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公开(公告)号：CN117282966A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311210038.7
申请日：2023-09-19
Applicant: 中国石油化工股份有限公司 , 中石化石油机械股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种金刚石复合片外合成模结构，所述外合成模结构设置于金刚石层和硬质合金基体层外，所述外合成模结构包括两层均压材料层，其中，均压材料A层设置于靠近金刚石层的一端，均压材料B层设置于靠近硬质合金基体层的一端，均压材料A层采用的均匀材料的热导率大于均压材料B层采用的均匀材料的热导率。本发明的金刚石复合片外合成模结构使得金刚石层和硬质合金基体层在高温烧结过程中，有效减少金刚石往基体渗碳导致基体界面“游离碳”现象，提高复合片抗冲击性；同时有利于金刚石晶粒表面的预石墨化和钴的充分迁移，有利于金刚石的形核生长和致密成键，从而提高复合片的综合性能，特别是抗冲击性能。
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公开(公告)号：CN108745204B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810899617.X
申请日：2018-08-09
Applicant: 吉林师范大学
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明公开了一种可实现光学测试的聚晶金刚石压砧及其制备方法，属于超硬材料的合成与制备技术领域。可实现光学测试的聚晶金刚石压砧分为两层，一层为中心有锥形通孔的硬质合金层，另一层为聚晶金刚石层中心嵌入了单晶金刚石的复合金刚石层。所述聚晶金刚石中心嵌入了单晶金刚石的复合金刚石层通过高温高压烧结的方法与硬质合金基体层紧密熔融结合在一起，使得中间单晶金刚石部分可以透光，从而可作为光学窗口，实现了对样品进行光学测试与压力测定。本发明在解决了传统聚晶金刚石顶砧作为高压压砧时不能进行光学测量的弊端，能够利用中心的可透光的单晶金刚石作为光学窗口，并提高压砧中心范围的强度，提高压砧的使用寿命，获得更高的压力范围。
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公开(公告)号：CN114011338B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111319815.2
申请日：2021-11-09
Applicant: 焦作天宝桓祥机械科技有限公司
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明公开了一种顶压机用顶锤辅助安装底座，包括两个支撑架和稳定连接钢板，两个支撑架的顶部通过稳定连接钢板固定连接，两个支撑架之间滑动连接有滑动位移顶撑板。该顶压机用顶锤辅助安装底座，通过将其两个实心钢管分别插入两个支撑架对应高度的孔洞内，对其受力座板的底部提供稳定支撑，并通过将其摆臂紧固件摆动至咬合块的卡槽内，利用按压杆的螺纹推进原理，通过抵撑按板将其摆臂紧固件的牢牢的按压在咬合块的卡槽内，使其实心钢管稳稳的被固定，然后再通过受力座板上的两个螺纹紧固杆的螺纹紧固原理，带动按压稳固紧板同步向外侧施压，使其前后两个受力座板在支撑架定位的稳定性更高，继而保证辅助撞击底板的受压稳定性更好。
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公开(公告)号：CN113813878B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111175678.X
申请日：2021-10-09
Applicant: 安徽宏晶新材料股份有限公司
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明公开了一种双加热层金刚石合成装置，包括包括叶腊石块、所述叶腊石块中心设有圆柱状的合成腔体，所述合成腔体内设有设有保温层和位于所述保温层内侧的保温加热组件，所述保温加热组件内侧设有与所述外加热环紧密贴合的均热管，所述均热管内侧与内加热环紧密接触，所述内加热环内侧设有隔离组件并与所述隔离组件紧密接触，所述述隔离组件紧密包围在石墨柱外侧，所述合成腔体还设有一对导电结构，所述导电结构压在所述内加热环和所述保温加热组件端部。本发明既能保证高温高压区域压力均衡，又能避免隔离层和保温层膨胀变形带来的各区域降温速率差异导致的温度压力变化不均匀。
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公开(公告)号：CN116765859A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202311081894.7
申请日：2023-08-26
Applicant: 山西宝航重工有限公司
Abstract: 本申请涉及一种六面顶压机铰链梁加工用自动变位装置，属于铰链梁加工装置的领域，其包括驱动电机，所述驱动电机的输出轴连接有减速机，所述减速机的一侧连接有支撑轴，所述支撑轴上设有用于固定铰链梁位置的卡接组件，所述铰链梁远离所述驱动电机的一侧还设有用于固定铰链梁位置的固定机构，所述固定机构包括用于驱动所述固定机构的驱动轴，所述驱动轴通过锥齿轮与所述支撑轴连接。本申请具有便于在加工过程中对铰链梁进行翻转的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115041100B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210868146.2
