公开(公告)号：KR100425579B1

公开(公告)日：2004-04-03

申请号：KR1020010044056

申请日：2001-07-21

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임정욱 ,  김상훈 ,  심규환 ,  강진영

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for forming a silicon germanium layer using different kinds of sources according to a composition ratio of germanium is provided to improve a characteristic of the silicon germanium layer by changing easily the composition ratio of the germanium of silicon germanium layer. CONSTITUTION: A forming method of a silicon germanium layer includes a process for forming an Si1-xGex layer on a substrate within a process chamber having temperature of 150 to 400 degrees centigrade by using a unit atomic layer epitaxy method. In the forming process of the Si1-xGex layer, a silicon source is supplied to an upper surface of the substrate. The first purge gas is supplied to the upper surface of the substrate. A germanium source is supplied to the upper surface of the substrate. The second purge gas is supplied to the upper surface of the substrate. A hydrogen radical is supplied to the upper surface of the substrate. The different kinds of sources are supplied according to a value of x of the Si1-xGex layer.

Abstract translation: 目的：提供一种根据锗的组成比使用不同种源形成硅锗层的方法，以通过容易地改变硅锗层的锗的组成比来改善硅锗层的特性。 构成：硅锗层的形成方法包括通过使用单元原子层外延方法在温度为150至400摄氏度的处理室内在衬底上形成Si 1-x Ge x层的工艺。 在Si1-xGex层的形成过程中，硅源被供应到衬底的上表面。 第一吹扫气体被供应到基板的上表面。 锗源被提供给衬底的上表面。 第二吹扫气体被供应到基板的上表面。 氢基被提供给基板的上表面。 根据Si1-xGex层的x值提供不同种类的源。

公开(公告)号：KR1020040020582A

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：KR1020020052210

申请日：2002-08-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심규환 ,  송영주 ,  김상훈 ,  강진영

IPC: H01L33/00 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/102 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18

Abstract: PURPOSE: An optoelectronic device using dual structure nano dots and a method for manufacturing the same are provided to maximize a photoelectric effect by forming the optoelectronic device with an electron injecting layer, a hole injecting layer, a quantum well layer, and the nano-dot of the double structure. CONSTITUTION: An optoelectronic device using dual structure nano dots includes an electron injecting layer(11), a nano-dot, and a hole injecting layer(12). The nano-dot is formed with the double structure of an external nano-dot(15) and an internal nano-dot(16). The external nano-dot(15) is formed with an indirect transition semiconductor. The internal nano-dot(16) is formed with a direct transition semiconductor. The optoelectronic device having the nano-dot of the double structure further includes a quantum well layer(14) which is formed between the electron injecting layer(11) and the hole injecting layer(12). The nano-dot is formed within the quantum well layer.

Abstract translation: 目的：提供一种使用双结构纳米点的光电子器件及其制造方法，以通过用电子注入层，空穴注入层，量子阱层和纳米点形成光电器件来最大化光电效应 的双重结构。 构成：使用双结构纳米点的光电子器件包括电子注入层（11），纳米点和空穴注入层（12）。 纳米点由外部纳米点（15）和内部纳米点（16）的双重结构形成。 外部纳米点（15）由间接转移半导体形成。 内部纳米点（16）形成有直接跃迁半导体。 具有双重结构的纳米点的光电器件还包括形成在电子注入层（11）和空穴注入层（12）之间的量子阱层（14）。 纳米点形成在量子阱层内。

公开(公告)号：KR1020030017747A

公开(公告)日：2003-03-04

申请号：KR1020010050743

申请日：2001-08-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박찬우 ,  이승윤 ,  김상훈 ,  심규환 ,  강진영

