고유전율 고분자-티탄산바륨 복합체
    41.
    发明授权
    고유전율 고분자-티탄산바륨 복합체 有权
    高介电常数聚合物 - 钛酸钡复合物

    公开(公告)号:KR100627248B1

    公开(公告)日:2006-09-25

    申请号:KR1020050085353

    申请日:2005-09-13

    Abstract: 본 발명은 산 처리에 의해 표면 개질된 티탄산바륨 및 이를 포함하는 고 유전성 고분자 복합체에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산 처리에 의해 표면 개질된 티탄산바륨은 표면에 카르복실 관능기가 도입되고, 이러한 티탄산바륨을 포함한 고분자 복합체는 높은 유전상수와 우수한 기계적 물성을 가진다.
    산 처리, 티탄산바륨, 고분자 복합체, 고 유전성

    Abstract translation: 本发明涉及通过酸处理进行表面改性的钛酸钡和包含其的高介电聚合物复合物。 通过本发明的酸处理进行表面改性的钛酸钡在其表面上引入羧基官能团,并且含有钛酸钡的聚合物复合物具有高介电常数和优异的机械性能。

    수축율이 매칭된 복합 세라믹체
    42.
    发明授权
    수축율이 매칭된 복합 세라믹체 失效
    具有匹配收缩率的复合陶瓷

    公开(公告)号:KR100613406B1

    公开(公告)日:2006-08-17

    申请号:KR1020040003535

    申请日:2004-01-17

    Abstract: 본 발명은 저유전율 세라믹 후막과 중유전율 세라믹 후막이 다수 적층된 저온 동시소성용 복합 세라믹체에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 저유전율 세라믹 조성물과 중유전율 세라믹 조성물 중에 각각 함유되는 유리프리트의 조성계를 공통으로 선정함으로써 900 ℃를 전후한 넓은 소성 온도범위에서의 수축거동을 동일하게 매칭하여 이종(異種) 후막간에 휨이나 박리가 없도록 한 복합 세라믹체에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복합 세라믹체 제조기술은 다기능성 세라믹 후막 적층 모듈을 구현하는데 효과적으로 이용될 수 있다.
    저유전율 세라믹 조성물, 중유전율 배선기판, 다층기판, 동시소성, 수축커브

    실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법
    43.
    发明授权
    실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법 失效
    硅纳米微粒和光电子器件及其制备方法

    公开(公告)号:KR100553317B1

    公开(公告)日:2006-02-20

    申请号:KR1020040028397

    申请日:2004-04-23

    Abstract: 본 발명은 실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리콘 나노선에 에르븀(Er)을 도핑한 후 산화시켜 실리콘 나노선의 표면에 이산화규소막을 형성시킴으로써, 산화에 의한 실리콘 나노선 지름의 감소로 양자구속효과 및 광전 변환 효과가 부여되고, 여기에 전류를 인가할 경우 실리콘 나노선의 광전 변화효과에 의하여 발생한 광이 상기 도핑된 에르븀을 여기 및 감쇄시켜 1.5 ㎛ 파장대의 광을 효과적으로 발생시킬 수 있으며, 또한 상기 산화에 따라 형성된 이산화규소막에 의한 실리콘 나노선의 극소캐비티 효과에 의하여 상기 1.5 ㎛ 파장대의 광이 효과적으로 증폭시킬 수 있기 때문에 실제 광소자에 충분히 응용가능한 실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
    실리콘 나노선, 에르븀, 양자구속효과, 광소자

    실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법
    44.
    发明公开
    실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법 失效
    硅纳米微粒和光电子器件及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020050103023A

    公开(公告)日:2005-10-27

    申请号:KR1020040028397

    申请日:2004-04-23

    Abstract: 본 발명은 실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리콘 나노선에 에르븀(Er)을 도핑한 후 산화시켜 실리콘 나노선의 표면에 이산화규소막을 형성시킴으로써, 산화에 의한 실리콘 나노선 지름의 감소로 양자구속효과 및 광전 변환 효과가 부여되고, 여기에 전류를 인가할 경우 실리콘 나노선의 광전 변화효과에 의하여 발생한 광이 상기 도핑된 에르븀을 여기 및 감쇄시켜 1.5 ㎛ 파장대의 광을 효과적으로 발생시킬 수 있으며, 또한 상기 산화에 따라 형성된 이산화규소막에 의한 실리콘 나노선의 극소캐비티 효과에 의하여 상기 1.5 ㎛ 파장대의 광이 효과적으로 증폭시킬 수 있기 때문에 실제 광소자에 충분히 응용가능한 실리콘 나노선을 이용한 실리콘 광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

