光调制器以及曝光头
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104423117A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201410452775.2

    申请日:2014-09-05

    Abstract: 本发明提供一种能够确保利用光电晶体基板的光调制中的消光比的技术。设置有分别具有第一周期极化反转结构和第二周期极化反转结构的第一光电晶体基板及第二光电晶体基板。光通过第一周期极化反转结构之后在通过第二周期极化反转结构。第一周期极化反转结构是通过以第一周期沿与行进方向垂直或倾斜的第一排列方向排列受到电场的作用而产生的极化方向彼此相反的第一极化对而成的。第二周期极化反转结构是通过以第二周期沿与行进方向垂直的或倾斜的第二排列方向排列受到电场的作用而产生的极化方向彼此相反的第二极化对而成的。至少满足第一周期和第二周期彼此不同这样的第一条件和第一排列方向和第二排列方向彼此不同这样的第二条件中的一个条件。

    脉冲宽度变换装置和光放大系统

    公开(公告)号:CN102484348B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201080038096.0

    申请日:2010-07-08

    Abstract: 以一定的入射角输入至透过型衍射光栅(20)的输入光脉冲(Pi),按照各个波长进行分光而以对应于该波长的出射角被输出,由反射镜(41、42、43)顺次反射后,以对应于波长的入射角输入至透过型衍射光栅(20),从透过型衍射光栅(20)以一定的出射角输出。从透过型衍射光栅(20)以一定的出射角输出的各波长成分的光,通过直角棱镜(40)而使光路折返,以一定的入射角输入至透过型衍射光栅(20)而以对应于波长的出射角输出,被反射镜(43、42、41)顺次反射后,以对应于波长的入射角输入至透过型衍射光栅(20)。以对应于波长的入射角输入至透过型衍射光栅(20)的光,通过透过型衍射光栅(20)进行合波作为输出光脉冲(Po)输出。由此,实现了小型化容易的脉冲宽度变换装置和光放大系统。

    在衬底上制造液晶偏振光栅的方法和相关装置

    公开(公告)号:CN101681064B

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN200880012188.4

    申请日:2008-04-16

    Abstract: 一种制造可转换的液晶偏振光栅的方法包括在反射衬底的表面上创建退化平面锚定条件。对准层可以形成在透射衬底上并且可以被图案化以在其中创建周期性对准条件。在其上包括所述图案化对准层的所述透射衬底可以邻近在其上包括所述退化平面锚定条件的所述反射衬底的所述表面被组装以在其间限定间隙。液晶层形成在包括所述退化平面锚定条件的所述反射衬底的所述表面上。可以直接在所述对准层上在所述间隙中形成所述液晶层使得所述液晶层的分子根据所述对准层中的所述周期性对准条件被对准,相关制造方法和偏振光栅也被讨论。

    脉冲宽度变换装置和光放大系统

    公开(公告)号:CN102484348A

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN201080038096.0

    申请日:2010-07-08

    Abstract: 以一定的入射角输入至透过型衍射光栅(20)的输入光脉冲(Pi),按照各个波长进行分光而以对应于该波长的出射角被输出,由反射镜(41、42、43)顺次反射后,以对应于波长的入射角输入至透过型衍射光栅(20),从透过型衍射光栅(20)以一定的出射角输出。从透过型衍射光栅(20)以一定的出射角输出的各波长成分的光,通过直角棱镜(40)而使光路折返,以一定的入射角输入至透过型衍射光栅(20)而以对应于波长的出射角输出,被反射镜(43、42、41)顺次反射后,以对应于波长的入射角输入至透过型衍射光栅(20)。以对应于波长的入射角输入至透过型衍射光栅(20)的光,通过透过型衍射光栅(20)进行合波作为输出光脉冲(Po)输出。由此,实现了小型化容易的脉冲宽度变换装置和光放大系统。

    提高开口率的储存电容及其制作方法

    公开(公告)号:CN101710586A

    公开(公告)日:2010-05-19

    申请号:CN200910036561.6

    申请日:2009-01-09

    Inventor: 陈秋权

    Abstract: 本发明提供一种提高开口率的储存电容及其制作方法,首先提供一基板,其上设有一金属层,金属层上依序覆盖有第一介电层与第二介电层,接着于第二介电层上形成一等厚度的光阻层,再来对位于金属层正上方的光阻层依序进行曝光及显影,使其厚度小于原来的厚度,之后利用蚀刻法将光阻层与部分第二介电层去除,使位于金属层正上方的第二介电层小于原来厚度,且其蚀刻深度大于第二介电层的其余区域的蚀刻深度,最后于第二介电层上形成一电极层即完成制作。本发明可在维持足够的电容能力下,降低电极层的面积,进而提高面板画素之开口率。

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