IPC: H01L29/737

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a hetero-junction dipole transistor is provided to reduce base parasitic resistance and parasitic capacitance between a base and a collector by forming a thick silicon base electrode layer without a damage of a base epitaxial layer. CONSTITUTION: A base epitaxial layer(310) is grown on a substrate(300). A nitride layer(312) is deposited on the base epitaxial layer(310). The first aperture is formed by patterning the nitride layer(312). An emitter electrode(314) is formed by depositing and patterning polysilicon on the substrate(300). An oxide layer(316) is formed on a sidewall and an upper wall of the emitter electrode(314). The nitride layer(312) is etched by using the oxide layer(316) as an etch mask. A base electrode(318) is formed by depositing polysilicon(318) and patterning the polysilicon(318) and the base epitaxial layer(310). The second aperture is formed by etching the polysilicon(318) and the oxide layer(316). An emitter contact window, a base contact window, and a collector contact window are formed by depositing and patterning an insulating layer(324) on the substrate(300). An emitter terminal(328), a base terminal(326), and a collector terminal(330) are formed by depositing and patterning metal on the substrate(300).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造异质结偶极晶体管的方法，以通过形成厚的硅基电极层而不损坏基极外延层来降低基极和集电极之间的基极寄生电阻和寄生电容。 构成：在衬底（300）上生长基底外延层（310）。 氮化物层（312）沉积在基底外延层（310）上。 第一孔径通过图案化氮化物层（312）而形成。 通过在衬底（300）上沉积和图案化多晶硅来形成发射极（314）。 氧化层（316）形成在发射电极（314）的侧壁和上壁上。 通过使用氧化物层（316）作为蚀刻掩模蚀刻氮化物层（312）。 通过沉积多晶硅（318）并构图多晶硅（318）和基极外延层（310）来形成基极（318）。 通过蚀刻多晶硅（318）和氧化物层（316）形成第二孔。 通过在衬底（300）上沉积和图案化绝缘层（324）来形成发射极接触窗，基极接触窗和集电极接触窗。 通过在衬底（300）上沉积和图案化金属来形成发射极端子（328），基极端子（326）和集电极端子（330）。

公开(公告)号：KR1020030015644A

公开(公告)日：2003-02-25

申请号：KR1020010049489

申请日：2001-08-17

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이승윤 ,  박찬우 ,  김상훈 ,  심규환 ,  강진영

IPC: H01L27/06

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a bipolar complementary metal oxide semiconductor(BICMOS) device is provided to form a base of a bipolar transistor by depositing a thin silicon germanium epitaxial layer having carriers of high mobility through a chemical vapor deposition(CVD) method or molecular beam epitaxy(MBE) method. CONSTITUTION: A gate oxide layer(50) is formed on a substrate(41) of an n-well(47) and a p-well(49). An epitaxial layer including germanium and a low temperature oxide layer are sequentially formed. The low temperature oxide layer on a predetermined region of a collector, a collector connection part, the n-well and the p-well is eliminated. After the epitaxial layer on the collector connection part is removed, a conductive layer is formed. The conductive layer and the epitaxial layer in the p-well and n-well are simultaneously patterned to form an emitter on a predetermined region of the collector, an electrode in the collector connection part and a gate in a predetermined region of the n-well and p-well. The exposed gate oxide layer on the n-well and p-well is removed. An outside base(60) is formed in the rest of the collector where the emitter is not formed. A low density impurity region is formed in the n-well and p-well. An insulation layer is formed on the sidewall of the conductive layer. The epitaxial layer on the collector and in a peripheral region is left to form an outside base electrode(62) composed of the epitaxial layer. A source/drain of a lightly-doped-drain(LDD) structure is formed in the n-well and p-well.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造双极互补金属氧化物半导体（BICMOS）器件的方法，以通过化学气相沉积（CVD）方法或分子沉积具有高迁移率载流子的薄硅锗外延层来形成双极晶体管的基极 光束外延（MBE）方法。 构成：在n阱（47）和p阱（49）的衬底（41）上形成栅氧化层（50）。 依次形成包括锗和低温氧化物层的外延层。 在集电体，集电极连接部，n阱和p阱的规定区域上的低温氧化物层被消除。 在除去集电极连接部分上的外延层之后，形成导电层。 p阱和n阱中的导电层和外延层同时构图以在集电极的预定区域上形成发射极，集电极连接部分中的电极和n阱的预定区域中的栅极 和p-well。 去除n阱和p阱上暴露的栅极氧化物层。 在集电体的其余部分形成有外部基极（60），其中未形成发射极。 在n阱和p阱中形成低密度杂质区。 在导电层的侧壁上形成绝缘层。 在集电极和周边区域中的外延层留下形成由外延层构成的外部基极（62）。 在n阱和p阱中形成轻掺杂漏极（LDD）结构的源极/漏极。

公开(公告)号：KR1020020046442A

公开(公告)日：2002-06-21

申请号：KR1020000076638

申请日：2000-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상훈 ,  이영직

IPC: H04N5/04

CPC classification number: H04N21/4307 ,  G10L15/04 ,  H04N5/04

Abstract: PURPOSE: An audio/video synchronization method using a speaking speed control function is provided to synchronize audio and video with each other by using a pause length, a zero crossing rate and an energy curve. CONSTITUTION: A zero crossing rate and an energy curve are extracted from a received broadcasting sound to judge if there is a pause section or not(402). A pause length is controlled in the pause section to generate a piece-wise linear equation(404,405,406). A control rate of segmental level is obtained from the phoneme type in a sound section(407) and a control rate of super segmental level is attained from the piece-wise linear equation(408). The final speaking speed control rate is determined using the control rate of segmental level according to the phoneme type and the control rate of super segmental level according to the piece-wise linear equation(409).

