신 단말기의 프런트 엔드 모듈 失效
    이동통신단말기의프런트엔드모듈

    公开(公告)号:KR100648824B1

    公开(公告)日:2006-11-24

    申请号:KR1020050132321

    申请日:2005-12-28

    Inventor: 윤종남

    Abstract: A front-end module for a mobile communication terminal is provided to reduce the bulk of element itself without high signal loss and to enable the terminal to be manufactured at low cost. The first dielectric layer(201) has a partial pattern of capacitors(C1,C2) in LC parallel resonance parts composing a BPF(Band Pass Filter). The second dielectric layer(202) has the other pattern of the capacitors(C1,C2) in the LC parallel resonance parts and a partial pattern of capacitors(C3,C4) in a connecting part which connects the LC parallel resonance parts. The second dielectric layer(202) is located in a lower part of the first dielectric layer(201). The third dielectric layer(203) has a partial pattern of capacitors(C5,C6) in the connecting part and the other pattern of the capacitors(C3,C4). The third dielectric layer(203) is located in a lower part of the second dielectric layer(202). The fourth dielectric layer(204) having the other pattern of the capacitors(C5,C6) in the connecting part is located in a lower part of the third dielectric layer(203). The fifth dielectric layer(205) having an inductor pattern in the LC parallel resonance parts is located in a lower part of the fourth dielectric layer(204). The sixth dielectric layer(206) having a ground pattern of the capacitors and the inductors of the BPF is located in a lower part of the fifth dielectric layer(205). The seventh dielectric layer(207) having an inductor pattern of a Balun is located in a lower part of the sixth dielectric layer(206). The eighth dielectric layer(208) having the other inductor pattern of the Balun is located in a lower part of the seventh dielectric layer(207). The ninth dielectric layer(209) having a ground pattern of the inductors of the Balun is located in a lower part of the eighth dielectric layer(208).

    Abstract translation: 提供用于移动通信终端的前端模块,以在没有高信号损失的情况下减少元件本身的体积,并且使终端能够以低成本制造。 第一介电层(201)在构成BPF(带通滤波器)的LC并联谐振部分中具有电容器(C1,C2)的部分图案。 第二电介质层(202)具有LC并联谐振部分中的电容器(C1,C2)的另一图案和连接LC并联谐振部分的连接部分中的电容器(C3,C4)的部分图案。 第二介电层(202)位于第一介电层(201)的下部。 第三电介质层(203)在连接部分和电容器(C3,C4)的其他图案中具有电容器(C5,C6)的部分图案。 第三介电层(203)位于第二介电层(202)的下部。 具有连接部分中的电容器(C5,C6)的另一图案的第四电介质层(204)位于第三电介质层(203)的下部中。 在LC并联谐振部分中具有电感器图案的第五电介质层(205)位于第四电介质层(204)的下部。 具有电容器的接地图案和BPF的电感器的第六电介质层(206)位于第五电介质层(205)的下部。 具有巴伦的电感图案的第七电介质层(207)位于第六电介质层(206)的下部。 具有平衡 - 不平衡变换器的另一个电感器图案的第八电介质层(208)位于第七电介质层(207)的下部。 具有平衡 - 不平衡变换器的电感器的接地图案的第九电介质层(209)位于第八电介质层(208)的下部。

    밀리미터파 듀플렉서
    47.
    发明授权
    밀리미터파 듀플렉서 失效
    毫米波双工器

    公开(公告)号:KR100545888B1

    公开(公告)日:2006-01-26

    申请号:KR1020030047707

    申请日:2003-07-14

    Inventor: 윤종남

    Abstract: 본 발명은 밀리미터파 듀플렉서에 관한 것으로서, 간단한 구조로 특정 주파수 차단 특성을 나타내는 상이한 크기의 NRD필터를 송신단과 수신단 각각에 그 개수를 달리하여 복수개 배치하고, 송신단과 수신단에 배치된 NRD필터간의 임피던스 매칭을 위해 그 사이에 도체창을 가진 T자형(T-junction)의 도파관을 배치하여 밀리미터파 대역의 송신 주파수와 수신 주파수를 듀플렉싱(duplexing)시키고자 한다.
    밀리미터파, 듀플렉서, NRD, 필터, 도체창

