公开(公告)号：JP2017182057A

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：JP2017048440

申请日：2017-03-14

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 折原 敏彦

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/80 ,  G03F1/60

Abstract: 【課題】低欠陥で高平滑な基板を製造することのできる基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び、転写用マスクの製造方法を提供する。 【解決手段】酸化物を含む材料からなる基板に対して、導電性水溶液を含む液体からなる処理流体を介在させた状態で、触媒物質の加工基準面と前記主表面を接触又は接近させ、前記主表面と前記加工基準面とを相対運動させることにより前記主表面を触媒基準エッチングする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017181731A

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：JP2016067878

申请日：2016-03-30

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 折原 敏彦 ,  池邊 洋平

IPC: G03F1/24 ,  C03C19/00 ,  G03F1/60

Abstract: 【課題】EUVリソグラフィで要求されるような、光学的に高い平坦度を有するマスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】基板の主表面を研磨する研磨工程と、基板主表面の表面形状を少なくとも有効領域において測定する表面形状測定工程と、測定した表面形状に対応する2次成分を最大次数成分として有する仮想表面形状を少なくとも前記有効領域において算出する仮想表面形状算出工程と、その仮想表面形状に基づいて基板の主表面を局所加工する局所加工工程とを備えてマスクブランク用基板を製造する。又、この製造方法によって製造されたマスクブランク用基板を用いて、多層膜付き基板、マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスを製造する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6195880B2

公开(公告)日：2017-09-13

申请号：JP2015202956

申请日：2015-10-14

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 折原 敏彦 ,  浜本 和宏 ,  小坂井 弘文 ,  臼井 洋一 ,  笑喜 勉 ,  堀川 順一

IPC: G03F1/84 ,  G03F1/24 ,  C03C15/02 ,  C03C17/34 ,  G03F1/60

CPC classification number: G03F1/48 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/3435 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3636 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3649 ,  C03C17/3665 ,  C03C23/0075 ,  C03C3/06 ,  G02B5/08 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G03F1/22 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/70733 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  C03C2201/42 ,  C03C2218/33

公开(公告)号：JP5980957B2

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：JP2014554448

申请日：2013-12-24

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 山田 剛之 ,  折原 敏彦 ,  西村 貴仁

IPC: G03F1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C23/00 ,  G03F1/60

CPC classification number: G03F1/60 ,  B24B29/02 ,  C03C15/00 ,  C03C23/0075 ,  G03F1/24 ,  G03F1/80 ,  G03F1/82

公开(公告)号：JP2016072441A

公开(公告)日：2016-05-09

申请号：JP2014200661

申请日：2014-09-30

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 折原 敏彦 ,  笑喜 勉

IPC: G03F1/60 ,  G03F1/24 ,  G11B5/84 ,  C03C15/00 ,  C03C17/36 ,  H01L21/027

Abstract: 【課題】低欠陥で高平滑な基板を製造することのできる基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び、転写用マスクの製造方法を提供する。 【解決手段】酸化物を含む材料からなる基板に対して、処理流体を介在させた状態で、触媒物質の加工基準面と前記主表面を接触又は接近させ、前記主表面と前記加工基準面とを相対運動させることにより前記主表面を触媒基準エッチングする。処理流体は、有機アルカリ水溶液を含む。 【選択図】図4

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造能够制造低缺陷和高平滑度的基板的基板的方法，并且提供一种制造具有多层反射膜的基板的方法，制造掩模坯料的方法和 制造转印掩模的方法。解决方案：对于由含有氧化物的材料构成的基板，催化剂材料的加工参考表面和主表面接触或接近，同时插入工艺流体，并且催化剂参考蚀刻 通过相对地移动主表面和处理参考表面来执行主表面。 工艺流体含有有机碱性水溶液。选择图：图4

公开(公告)号：JP2016014898A

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：JP2015202958

申请日：2015-10-14

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦 ,  小坂井 弘文 ,  臼井 洋一 ,  笑喜 勉 ,  堀川 順一

IPC: C03C19/00 ,  C03C15/02 ,  G03F1/60

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F1/50 ,  G03F1/60 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0334

Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板や膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物や傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能なマスクブランク用基板を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板であって、前記基板の転写パターンが形成される側の主表面における1μm×1μmの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、ベアリングエリア30%をBA 30 、ベアリングエリア70%をBA 70 、ベアリングエリア30%及び70%に対応するベアリング深さをそれぞれBD 30 及びBD 70 と定義したときに、前記基板の主表面が、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )≧350(%/nm)の関係式を満足し、かつ最大高さ(Rmax)≦1.2nmとした構成としてある。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于掩模坯料的基板，其能够通过防止由于基板和膜上的表面粗糙度而在检测到的缺陷检查中的缺陷检查中容易地检测诸如异物和瑕疵的关键缺陷 使用高灵敏度缺陷检查装置。解决方案：用于光刻的掩模板的基板被配置为使得通过用原子测量获得的轴承面积（％）和轴承深度（nm）之间的关系， 如果承载面积为30％的轴承面积定义为BA，轴承面积为70％，轴承深度相应为1×1μm的区域，则在其上形成有转印图案的基板的主表面上 作为BD和BD的轴承面积分别为30％和70％，基材的主表面满足关系式（BA-BA）/（BD-BD）≥350（％/ nm），最大高度为（ Rmax）≤1.2nm。

公开(公告)号：JP2015075630A

公开(公告)日：2015-04-20

申请号：JP2013211713

申请日：2013-10-09

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 浜本 和宏 ,  折原 敏彦 ,  笑喜 勉

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24 ,  C03C15/00 ,  G03F1/60

Abstract: 【課題】低欠陥で高平滑な基板を製造することのできる基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置を提供する。 【解決手段】少なくとも主表面がケイ素酸化物を含む材料よりなる基板に対して、触媒物質の加工基準面を前記主表面に接触又は接近させ、前記主表面と前記加工基準面とを相対運動させることにより前記主表面を触媒基準エッチングする。この時、前記処理液は前記基板主表面で加水分解を起こす液体であり、且つ、前記触媒基準エッチング中の前記処理液の温度は、常温を超える温度である。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造能够减少缺陷和平滑度降低的基板的基板的制造方法，制备多层膜提供基板的方法，掩模坯料的制造方法， 制造用于转印的掩模和基板制造装置。解决方案：制造基板的方法包括使催化物​​质的处理参考表面与基板的主表面接触，其中主表面由氧化硅组成，或 使处理基准面靠近基板的主表面，并且通过相对地移动主表面和处理参考表面来执行主表面的催化剂参考蚀刻。 所使用的处理液是在基板的主表面上产生水解的液体，催化剂基准蚀刻时的处理液的温度高于常温。