Abstract translation: 目的：提供使用说话速度控制功能的音频/视频同步方法，通过使用暂停长度，零交叉率和能量曲线来使音频和视频彼此同步。 构成：从接收到的广播声音提取零交叉率和能量曲线以判断是否有暂停部分（402）。 在暂停部分中控制暂停长度以产生分段线性方程（404,405,406）。 从声音部分（407）中的音素类型获得分段电平的控制率，并且从分段线性方程（408）获得超级分级电平的控制速率。 根据分段线性方程（409），根据音素类型和超级段级别的控制率，使用节段级别的控制速率来确定最终话音速度控制速率。

公开(公告)号：KR1020010003502A

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019990023811

申请日：1999-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상훈 ,  박은영 ,  이영직

IPC: G10L13/00

Abstract: PURPOSE: A method for post-processing division of phoneme is provided so that an error in automatic division of phoneme can be reduced by using a neural circuit network. CONSTITUTION: The method for post-processing division of phoneme has a several training processes. A mean value and a standard deviation of an error of boundary of phoneme are extracted as statistical information from a database(S1) of a manual division of phoneme(S2). A feature parameter for training a neural network is extracted(S3). The neural network is training according to the extracted parameter I,II(S4). Thereafter, after discriminating whether the training continues or not(S5), if the training dose not continue, the neural network is training according to the feature parameters, if the training continues, the weight I,II values of the training parameter of the neural network extracts, stores to a hard disk(S6), and then finishes the training.

Abstract translation: 目的：提供后处理音素分割的方法，通过使用神经电路网络可以减少音素自动分割的错误。 规定：后处理音素分割的方法有几个培训过程。 从手机音素分割的数据库（S1）中提取音素边界误差的平均值和标准偏差作为统计信息（S2）。 提取用于训练神经网络的特征参数（S3）。 神经网络根据提取的参数I，II（S4）进行训练。 此后，在区分训练是否持续的情况下（S5），如果训练不持续，则神经网络根据特征参数进行训练，如果训练持续，则神经网络的训练参数的权重I，II值 网络提取，存储到硬盘（S6），然后完成培训。

公开(公告)号：KR1020000034136A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980051342

申请日：1998-11-27

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김상훈 ,  이정철 ,  강동규 ,  이영직 ,  양재우

IPC: G10L13/00

Abstract: PURPOSE: A voice synthesizing method using section dependent voice synthesizing database is provided to select a section dependent optimum text from the text copies by section and then set a voice synthesizing data base, thereby a synthesizing voice of satisfactory quality. CONSTITUTION: A voice synthesizing method using section dependent voice synthesizing database comprises steps of: extracting inherent try-phone occurrence frequency from text copies by section, thereby selecting an optimum text set; extracting an EGG signal from the occurred section dependent text, and then dividing it into try-phone unit to set a synthesizing data base; and synthesizing voice by using the set section dependent database and a unlimited synthesizing database.

Abstract translation: 目的：提供一种使用部分相关语音合成数据库的语音合成方法，从文本逐段选择一段相关最佳文本，然后设置语音合成数据库，从而形成令人满意质量的综合语音。 构成：使用部分依赖语音合成数据库的语音合成方法包括以下步骤：从文本拷贝逐段提取固有的试听手机出现频率，从而选择最佳文本集; 从发生的部分相关文本中提取EGG信号，然后将其分为试用手机单元以设置合成数据库; 以及通过使用设置部分依赖数据库和无限合成数据库来合成语音。

公开(公告)号：KR1019990047332A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970065689

申请日：1997-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박준 ,  이정철 ,  강동규 ,  김상훈