申请日：2022-07-22
Applicant: 中南钻石有限公司
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明公开了一种多层渗透式结构大颗粒单晶培育钻石合成块及其制备工艺，通过设置包括柱状中空的叶腊石块，且叶腊石块的两端部沿径向由外至内依次分布有叶腊石环和白云石环，而白云石环心部还装有导电钢圈，采用多层渗透式结构合成块，替代传统的片状结构，优化改善了高温高压大颗粒单晶合成生长后期表层净度差的问题，实现大颗粒单晶培育钻石生长速度可控制备，且单晶晶型为完整标准的八面体｛111｝与立方体｛100｝的聚形，内部净度可达vs级以上，颜色可达优白级，能够稳定合成，完全满足工业化投产条件。
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公开(公告)号：CN114130306B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111429267.9
申请日：2021-11-29
Applicant: 福沃莱德(辽宁省)高新科技股份公司
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明公开了一种消除金刚石毛刺的方法，先将金刚石合成块缓慢加热到800℃‑1000℃，加热速率为5℃/min‑200℃/min；随后将金刚石合成块在800℃‑1000℃保持2min‑200min；再将金刚石合成块继续加热至1250℃‑1500℃的金刚石合成温度，加热速率为10℃/min‑500℃/min；再将金刚石合成块在金刚石合成温度下保持60min‑22000min；合成周期结束后，最后将金刚石合成块从金刚石合成温度缓慢降至100℃‑200℃，降温速率为2℃/min‑20℃/min。本发明在金刚石合成周期结束时设置一个较长时间的慢降温工艺使得合成腔体的温度从1200℃‑1500℃缓慢冷却到100℃‑200℃，并保证安全的卸载高压，且可以完全消除金刚石毛刺现象。
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公开(公告)号：CN115198358B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210747489.3
申请日：2022-06-29
Applicant: 中南钻石有限公司
Abstract: 本发明属于大尺寸单晶金刚石制造工艺技术领域，具体涉及一种大尺寸HPHT金刚石单晶片同质外延生长方法。本发明的方法以大尺寸HPHT单晶片作为晶种，采用CVD法同质外延生长，通过控制生长初期的等离子刻蚀条件和CH4的添加方式，并合理设置CH4的添加浓度和保持时间，大幅度降低了HPHT单晶片表面因缺陷密度高易形成多晶杂质的概率，实现生长表面状态的顺利过渡，保证了结晶质量和生长时间。该方法直接解决大尺寸HPHT单晶片生长难度大的难题，而且经激光切割和抛光处理后，原HPHT单晶片和分离的CVD单晶片均可用于再次生长，重复利用率高，也证明了制备的CVD单晶片质量良好稳定，具有较高的发展前景和应用价值。
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公开(公告)号：CN116550232A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310673067.0
申请日：2023-06-08
Applicant: 贺州市平桂区智晶钟表珠宝有限公司
IPC: B01J3/06
Abstract: 本发明提供了一种叶蜡石块压制成型装置，包括箱体，箱体的上表面设置有进行压制的限位组件，限位组件包括压制仓、压制板、主弹簧、副弹簧、驱动板、传动条、驱动齿轮和定位板，压制仓的内侧连接有压制板，压制完成后的叶蜡石块不再对压制仓保持施压，转换为对定位板施压，由于副弹簧的外径小于主弹簧的外径，使得副弹簧的弹性系数大于主弹簧，定位板受压力向下移动继续挤压副弹簧，在此过程中，压制仓所受压力消失后，压制仓不再对主弹簧的施压，主弹簧通过本身弹性推动压制仓向上移动，此时压制成型后的叶蜡石块通过压制仓底部通孔进行限位，进而达到完成叶腊石自检。
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公开(公告)号：CN116372511A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310285311.6
申请日：2023-03-22
Applicant: 河南立方格新材料科技有限公司 , 登封市蓝天石化光伏电力装备有限公司
Abstract: 本发明涉及一种铰链梁体，包括梁耳组件和梁缸体，梁耳组件由高强调质钢板制成，梁缸体包括梁筒体和缸底承载体，梁筒体由调质高强钢管制作，和由高强调质钢板制作的缸底承载体焊接成梁缸体，梁耳组件和梁缸体焊接构成铰链梁体。该铰链梁体钢板板材利用率高，加工简单，重量低，加工周期短，造价低。在该铰接梁体上装配超高压油路接头体、活塞、前缸盖、密封件等构成铰链梁油缸，并由六只铰链梁油缸构成六面顶压机。
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