    대역 통과 필터
    48.
    发明授权
    대역 통과 필터 失效
    带通滤波器

    公开(公告)号:KR100541612B1

    公开(公告)日:2006-01-11

    申请号:KR1020030067546

    申请日:2003-09-29

    Abstract: 본 발명은 대역 통과 필터에 관한 것으로, 그라운드 도체판과, 상기 그라운드 도체판 상부에 형성되고, 100 ~ 150의 유전율을 갖는 기판과, 상기 기판 상부에 형성되고, 상기 그라운드 도체판과 전기적으로 연결된 마이크로 스트립 패턴으로 구성되며, 상기 마이크로 스트립 패턴은, 상호 이격되어 평행하며, 일단과 타단을 갖는 제 1과 5 마이크로 스트립과; 상기 제 1과 5 마이크로 스트립 사이의 내측으로 제 1 마이크로 스트립의 타단에 연장된 제 2 마이크로 스트립과; 상기 제 1과 5 마이크로 스트립 사이의 내측으로 제 5 마이크로 스트립의 일단에 연장된 제 4 마이크로 스트립과; 상기 제 2 마이크로 스트립과 제 4 마이크로 스트립에서 각각 연장되며, 상기 제 1과 5 마이크로 스트립과 평행한 제 3 마이크로 스트립으로 이루어지고, 상기 제 5 마이크로 스트립의 일단에서 주파수가 입력되고, 상기 제 1 마이크로 스트립의 타단에서 대역 통과된 주파수가 출력된다.
    따라서, 본 발명은 100 ~ 150의 고유전율을 갖는 기판 상에 마이크로 스트립 패턴을 형성하여, 큰 캐패시턴스를 구현할 수 있어, 마이크로 스트립의 크기를 작게 형성할 수 있으므로, 대역 통과 필터 칩의 사이즈를 줄일 수 있으며, 고주파수만 통과시키는 삽입손실과 감쇠특성이 우수한 효과가 있다.
    대역, 통과, 필터, 주파수, 유전율

    듀플렉서
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020050064603A

    公开(公告)日:2005-06-29

    申请号:KR1020030096085

    申请日:2003-12-24

    CPC classification number: H01P1/2005

    Abstract: 본 발명은 듀플렉서에 관한 것으로서, 듀플렉서를 포토닉밴드갭(Photonic Bandgap : PBG)구조의 단위셀이 형성된 마이크로스트립공진기를 필터링하고자 하는 송신주파수 및 수신주파수에 따라 각기 다수개 배열하여 형성한, 송신주파수공진기 및 수신주파수공진기와, 커플링(coupling)이 발생되지 않도록 일측단에는 상기 송신주파수공진기와 타측단에는 상기 수신주파수공진기와 각기 접합하여 상호간에 전기적으로 차폐시키는 공진기 접합부를 포함하여 이루어지도록 함으로써, 저렴한 비용으로 그리고, 소자의 부피를 줄여 소형화할 수 있도록 한다.

    전달 격리기 내 다각형 페라이트 제작방법
    50.
    发明公开
    전달 격리기 내 다각형 페라이트 제작방법 失效
    用于生产可以改善铁皮形状的隔离器中的多金属铁素体的方法

    公开(公告)号:KR1020040078302A

    公开(公告)日:2004-09-10

    申请号:KR1020030013174

    申请日:2003-03-03

    Abstract: PURPOSE: A method is provided to increase an induced voltage and reduce insertion losses by improving the shape of the ferrite in an isolator into a polygon. CONSTITUTION: A method comprises a step of increasing an induced voltage and reducing insertion losses by adjusting an area and connecting the strip lines crossed on the ferrite disposed in an isolator; a step of improving isolation by the reduced insertion losses. The strip lines are three or more, and the ferrite is produced into a polygon including a hexagon and an octagon.

    Abstract translation: 目的:提供一种通过将隔离器中的铁氧体的形状改进为多边形来增加感应电压并减少插入损耗的方法。 构成:一种方法包括通过调节区域并连接在设置在隔离器中的铁氧体上交叉的带状线来增加感应电压并降低插入损耗的步骤; 通过减少插入损耗来改善隔离的一个步骤。 带状线是三个或更多个,并且铁素体被制成包括六边形和八边形的多边形。

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