    저유전율 저온소성 세라믹 조성물
    45.
    发明授权
    저유전율 저온소성 세라믹 조성물 有权
    低介电常数,低温陶瓷

    公开(公告)号:KR100522135B1

    公开(公告)日:2005-10-18

    申请号:KR1020030020800

    申请日:2003-04-02

    Abstract: 본 발명은 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 900℃를 전후한 넓은 범위에서 소성이 가능하면서 저손실의 전기적 특성을 나타내는 보로실리케이트(borosilicate)계 저온 소성 다층기판용 저유전율 유전체 세라믹 조성물에 관한 것이다. 본 발명에서는 저온소성 다층 기판에서 흔히 사용되어온 알칼리 산화물 (alkali oxide, R
    2 O)의 첨가를 완전히 배제하고 알칼리토류 산화물 (alkali earth oxide, RO)만을 첨가하여 유전손실값이 낮은 조성물을 개발하였다. 또한 알칼리토류 조성 및 함량변화를 제어하여 전기적 특성은 거의 변함없이 유지하면서 소성수축 거동이 폭 넓게 제어되는 저유전율 유리기판 조성물 시스템을 개발하였으며 이러한 특성을 갖는 배선기판은 이종소재와 소성수축의 매칭이 용이할 것으로 기대된다.

    저온소성 세라믹 다층 패키지용 고유전율 유전체 세라믹조성물
    46.
    发明公开
    저온소성 세라믹 다층 패키지용 고유전율 유전체 세라믹조성물 失效
    用于低火陶瓷多层包装的高耐蚀性电介质陶瓷组合物

    公开(公告)号:KR1020050091961A

    公开(公告)日:2005-09-16

    申请号:KR1020040017149

    申请日:2004-03-13

    Abstract: 본 발명은 875
    o C 이하의 온도에서 소성이 가능한 유전체 세라믹 조성물에 관한 것으로서 특히, 유전율이 200~1000 범위에 있고, 유전손실값이 3% 미만인 것을 특징으로 한다. 조성물의 구성은 5~20 wt%의 Li
    2 OB
    2 O
    3 -SiO
    2 계 유리 프리트와 80~95 wt%의 BaO-TiO
    2 계 유전체 세라믹스의 조합으로 구성된다. 본 발명을 통해 개발된 조성물은, 내장 캐패시터 형태로서 세라믹 다층 패키징의 일부를 구성하는데 효과적으로 적용될 수 있다.

    온도특성 제어가 가능한 저온소성용 고유전율 세라믹 조성물
    47.
    发明公开
    온도특성 제어가 가능한 저온소성용 고유전율 세라믹 조성물 失效
    具有可调节温度系数的低消耗高耐受性电介质组合物

    公开(公告)号:KR1020050078073A

    公开(公告)日:2005-08-04

    申请号:KR1020040006178

    申请日:2004-01-30

    Abstract: 본 발명은 온도특성 제어가 가능한 저온소성용 고유전율 세라믹 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 CaZrO
    3 상과 CaTiO
    3 상의 혼합 고유전율 유전체가 주성분으로 함유되어 있고 저온소성을 위해 Li
    2 OB
    2 O
    3 -SiO
    2 -CaO-Al
    2 O
    3- ZnO계 유리프리트가 소량 함유된 조성을 이루고 있으며, 사용된 유전체와 유리프리트의 조성 성분비 조절에 의해 유전율이 25 ∼ 35 범위이고 900 ℃ 이하의 온도에서 소성이 가능하면서 공진 주파수의 온도계수(T
    cf )를 -20 ∼ +100 ppm/℃의 범위에서 자유롭게 가변할 수 있는 특징을 가지고 있어, 저온동시소성세라믹(LTCC) 다층기판 및 모듈에서 공진 주파수의 온도계수가 중요시되는 필터 및 안테나 등 공진기 구성에 효과적으로 적용될 수 있는 세라믹 조성물에 관한 것이다.