IPC: G06F3/16

Abstract: 본 발명은 텍스트/음성 변환기(text-to-speech conversion system)에서 신경망을 이용한 에너지 컨투어 생성 방법에 관한 것이다.
종래 합성기는 입력된 텍스트로부터 합성음을 생성하는데 있어서 에너지 컨투어 제어를 인접한 합성단위간의 에너지 컨투어 평활화와 강세 정도의 처리 만을 하고 있다. 그러므로 종래의 텍스트/음성변환기 방식을 이용하여 문장단위의 에너지 컨투어를 제어하기는 불가능하다.
따라서, 본 발명은 음운환경, 단어간 끊어읽기, 앞/현재/뒤 단어의 평균 피치값을 입력으로 하는 다층신경망을 이용한 학습방법을 사용하여 문장내 음절의 에너지값을 추정, 합성음 생성에 사용함으로써 합성음의 자연성 구현을 그 목적으로 한다. 본 발명은 입력 텍스트에 대한 언어처리 결과를 입력받아서 문장내 음절의 에너지값을 출력하는 다층신경망을 이용하여 실제 음성데이타의 음절 에너지값으로 학습하고, 학습 결과를 이용하여 텍스트/음성 변환기에서 문장단위의 에너지 컨투어를 생성하는 방식을 통해 문장내 에너지 변화를 제어함으로써 합성음의 자연성이 향상되므로 텍스트/음성 변환기의 자연성이 요구되는 응용분야인 통신 서비스, 사무 자동화, 교육 등의 여러 분야에 응용할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100173340B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019950055841

申请日：1995-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이정철 ,  이영직 ,  김상훈 ,  한민수

IPC: G10L13/00

Abstract: 본 발명은 텍스트/음성변환기(text-to-speech conversion system)에서 억양패턴 정규화와 신경망 학습을 이용한 억양 생성 방법에 관한 것으로서, 음성합성 장치에 적용되는 텍스트/음성변환장치에 적용되는 억양패턴 정규화와 신경망 학습을 이용한 억양생성 방법에 있어서, 합성 데이터베이스(3)로부터 음성 데이터를 읽어 음절의 피치 패턴을 정규화 및 표준화하고 어절내 각 음절의 평균 피치값에서 어절의 평균 피치값을 뺀 피치값으로 어절피치패턴을 학습하고, 문장내 각 어절의 평균 피치값으로부터 문장의 기준 억양을 추정한 후, 문장의 문맥에 따른 문법 속성열과 그에 해당되는 억양패턴테이블을 작성하는 제1단계(10 내지 15); 한국어 문장과 문법 속성열이 입력되면 문장의 기준억양 생성 과정에서 각 어절에 대해 문장내 위치에 따라 1차 평균 피치값을 할당하고, 비균일 단위의 억양패턴 생성 과정에서 입력된 문법 속성열을 이용하여 왼쪽 우선 검색 방식으로 최장 일치 부분을 억양 패턴 테이블에서 찾아 해당 어절에 2차 평균 피치값을 할당하고, 어절의 피치 패턴 생성 과정에서 신경망을 이용하여 각 음절의 평균 피치값 변화량을 계산하고, 음절의 피치 패턴 생성 과정에서는 각 음절을 구성하는 음소열과 표준 피치 패턴 테이블을 이용하여 음절의 피치 패턴을 계산하고, 각 과정의 결과를 합하여 전체 문장의 억양을 생성하여 출력하는 제2단계(16 내지 21)를 포함하여 실제 음성데이타를 분석하여 억양 제어 규칙을 작성하고 합성음의 억양 제어를 통해 함성음의 자연성과 유창성을 향상시킴으로써 통신 서비스, 사무 자동화, 교육 등의 여러 분야에 응용할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100169034B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019960006887

申请日：1996-03-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김상훈 ,  한민수

IPC: H04M3/50

Abstract: 본 발명은 안내 음성의 변별력을 개선하기 위한 안내 음성의 변별력 개선 방법에 관한 것으로, 숫자음의 지속 시간과 에너지 조절을 통하여 안내 음성의 자연성을 유지하고 변별력을 개선시킨 안내 음성의 변별력 개선 방법을 제공하기 위하여, 저장 수단(2)으로부터 읽어온 음성 데이타, 스펙트럼 데이타 및 레이블링 데이타를 출력 수단(4)으로 디스플레이하고 조절할 음성 데이타의 위치를 레이블링한 후에 TD-PSOLA 알고리즘을 수행하고 신호 처리 방법을 판단하는 제 1 단계(21 내지 24); 상기 제 1 단계(21 내지 24)의 판단 결과, 신호 처리 방법이 지속 시간 조절이면 레이블링된 위치에서 지속 시간을 조절하여 안내 음성을 생성하는 제 2 단계(25 내지 27, 33 내지 38); 및 상기 제 1 단계(21 내지 24)의 판단 결과, 신호 처리 방법이 에너지 조절이면 레이블링된 위치에서 에너지를 조절하여 안내 음성을 생성하는 제 3 단계(28 내지 38)를 포함하여 안내 음성을 잘못 이해하는 오류를 줄일 수 있고, 향후 이와 유사한 자동 응답 서비스의 음성 데이타 변별력 개선에 유용하게 사용될 수 있는 효과가 있다.