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公开(公告)号:FR2964278A1
公开(公告)日:2012-03-02
申请号:FR1056886
申请日:2010-08-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: MARINET FABRICE
IPC: H04L9/14 , G06F21/73 , G11C11/401
Abstract: L'invention concerne un procédé d'extraction d'une clé par une fonction non duplicable physiquement exploitant les états présentés par des cellules d'une mémoire volatile (13) suite à une mise sous tension de cette mémoire, dans lequel : des cellules sont lues en fonction d'adresses stockées en mémoire non volatile ; un code correcteur d'erreur (43) corrige les états lus ; et, en cas d'erreur corrigée, l'adresse de la cellule fournissant un état erroné est remplacée, en mémoire non volatile, par celle d'une autre cellule fournissant l'état non erroné
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公开(公告)号:FR2952256B1
公开(公告)日:2011-12-16
申请号:FR0957783
申请日:2009-11-04
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: LIARDET PIERRE-YVAN , MARINET FABRICE , TOURNEMILLE JEROME
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43.
公开(公告)号:FR2958098A1
公开(公告)日:2011-09-30
申请号:FR1001176
申请日:2010-03-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: MARINET FABRICE , LISART MATHIEU
IPC: H03K19/003 , H01L23/485
Abstract: L'invention concerne un procédé de contremesure dans un microcircuit électronique (IC1, IC2, IC3), comprenant des phases de traitement successives exécutées par un circuit du microcircuit, et une étape d'ajustement d'une tension d'alimentation (vdd-Vgb1) entre des bornes d'alimentation (VS1, VS2, VS3) et de masse (LG1, LG2, LG3) du circuit, en fonction d'une valeur aléatoire générée pour la phase de traitement, à chaque phase de traitement exécutée par le circuit.
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44.
公开(公告)号:FR2955189A1
公开(公告)日:2011-07-15
申请号:FR0957958
申请日:2009-11-12
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: MARINET FABRICE , LISART MATHIEU
IPC: G06F21/62 , G06F21/77 , G06K19/073
Abstract: Le composant comprend un première mémoire (MM) comportant une première partie (PI) possédant un contenu modifié avec une première entité de modification (K1) et une deuxième partie (P2) possédant un contenu modifié avec une deuxième entité (K2), un moyen de stockage (MS) configuré pour stocker la première entité (K1) de façon secrète, une mémoire non volatile (VNM) stockant une information d'entité représentative de la deuxième entité (K2) à un endroit (END) désigné par une première indication (INDK2) contenue dans ladite première partie de la première mémoire.
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公开(公告)号:AT515798T
公开(公告)日:2011-07-15
申请号:AT09167014
申请日:2009-07-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: FORNARA PASCAL , MARINET FABRICE
Abstract: The circuit (30) has a semiconductor material e.g. polycrystalline silicon, substrate (12) and pixels (Pix1, 1, Pix1, 2) constituting shinning or metallization level metallic portions. The shinning or metallization level metallic portion of one pixel is connected to the substrate. The shinning or metallization level metallic portion of the other pixel is separated from the substrate by an insulating partition (32). Capacitive coupling elements (CE1, 1, CE1, 2) e.g. metal oxide semiconductor transistor, connects the pixels to a selection element. An independent claim is also included for a method for storing an image in an integrated circuit.
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公开(公告)号:FR2951016A1
公开(公告)日:2011-04-08
申请号:FR0956920
申请日:2009-10-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: FORNARA PASCAL , MARINET FABRICE
IPC: H01L21/223 , G06K19/073 , H01L23/58
Abstract: L'invention concerne un procédé de protection contre des attaques laser d'une puce de circuit intégré (21) formée dans et sur un substrat semiconducteur (3) et comprenant dans la partie supérieure du substrat une partie active (5) dans laquelle sont formés des composants, ce procédé comportant les étapes suivantes : former dans le substrat une zone (23) de piégeage d'impuretés s'étendant sous la partie active (5), la limite supérieure de ladite zone étant à une profondeur comprise entre 5 et 50 µm de la face supérieure du substrat ; et introduire dans le substrat des impuretés métalliques diffusantes.
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47.
公开(公告)号:FR3099259A1
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:FR1908376
申请日:2019-07-24
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: FORNARA PASCAL , MARINET FABRICE
IPC: G06F21/70 , H01L27/115
Abstract: Le circuit intégré comprend : - une mémoire (MEM) comportant au moins un transistor d’état (TE) comprenant une grille flottante (FG), stockant une donnée respective ; - un dispositif de protection des données stockées dans la mémoire (DIS) comprenant, pour chaque transistor d’état (TE), au moins une structure capacitive (SC) comprenant un premier corps électriquement conducteur (CC1) couplé à la grille flottante (FG) du transistor d’état (TE), un corps diélectrique (IMD), et un deuxième corps électriquement conducteur (CC2) couplé à une borne de masse (GND). Le corps diélectrique (IMD) est configuré pour coupler électriquement la grille flottante (FG) et la borne de masse (GND) de façon à modifier la charge de la grille flottante (FG) et perdre la donnée correspondante si une solution aqueuse est mise en contact avec le corps diélectrique (IMD), et pour isoler électriquement la grille flottante (FG) et la borne de masse (GND) sinon. Figure pour l’abrégé : Fig 1A
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公开(公告)号:FR3094512A1
公开(公告)日:2020-10-02
申请号:FR1903343
申请日:2019-03-29
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET , PROTON WORLD INT NV
Inventor: PEETERS MICHAEL , MARINET FABRICE
IPC: G06F21/44
Abstract: Procédé d'authentification d'un processeur La présente description concerne un procédé (100) d'authentification d'un processeur (1000), comportant une unité arithmétique et logique (1060), comprenant les étapes suivantes : la réception, sur une première borne de l'unité arithmétique et logique (1060), d'au moins un opérande (OP1, ... OPN) décodé d'au moins une partie d'un code opératoire à exécuter (OPCODE) ; et la réception, sur une deuxième borne de l'unité arithmétique et logique (1060), d'une première instruction (INSTR-SIG) combinant une deuxième instruction (INSTR) décodée du code opératoire à exécuter (OPCODE) et au moins un code opératoire exécuté précédemment. Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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公开(公告)号:FR3059447A1
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:FR1661562
申请日:2016-11-28
Applicant: PROTON WORLD INT NV , ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: MODAVE JEAN-LOUIS , MARINET FABRICE , PEETERS MICHAEL
Abstract: L'invention concerne un procédé de protection d'au moins une fonction (3) d'un circuit intégré contre des attaques par canaux cachés, dans lequel une configuration de la fonction est modifiée, une configuration courante (CFG [i]) étant choisie parmi un ensemble de configurations et la durée d'application des différentes configurations changeant d'une configuration à l'autre.
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公开(公告)号:FR3000815A1
公开(公告)日:2014-07-11
申请号:FR1350104
申请日:2013-01-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor: FORT JIMMY , MARINET FABRICE
Abstract: L'invention concerne un procédé et un circuit de masquage de la signature en courant d'une fonction électronique (16), dans lequel une première source de courant (3) d'alimentation de cette fonction est commandée pour fournir un courant variant dynamiquement.
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