公开(公告)号：CN105938419A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201510901302.0

申请日：2015-12-09

Applicant: 慧荣科技股份有限公司

Inventor： 陈冠霖 ,  郭武吉

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F3/0688 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/064 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/08 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7208 ,  G06F2212/7211 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0617 ,  G06F3/0644 ,  G06F3/0658

Abstract: 本发明提供一种数据储存装置及其数据维护方法，该装置包括一快闪存储器、一次数控制阵列以及一控制器。快闪存储器包括多个芯片，每一芯片中的每一页面以一既定排列顺序构成多个超级区块。次数控制阵列中的多个栏相应于芯片。控制器在读取芯片中的一第一芯片时，读取相应于第一芯片的一第一栏的值。当第一栏的值为一第一数值时，保持第一栏的值，并且将一第二数值写入第一栏以外次数控制阵列中的所有栏。当第一栏的值为第二数值时，将第一数值写入第一栏，并且保持第一栏以外次数控制阵列中的所有栏的数值。

公开(公告)号：CN103635968B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280032634.4

申请日：2012-05-24

Applicant: 美光科技公司

Inventor： A·肯特·波特菲尔德

IPC: G11C7/10 ,  G11C16/06 ,  G06F12/00

CPC classification number: G11C16/3495 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1024 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7205 ,  G06F2212/7211 ,  Y02D10/13

Abstract: 存储器控制器可包含开关和耦合到所述开关的包含通道控制电路的非易失性存储器控制电路。所述通道控制电路可耦合到包含块的逻辑单元。易失性存储器和包含本地存储器的存储器管理电路可耦合到所述开关。所述存储器管理电路可经配置以存储所述易失性存储器中的块表中的所述块中每一者的健康和状态信息，存储基于所述本地存储器中的准则而识别用于特定操作的候选块的候选块表，更新所述块表中的特定块的所述健康和状态信息，根据所述准则比较所述特定块的所述经更新健康和状态信息与所述候选块，以及响应于所述比较指示所述特定块较好地满足了所述准则而更新所述候选块表以识别所述特定块。

公开(公告)号：CN105843748A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201510021433.X

申请日：2015-01-15

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 刘铎 ,  邵子立 ,  龙林波

IPC: G06F12/02 ,  G06F3/06

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F12/02 ,  G06F12/023 ,  G06F12/0253 ,  G06F12/122 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/251 ,  G06F2212/7208

Abstract: 本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种对内存中内存页的处理方法及装置，用以获得较高的访问性能和较大的存储容量。本发明提供的对内存中内存页的处理方法中，内存中的内存页包括空闲的单层单元SLC内存页、活跃的SLC内存页、不活跃的SLC内存页和多层单元MLC内存页；该处理方法包括：当确定任一虚拟机VM的空闲单层单元SLC内存页数目小于设定阈值时，将1个空闲的SLC内存页转换为2个MLC内存页；将2个不活跃的SLC内存页中的数据复制到转换后的所述2个MLC内存页中；释放所述2个不活跃的SLC内存页中的存储空间，得到2个空闲的SLC内存页。

公开(公告)号：CN105573663A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510710775.2

申请日：2015-10-28

Applicant: 发那科株式会社

Inventor： 小泉彰

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F3/0679 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/064 ,  G06F11/34 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7204

Abstract: 本发明提供处理器执行多个任务的数据保存系统，上述处理器在基于上述任务的请求向记录媒体写入数据时，基于数据关联信息生成写入状况信息，对上述数据关联信息与上述写入状况信息建立关联并保存于非易失性存储器，基于保存于非易失性存储器的上述数据关联信息以及上述写入状况信息，控制向上述记录媒体的写入。

公开(公告)号：CN104798055A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380060156.2

申请日：2013-08-20

Applicant: 学校法人中央大学

Inventor： 孙超 ,  宫地幸祐 ,  竹内健

IPC: G06F12/16 ,  G06F12/06

CPC classification number: G06F3/0611 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0238 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  Y02D10/13

Abstract: 为了以更高的速度写入数据并且抑制非易失性存储器的劣化，在页利用率R小于阈值Rth1的情况下和在写入数据是高频率重写数据的情况下将写入数据存储至ReRAM中。此外，在ReRAM的空闲空间Semp2小于阈值Sth的情况下(步骤S110)，如果ReRAM数据是低频率重写数据并且在将对象数据存储至闪速存储器(22)中的情况下的页利用率R大于或等于阈值Rth3(步骤S120、S130)，从ReRAM读出转移列表中所存储的N个逻辑页地址中所包含的逻辑扇区中的数据，并写入闪速存储器(步骤S140-S160)。通过这种方式，能够以更高的速度写入数据并且抑制非易失性存储器的劣化。

公开(公告)号：CN104571939A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410052122.5

