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公开(公告)号：CN101465518A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810183988.4
申请日：2008-12-19
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/02212 , H01S5/0222 , H01S5/02224 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/2201 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供减小在谐振器端面上形成的氮化物电介质膜的应力，并减少在形成氮化物电介质膜时产生的对谐振器端面的损伤的、可靠性高的氮化物半导体激光器的制造方法。本发明的氮化物半导体激光器的制造方法，是采用氮化物III－V族半导体的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于包括：(a)利用由氮气组成的等离子体，在光出射侧谐振器端面(20)和光反射侧谐振器端面(23)上形成由氮化物电介质构成的密着层(21、24)的工序；以及(b)在密着层(21、24)上形成由电介质构成的低反射端面镀膜(22)和高反射端面镀膜(25)的工序。
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公开(公告)号：CN100454597C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580013357.2
申请日：2005-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/0075 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3216 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n-GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1：x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1：x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。
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公开(公告)号：CN101192740A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710140804.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/3211 , H01S5/4031 , H01S5/4087
Abstract: 即使形成在取向误差角7°以上的GaAs衬底上，也可得到偏振角接近于0、偏振度大的脊形构造的半导体激光器。本发明的半导体激光器，在具有依次形成在取向误差角7°以上的GaAs衬底上的下包层、活性层、上包层的脊形构造的半导体激光器中，活性层由AlGaAs构成，下包层及上包层由P的组成比大于0、小于或等于0.04的AlGaAsP构成。
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公开(公告)号：CN101164208A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680009396.X
申请日：2006-01-23
Applicant: 昆特森斯光电技术公司
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/42 , H01S5/005 , H01S5/0207 , H01S5/02292 , H01S5/024 , H01S5/026 , H01S5/1085 , H01S5/12 , H01S5/1203 , H01S5/18 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 单个半导体管芯上的半导体激光器阵列。所述管芯包括多个光学耦合到反射表面的激光器条。所述激光器条产生多个激光束，所述激光束在基本平行于所述管芯的上表面的方向上传播。所述反射表面使所述激光束改道以在基本垂直于上表面的方向上发射。备选地，所述反射表面可以使所述激光束改道以从管芯的底表面发射。所述反射表面可以通过蚀刻邻近取向的III－V族半导体管芯使得所述反射表面沿着所述管芯的(111)A晶面延伸而形成。
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公开(公告)号：CN1286228C
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN03801328.2
申请日：2003-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/18
Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型InP基板(1)；以及条纹结构(10)，条纹结构(10)包含在该n型InP基板(1)上条纹状形成的n型InP下部覆盖层、相对于所述n型InP基板(1)而具有平行方向的谐振器的有源层、和p型InP上部覆盖层(5)。这种条纹结构(10)有凹部(9)排列为矩形点阵状的光子晶体结构(2)，光子晶体结构(2)的凹部(9)的排列方向和谐振器方向相同。此外，在谐振器方向上延长的条纹状的上部电极(6)形成在条纹结构(10)上。这样构成的本发明的半导体发光元件相对n型InP基板(1)在垂直的方向上发光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1797877A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510138158.6
申请日：2005-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , G11B7/124 , G11B7/127 , H01S5/028 , H01S5/0655 , H01S5/1003 , H01S5/105 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 本发明的半导体激光装置(1)，在基板(10)上具有活性层(13)和夹持上述活性层(13)的2个包覆层(12、14)，在光路上的端面之间形成的波导区域，包含至少分支为2条以上的波导分支区域(20)，上述波导分支区域(20)形成在具有光子带隙的光子结晶中。
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公开(公告)号：CN1707891A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510076167.7
申请日：2005-06-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 神川刚
IPC: H01S5/343 , H01S5/323 , H01S5/22 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0206 , H01S5/0207 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 提供了一种用于制造半导体元件的方法和利用该方法制造的半导体元件，该方法包括：第一步骤，在具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层的衬底上，形成至少包括一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分，由此生成已处理衬底；以及第二步骤，布设一氮化物半导体分层结构部分，该部分至少包括在刻槽区域中和脊部分表面上的一种类型的氮化物半导体薄膜。在第二步骤中，使设置在接近刻槽区域的脊部分的区域上的氮化物半导体分层结构的厚度大于设置在半导体元件生成区上的氮化物半导体分层结构部分的厚度，由此在接近刻槽区域的脊部分的区域上形成第一伪脊部分。
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公开(公告)号：CN1604414A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410083363.2
申请日：2004-09-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 辰巳正毅
CPC classification number: G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/0425 , H01S5/2201 , H01S5/2205 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开一种包括多个激光振荡部的单片多波长激光元件及其制造方法，所述单片多波长激光元件包括：衬底(101)，带有脊状部分的第一波长激光振荡部(102)，和带有脊状部分的第二波长激光振荡部(103)，并且第一波长激光振荡部(102)和第二波长激光振荡部(103)均包括：由覆盖脊状部分的侧面并延伸到与脊状部分的底面相连的平面的至少一部分区域的半导体薄膜构成的电流阻止层(131)；和覆盖在电流阻止层(131)上的绝缘层(132)，其由具有比电流阻止层(131)低的折射率的材料制成的绝缘性电介质薄膜构成。
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公开(公告)号：CN1159750C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN98800457.7
申请日：1998-04-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C23C16/042 , C23C16/303 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少，可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工程：在由具有主面、且含有由与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上，形成具备使该支持体的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第一选择生长掩模的工序，和用气态3族元素源及气态氮元素源，从窗口露了出来的支持体的表面开始生长氯化物半导体直到相邻的窗口生成的氯化物半导体晶体在选择生长掩模的上表面合为一体为止的工序。
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公开(公告)号：CN1223009A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98800457.7
申请日：1998-04-09
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C23C16/34
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C23C16/042 , C23C16/303 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01S5/0213 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种晶体缺陷非常之少,可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工程:在由具有主面、且含有由与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上,形成具备使该支持体的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第一选择生长掩模的工序,和用气态3族元素源及气态氮元素源,从窗口露了出来的支持体的表面开始生长氯化物半导体直到相邻的窗口生成的氯化物半导体晶体在选择生长掩模的上表面合为一体为止的工序。
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