磁记录阵列
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113614920A

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN202080007489.9

    申请日:2020-03-05

    Inventor: 佐佐木智生

    Abstract: 本实施方式的磁记录阵列(200)具备多个自旋元件(100)和与相邻的第一自旋元件和第二自旋元件连接的共用晶体管(STr),所述多个自旋元件分别具有配线(20)和层叠于所述配线的包含第一铁磁性层(1)的层叠体(10),所述共用晶体管具有第一栅极(G1)、第二栅极(G2)、第一区域(A1)、第二区域(A2)和第三区域(A3),在从所述层叠体的层叠方向俯视时,所述第一区域被所述第一栅极和所述第二栅极夹着,所述第二区域和所述第一区域夹着所述第一栅极,所述第三区域和所述第一区域夹着所述第二栅极,所述第二区域和第三区域中的一者与所述第一自旋元件连接,另一者与所述第二自旋元件连接。

    磁存储器
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113314169A

    公开(公告)日:2021-08-27

    申请号:CN202110489722.8

    申请日:2017-10-25

    Abstract: 本发明目的在于,提供一种能够降低反转电流且能够提高集成度的磁存储器,具备:多个磁阻效应元件,其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层,并保持信息;多个第一控制元件,其控制信息的读入,在多个第一铁磁性金属层每一层连接有一个;多个自旋轨道转矩配线,其沿相对于磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸,在第二铁磁性金属层的每一层接合一个;多个第二控制元件,其控制流经自旋轨道转矩配线的电流,在自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接一个;第三控制元件,其分别连接于多个自旋轨道转矩配线的第二连接点,控制信息的写入。

    自旋轨道转矩型磁化反转元件和磁存储器

    公开(公告)号:CN111052398A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201880052140.X

    申请日:2018-08-31

    Abstract: 本实施方式涉及的自旋轨道转矩型磁化反转元件具有:铁磁性金属层,其磁化方向发生变化;自旋轨道转矩配线,其沿与上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸,并与上述铁磁性金属层接合;和两个通孔配线,其从上述自旋轨道转矩配线的与上述铁磁性金属层相反侧的表面沿交叉的方向延伸,并与半导体电路连接,上述两个通孔配线的上述第一方向的通孔间距离比上述铁磁性金属层的上述第一方向的宽度短。

    自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器

    公开(公告)号:CN110914974A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201980003599.5

    申请日:2019-01-09

    Abstract: 本发明的自旋轨道转矩型磁化旋转元件(10)具备:沿第一方向(X)延伸的自旋轨道转矩配线(2);在与所述自旋轨道转矩配线交叉的第二方向(Z)上层叠的第一铁磁性层(1);以及在从所述第二方向的俯视中,在所述第一方向上夹持所述第一铁磁性层的位置处连接于所述自旋轨道转矩配线的第一非磁性金属层(3)和第二非磁性金属层(4),所述第一铁磁性层的重心(G),在所述第一方向上,位于从作为所述第一非磁性金属层和所述第二非磁性金属层之间的中心的基准点(S)偏向所述第一非磁性金属层或所述第二非磁性金属层的任意一侧。

    磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列

    公开(公告)号:CN110797059A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201910593777.6

    申请日:2019-07-03

    Abstract: 本发明提供一种磁壁移动型磁记录元件,其具备:在第一方向上层叠的第一磁化固定部、在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸且包含磁壁的磁记录层、夹持于所述第一磁化固定部和所述磁记录层之间的非磁性层、和与所述磁记录层电连接的第一通孔部,从所述第一方向俯视,所述第一通孔部的至少一部分位于在所述第二方向上从所述第一磁化固定部离开的位置,从所述第一方向俯视,所述磁记录层具有包含与所述第一磁化固定部重叠的位置的第一部分,在与所述第二方向正交的第三方向上,所述第一通孔部的宽度比所述磁记录层的第一部分的所述位置的宽度宽。

    磁阻效应元件
    47.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110660907A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201910561313.7

    申请日:2019-06-26

    Abstract: 一种磁阻效应元件,其具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、和夹持于上述第一铁磁性层及上述第二铁磁性层之间的隧道势垒层,上述隧道势垒层是分别含有一层以上的具有尖晶石结构的第一氧化物层和具有组成与上述第一氧化物层不同的尖晶石结构的第二氧化物层的层叠体。

    自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件

    公开(公告)号:CN109994598A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201811562322.X

    申请日:2018-12-20

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件,其在不增加在自旋轨道转矩配线层流通的电流且不施加外部磁场的情况下能够产生磁化旋转。该自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备沿X方向延伸的自旋轨道转矩配线层和层叠于自旋轨道转矩配线层的第一铁磁性层,第一铁磁性层具有形状各向异性且在X方向具有长轴,在自旋轨道转矩配线层延伸的平面上,第一铁磁性层的易磁化轴相对于X方向以及与X方向正交的Y方向倾斜。

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