-
公开(公告)号：JP2015088592A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013225277
申请日：2013-10-30
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/24 , G03F1/84 , C23C14/34 , H01L21/027
Abstract: 【課題】 多層反射膜の成膜の際、転写パターン形成領域内の欠陥数が0個となる収率を、より高くすることができる、多層反射膜付き基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板の製造方法であって、前記多層反射膜の一部を成膜する部分成膜工程と、成膜した前記多層反射膜の欠陥検査をする欠陥検査工程と、欠陥検査の結果を評価して、所定の欠陥が所定の欠陥数以下である前記多層反射膜付き基板を選択する基板選択工程とをこの順で含む多層反射膜一部形成工程を含み、前記多層反射膜一部形成工程を、少なくとも2回繰り返すことにより、前記多層反射膜を形成し、前記基板選択工程で選択された前記多層反射膜付き基板に対してのみ、次の前記多層反射膜一部形成工程を実施することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法である。 【選択図】 図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造具有多层反射膜的基板的方法，其能够在形成多层反射膜时能够使转印图案形成区域的缺陷数为0的产品的成品率提高。 解决方案：制造具有反射曝光光的多层反射膜的基板的方法包括多层反射膜部分形成步骤，其中依次包括形成多层反射膜的一部分的部分成膜步骤，缺陷检查步骤 检查形成的多层反射膜的缺陷的基板选择步骤，以及具有规定缺陷数等于或小于规定数量的多层反射膜选择基板的缺陷检查结果的基板选择步骤。 多层反射膜部分形成步骤重复至少两次以形成多层反射膜，并且仅在基板选择步骤中选择的多层反射膜的基板经受下一次多层反射膜部分形成步骤。
-
42.发明专利基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置 有权生产基材的方法，制造多层薄膜基材的方法，掩模层的方法，生产转印掩模的方法和基板生产装置
公开(公告)号：JP2015075630A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013211713
申请日：2013-10-09
Applicant: HOYA株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F1/24 , C03C15/00 , G03F1/60
Abstract: 【課題】低欠陥で高平滑な基板を製造することのできる基板の製造方法、多層膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置を提供する。 【解決手段】少なくとも主表面がケイ素酸化物を含む材料よりなる基板に対して、触媒物質の加工基準面を前記主表面に接触又は接近させ、前記主表面と前記加工基準面とを相対運動させることにより前記主表面を触媒基準エッチングする。この時、前記処理液は前記基板主表面で加水分解を起こす液体であり、且つ、前記触媒基準エッチング中の前記処理液の温度は、常温を超える温度である。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造能够减少缺陷和平滑度降低的基板的基板的制造方法，制备多层膜提供基板的方法，掩模坯料的制造方法， 制造用于转印的掩模和基板制造装置。解决方案：制造基板的方法包括使催化物质的处理参考表面与基板的主表面接触，其中主表面由氧化硅组成，或 使处理基准面靠近基板的主表面，并且通过相对地移动主表面和处理参考表面来执行主表面的催化剂参考蚀刻。 所使用的处理液是在基板的主表面上产生水解的液体，催化剂基准蚀刻时的处理液的温度高于常温。
-
公开(公告)号：JP2021039335A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2020117891
申请日：2020-07-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】基板の端面上に形成された反射膜でのブリスターの発生を抑制できる反射膜付基板を提供する。 【解決手段】上記反射膜付基板は、対向する2つの主表面とこの2つの主表面の外縁に接続する端面を有する基板と、一方の上記主表面上と上記端面上の少なくとも一部に形成された反射膜とからなる。上記主表面上の反射膜は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた構造を有する。上記端面上の反射膜は、上記低屈折率層中で含有量が最も多い元素と上記高屈折率層中で含有量が最も多い元素を含む単層構造を有する。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JPWO2019078206A1
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2018038501
申请日：2018-10-16
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 多層反射膜に基準マークを形成した場合でも、多層反射膜の表面が汚染されることを防止することのできる、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法を提供する。 多層反射膜付き基板(10)は、基板(12)と、基板上に形成されたEUV光を反射する多層反射膜(14)とを含む。多層反射膜付き基板の表面に、基準マーク(20)が凹状に形成されている。基準マークは、略中心に溝部(21)又は突起部(23)を有する。溝部又は突起部の平面視における形状は、基準マークの形状と相似又は略相似である。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2019056939A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2019001198
申请日：2019-01-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】 反射型マスクブランク及び多層反射膜付き基板の欠陥を欠陥検査装置及び座標計測機等によって検査・計測する際に、欠陥検査装置による検出欠陥の位置精度を向上することができる導電膜付き基板を提供する。 【解決手段】 導電膜が形成された導電膜付き基板であって、前記導電膜表面における1μm×1μmの領域を、原子間力顕微鏡で測定して得られるベアリングエリア(%)とベアリング深さ(nm)との関係において、前記導電膜表面が、(BA 70 −BA 30 )/(BD 70 −BD 30 )が15以上260以下(%/nm)の関係式を満たし、かつ最大高さ(Rmax)が1.3nm以上15nm以下であることを特徴とする導電膜付き基板である。 【選択図】図2
-
-
公开(公告)号：JP2018205350A
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：JP2017106853
申请日：2017-05-30
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 【課題】レジスト膜付きの反射型マスクブランクにおいて、基準マークの検出を容易かつ確実に行うことが可能であり、欠陥の座標管理を高精度で行うことができる反射型マスクブランクを提供する。 【解決手段】上記反射型マスクブランクは、基板上にEUV光を反射する多層反射膜及びEUV光を吸収する吸収体膜が形成され、吸収体膜の上には電子線描画用レジスト膜が形成されている。上記反射型マスクブランクには欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、上記レジスト膜は、基準マーク上の領域のレジスト膜が、基板外周部のレジスト膜を残して穴状に除去されたレジスト膜未形成領域を有する。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2018169617A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2018103326
申请日：2018-05-30
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/24
CPC classification number: G02B5/0816 , G02B1/14 , G02B5/003 , G02B5/0891 , G02B5/26 , G02B5/285 , G03F1/24 , G03F1/52 , G03F1/84 , G03F7/70216
Abstract: 【課題】高感度の欠陥検査装置を用いた欠陥検査において、基板又は膜の表面粗さに起因する疑似欠陥検出を抑制し、異物及び傷などの致命欠陥の発見を容易にすることが可能な多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】リソグラフィーに使用されるマスクブランク用基板10の主表面2上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜を有する多層反射膜付き基板10であって、前記多層反射膜付き基板10の表面は、3μm×3μmの領域を原子間力顕微鏡で測定して得られる空間周波数1μm −1 以上10μm −1 以下のパワースペクトル密度(PSD)の積分値Iが180×10 −3 nm 3 以下であり、且つ空間周波数1μm −1 以上10μm −1 以下のパワースペクトル密度(PSD)の最大値が50nm 4 以下であることを特徴とする多層反射膜付き基板10である。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP6357143B2
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2015501487
申请日：2014-02-20
Applicant: HOYA株式会社
CPC classification number: G03F1/84 , C23C14/35 , C23C14/46 , G03F1/24 , G03F1/38 , G06T7/0004 , G06T2207/30148 , G06T2207/30204
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.043 seconds)