申请日：2014-02-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 柿木格 ,  青木正寿 ,  日高文利 ,  中尾香织 ,  横山智树

IPC: G06F3/06 ,  G06F12/08

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F12/0871 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/222 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7207

Abstract: 本发明能极力防止非易失性存储介质的实际存储容量的下降。根据实施方式，存储装置具备：非易失性的第一存储介质；非易失性的第二存储介质；高速缓存控制器；和主控制器。与所述第一存储介质相比，所述第二存储介质的访问速度低且所述第二存储介质的存储容量大。所述主控制器基于来自主机装置的访问请求来控制所述高速缓存控制器，且对所述第二存储介质进行访问。所述高速缓存控制器将应储存于所述第一存储介质的数据基于对所述第一存储介质访问的结果来在检测到存储性能劣化的至少两个区域多重写入。

公开(公告)号：CN102047341B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN200980107044.1

申请日：2009-02-24

Applicant: 马维尔国际贸易有限公司

Inventor： 潘塔斯·苏塔迪嘉

IPC: G11C16/34

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7208 ,  G06F2212/7211 ,  G11C16/349 ,  G11C16/3495

Abstract: 一种固态存储系统，其包括具有第一写循环寿命和第一组物理地址的第一非易失性半导体存储器和具有第二写循环寿命和第二组物理地址的第二非易失性半导体存储器。第一写循环寿命大于第二写循环寿命。该系统进一步包括产生多个逻辑地址的写频率等级的疲劳管理模块。该疲劳管理模块基于写频率等级将多个逻辑地址中的每一个映射至第一组物理地址或第二组物理地址中的物理地址。

公开(公告)号：CN103842974A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280040808.1

申请日：2012-06-22

Applicant: 星芯公司

Inventor： S·沙布约 ,  Y·富塞拉 ,  S·里卡尔

IPC: G06F12/02 ,  G11C16/34

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7204 ,  G06F2212/7209 ,  G06F2212/7211 ,  G11C16/10 ,  G11C16/349

Abstract: 本发明涉及一种用于管理数据存储系统的耐久性的方法，该数据存储系统配置有具有保证原始耐久性能力（G）的扇区集合，所述方法包括由以下构成的步骤：将所述数据存储系统分成多个工作扇区以及分成多个能够形成耐久性蓄积库的替换扇区，某些工作扇区意在当所述工作扇区在特定数目编程和/或擦除周期之后耗尽时，由替换扇区进行替换；定义地址管理区域，使得可以搜索被分配给耗尽工作扇区的替换扇区的位置；逐个扇区地确定当前工作扇区是否在物理上是耗尽的，并且仅当所述当前工作扇区声明在物理上耗尽时，才执行由替换扇区替换该工作扇区的步骤。该管理耐久性的方法的具体特征在于，为了测量扇区的耗费度，执行相对于严格的读取标准（边缘Vref）的扇区的存储点的擦除质量的自动读取，即是说该标准比正常标准（正常Vref）更严格。

公开(公告)号：CN103034562A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210244205.5

申请日：2012-07-13

Applicant: LSI公司

Inventor： 维奈·阿肖克·苏曼纳切 ,  迈克尔·S·希肯 ,  帕米拉·S·亨普斯特德 ,  蒂莫西·W·斯瓦托什 ,  杰克逊·L·埃利斯 ,  马丁·S·德尔

IPC: G06F11/14 ,  G06F12/02

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/1024 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7207

Abstract: 本发明公开了闪存介质控制器中的元数据处理，其中，处理存储在闪存介质控制器中的闪存存储器的页中的元数据的方法总体上包括（ⅰ）在每个上下文的基础上定义元数据，其中，上下文基于每个页来定义，（ii）当元数据的大小小于等于预定阈值时，将完整的元数据存储在上下文结构中，以及（iii）当元数据的大小大于预定阈值时，定义上下文中的元数据指针。

公开(公告)号：CN102955743A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110244764.1

申请日：2011-08-25

Applicant: 建兴电子科技股份有限公司

Inventor： 李世强 ,  陈凌风

IPC: G06F12/06

CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/7211 ,  G11C16/349

Abstract: 本发明为一种固态储存装置及其损耗平均控制方法。此损耗平均控制方法，包括下列步骤：于一闪存中，决定具有一第一抹除次数的一第一区块，其中，该第一区块中储存一第一数据且该第一数据对应一第一历史指引数目；于该闪存中，决定具有一第二抹除次数的一第二区块，其中，该第二区块中储存一第二数据且该第二数据对应一第二历史指引数目；以及，当该第一抹除次数大于该第二抹除次数并且该第一历史指引数目大于该第二历史指引数目时，将该第一区块中的该第一数据与该第二区块中的该第二数据进行数据交换操作。