公开(公告)号：JP2005500519A

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：JP2003507054

申请日：2002-06-20

Applicant: インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

Inventor： イェンクナー，マーティン ,  デアティンガー，シュテファン ,  パウルス，クリスチャン ,  ハネダー，トーマス ,  クリスチャン ハンケ，ハンス ,  フックス，カリン ,  フリッツ，ミヒャエラ ,  レーマン，フォルカー

IPC: G01N37/00 ,  B01J19/00 ,  B01L3/02 ,  B81B1/00 ,  G01N35/10

CPC classification number: B81C1/00087 ,  B01L3/0241 ,  B81B2201/057

Abstract: 本発明は、特に、小胞をパッチクランプする、および／または、一定量の流体を表面に少量ずつ分配するための装置に関するものである。 上記装置では、基板（２）に、少なくとも１つのピペットが、所定の直径を有する貫通孔（８）の形状で形成されており、貫通孔（８）の縁（１６）は、基板（２）の隣接する表面（４）から所定の長さだけ突出している。 本発明は、さらに、以下の工程を含む装置の製造方法に関するものである。 その工程とは、少なくとも１つの穴（８）を生成する工程と、穴（８）の少なくとも内部表面に少なくとも１つの補正された表面層（１２）を形成する工程と、基板（２）を選択的に除去する工程である。 このとき、変化した表面層（１２）は基本的には影響を受けない。 その結果、変化した表面層（１２）は、基板の表面（４）から突出し、突出した縁（１６）を形成する。 適切な処理工程において穴（８）を貫通孔に仕上げる。

公开(公告)号：TW200500290A

公开(公告)日：2005-01-01

申请号：TW093103049

申请日：2004-02-10

Applicant: 雷佛公司 REVEO, INC.

Inventor： 斐利斯 薩吉M. FARIS, SADEG M.

IPC: B81B ,  G01N

CPC classification number: B81C1/00119 ,  B01L3/0262 ,  B01L3/0268 ,  B01L2200/12 ,  B01L2300/0896 ,  B81B2201/057 ,  B81C2201/019 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  C12Q1/6874 ,  G01N33/48721 ,  C12Q2565/631 ,  C12Q2565/607

Abstract: 本發明係提供一種噴嘴結構，包含一單塊式本體，其具有一噴嘴陣列，該等噴嘴具有開口，而開口之截面高度為約100奈米或以下。該等噴嘴係與一井結構相連。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种喷嘴结构，包含一单块式本体，其具有一喷嘴数组，该等喷嘴具有开口，而开口之截面高度为约100奈米或以下。该等喷嘴系与一井结构相连。