    열기계 분석장치
    48.
    发明授权
    열기계 분석장치 失效
    温度分析仪

    公开(公告)号:KR100479689B1

    公开(公告)日:2005-03-30

    申请号:KR1020020047094

    申请日:2002-08-09

    Inventor: 박재환 박재관

    Abstract: 본 발명은 종래의 열기계 분석장치에 있어서, 시편을 가열 할 수 있는 가열장치와, 일단이 상기 시편에 접촉하도록 설치되며 상기 시편의 팽창 수축에 따라 축방향으로 이동 가능하도록 설치된 코어를 포함하여 구성되며, 상기 코어의 축방향 변위에 의해 상기 시편의 팽창 수축정도를 감지하는 차동변압기와, 상기 가열장치와, 상기 차동변압기를 지지하는 본체지지 마운트와, 상기 코어가 상기 시편에 일정한 압력을 가하도록 상기 코어에 설치된 정압 인가장치를 포함하여 구성된 열기계 분석장치를 제공함으로써, 시편이 연화되더라도 시편을 손상시키지 않고 시편의 열팽창정도를 정확하게 측정할 수 있다.

    저온 소성 유전체 세라믹 조성물 및 이의 제조방법
    49.
    发明授权
    저온 소성 유전체 세라믹 조성물 및 이의 제조방법 失效
    用于低温合成陶瓷基板的电介质陶瓷组合物及其制备方法

    公开(公告)号:KR100471651B1

    公开(公告)日:2005-03-08

    申请号:KR1020020002050

    申请日:2002-01-14

    Abstract: 본 발명은 950℃ 부근의 낮은 온도 범위에서 소성이 가능한 고유전율의 MgO-CaO-TiO
    2 계 세라믹 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조성물은 세라믹 저온 소성 다층기판 내부에 사용되는 고유전율 층에 사용하기에 적합하다. 본 발명은 적당량의 보로실리케이트(boro silicate)계 유리산화물과 알칼리 금속산화물을 포함하여 마이크로파 유전특성이 우수하고 저온 소성이 가능한 유전체 세라믹 조성물과 MgO-CaO-TiO
    2 계 소성 분말에 보로실리케이트계 유리산화물과 알칼리 금속산화물을 적당량 첨가하여 마이크로파 유전 특성이 우수하고 저온 소성이 가능한 유전체 세라믹 조성물을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 세라믹 조성물은 가격이 저렴한 Ag 전극과 함께 저온소성 다층기판의 제조에 사용될 수 있다.

    저온소성 다층기판용 유전체 세라믹 조성물의 제조방법
    50.
    发明公开
    저온소성 다층기판용 유전체 세라믹 조성물의 제조방법 失效
    用于制造低温多层基板的电介质陶瓷组合物的方法

    公开(公告)号:KR1020020015807A

    公开(公告)日:2002-03-02

    申请号:KR1020000048921

    申请日:2000-08-23

    CPC classification number: H01G4/1227 C04B35/468 H01G4/30

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a dielectric ceramic composition is provided to fire at low temperature of 900°C to meet condition for a dielectric ceramic composition for LTCC(low temperature cofired ceramic). CONSTITUTION: In a method for manufacturing a dielectric ceramic composition for an LTCC, at a first step, BaCO3, Nd2O3, PbO and TiO2(99.9%) are subjected to ball-milling, dried and burned to form dielectric ceramic powder. At a second step, Li2O, B2O3, SiO2, V2O5 are added to the burned dielectric ceramic powder and, then, grinded, mixed and dried. At a third step, 2 wt% PVA(polyvinyl alcohol) is added as a binder to the mixed powder. At a fourth step, a test sample is formed to a disk of a diameter of 10 mm and a thickness of 5.5 mm at a pressure of 1,000kg/cm¬2. Then, the disk is sintered at a temperature rising speed of 300°C/h over 850°C to 950°C and cooled down slowly.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造电介质陶瓷组合物的方法,以在900℃的低温下燃烧以满足用于LTCC(低温共烧陶瓷)的电介质陶瓷组合物的条件。 构成:在用于制造LTCC的电介质陶瓷组合物的方法中,在第一步骤中,将BaCO 3,Nd 2 O 3,PbO和TiO 2(99.9%)进行球磨,干燥并烧制以形成电介质陶瓷粉末。 在第二步,将Li 2 O,B 2 O 3,SiO 2,V 2 O 5加入到烧制的电介质陶瓷粉末中,然后研磨,混合并干燥。 在第三步骤中,将2重量%的PVA(聚乙烯醇)作为粘合剂加入到混合粉末中。 在第四步骤中,在1,000kg / cm 2的压力下将测试样品形成为直径为10mm,厚度为5.5mm的圆盘。 然后,将该盘以850℃〜950℃的300℃/ h的升温速度进行烧结,缓慢冷却。

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