公开(公告)号：CN1707849A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510076169.6

申请日：2005-06-08

Applicant: 汤姆森特许公司

Inventor： 多米尼克·洛心唐 ,  查林·古冈 ,  佛朗科伊斯·巴伦 ,  让-伊薇斯·勒纳奥

IPC: H01P1/201

CPC classification number: H01P1/2016

Abstract: 本发明涉及一种FINLINE型微波带通滤波器，其包括波导203和电连接到波导内表面的导性插入205，所述波导配备有放置在波导的E平面中的绝缘基体204，所述波导内表面支持基底并且通过它们在基底上的尺寸和位置来确定Chebyshev型滤波器响应曲线。该滤波器在垂直于基底的短路中最少包括一个腔207，该腔的位置和尺寸确定滤波器响应曲线上的传输零，以衰减位于这个零附近的频率。

公开(公告)号：CN1697249A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200510040334.2

申请日：2005-06-01

Applicant: 东南大学

Inventor： 洪伟 ,  郝张成 ,  陈继新 ,  吴柯

IPC: H01P1/201 ,  H01P3/16

Abstract: 本发明公开了一种基片集成波导——共面波导带通滤波器，由基片集成波导和共面波导周期结构组成，在基片集成波导上设有输入端和输出端，基片集成波导包括介质基片，在介质基片的上、下表面上分别设有金属贴片，在介质基片上至少还设有2行金属化通孔，上、下表面上的金属贴片由金属化通孔连接，共面波导周期结构至少包括1个底面为金属贴片的同平面紧凑型共面波导单元，且该同平面紧凑型共面波导单元位于基片集成波导之内，本发明具有尺寸小，有利于微波毫米波集成电路的设计，整个结构可用传统的PCB或LTCC工艺实现，满足微波毫米波立体集成电路的设计需要；具有非常好的频选特性，设计方法简单，具有很宽的带宽和较低的损耗。

公开(公告)号：CN1156192C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN01137024.6

申请日：2001-10-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 薰树亚欄

IPC: H04Q7/32 ,  H01P1/201 ,  H01P7/10

CPC classification number: H01P1/2088 ,  H01P1/201 ,  H01P7/10

Abstract: 公开一种具有极高机械强度的高度紧凑型带通滤波器。按照本发明的带通滤波器采用近似矩形棱柱状的电介质块，它是由电介质块的第一横截面与第二横截面之间的第一部分，以及被第一部分和电介质块表面上形成的金属片分开的第二部分和第三部分构成，其中电介质块的第二横截面大致平行于第一横截面。电介质块中的第一部分及其上面形成的金属片作为渐消型波导。电介质块中的第二部分及其上面形成的金属片作为第一谐振器。电介质块中的第三部分及其上面形成的金属片作为第二谐振器。该金属片包括电介质块第一表面上形成的电容极片，它大致垂直于这两个横截面。

公开(公告)号：CN1380716A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02105503.3

申请日：2002-04-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 黑田克人

IPC: H01P1/201

CPC classification number: H01P1/2136

Abstract: 一种降低不需要的振荡模、具有出色带通特性、结构简单的介质双工器。基本长方体形状的介质块(1),设有内表面分别形成有内导体(3a－3f)的内导体形成孔(2a－2f),外表面形成有外导体(4)。此外,设置非外导体形成部(6),形成输入输出端子(5),并在内导体形成孔(2c)与(2d)之间,从内导体形成孔的开口面至安装面,设置非外导体形成部(8),形成天线端子(7)。天线激振孔(9)是将天线端子(7)作为一端的开口部分、在介质块(1)内沿与内导体形成孔轴向相同的轴向形成的通孔,在内表面形成有电极。非电极形成部(12a)、(12b)在内导体形成孔(2d)、(2c)的开口边缘与介质块的上表面之间以规定的形状形成。

公开(公告)号：CN1355575A

公开(公告)日：2002-06-26

申请号：CN01122867.9

申请日：2001-07-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 薰树亚栏

IPC: H01P1/201

CPC classification number: H01P1/20

Abstract: 公开一种可靠地获得所需特性的小型带通滤波器。按照本发明的带通滤波器利用第一盘形谐振器和第二盘形谐振器,该谐振器有形成在其一个侧面上的激励电极;置于第一盘形谐振器与第二盘形谐振器之间的渐消型波导;和形成在第一盘形谐振器和第二盘形谐振器其他侧面上的电容性短片。电容性短片减小该带通滤波器的尺寸,因为盘形谐振器的谐振频率因电容性短片而降低。此外,电容性短片增强该带通滤波器的机械强度,因为两个盘形谐振器之间的耦合常数k因电容性短片而降低。

公开(公告)号：CN1258110A

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN99109409.3

申请日：1999-06-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李秀吉 ,  朴成焕 ,  李弘奭

IPC: H01P1/201 ,  H01P1/20 ,  H01P1/203

CPC classification number: H01P1/2056

Abstract: 整体式介质滤波器,包括:具有相对的第一和第二表面以及多个侧面的介质块;涂覆在介质块除了第一表面的整个表面上的地电极;多个穿过第一和第二表面且其表面上涂覆有导电材料的通孔;形成在介质块的一个表面上并与地电极绝缘的输入和输出电极,以与多个通孔的内部电极形成电磁耦合;至少一个形成在输入和输出电极之间以及第一表面的通孔之间并与地电极和输入和输出电极绝缘的金属耦合区,以在输入和输出电极与通孔之间形成电容耦合。

公开(公告)号：CN111161905B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201911083137.7

申请日：2019-11-07

Applicant: 杜邦中国有限公司

Inventor： 橘勇介

IPC: H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01P1/201

Abstract: 本发明涉及一种制造介电滤波器的方法。所述方法包括以下步骤：(a)制备陶瓷衬底；(b)将导电糊料施用在所述陶瓷衬底上，其中所述导电糊料包含：(i)100重量份的导电粉末，(ii)0.1至10.0重量份的玻璃料，所述玻璃料包含氧化硅、氧化硼、氧化铝和碱金属氧化物，以及(iii)有机载体；以及(c)烧制所施用的导电糊料。

公开(公告)号：CN112514156B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201880096141.4

申请日：2018-08-02

Applicant: 株式会社ELTRONIX

Inventor： 呂善九

IPC: H01P1/207 ,  H01P1/201

Abstract: 本发明公开了高通滤波器。根据一实施例的高通滤波器，其包括：导电材料的底板；以及至少一个谐振杆，其从所述底板的前端与所述底板平行延伸并与所述底板一体形成且与所述底板弯折，并且在所述高通滤波器的使用频带上形成谐振。

公开(公告)号：CN113471648B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202111033801.4

申请日：2021-09-03

Applicant: 国网江苏省电力有限公司信息通信分公司

Inventor： 戴勇 ,  江凇 ,  李伟 ,  汪大洋 ,  贾平 ,  李沛 ,  宋江 ,  赵金城 ,  白杨

IPC: H01P1/201 ,  H01P1/203

Abstract: 本发明提供一种四模枝节加载谐振器及基于该谐振器的双通带带通滤波器，所述四模枝节加载谐振器三个枝节并联在一个均匀阻抗谐振器的两边和中间，经过连续两次奇偶模分析分别可以得到四模枝节加载谐振器的四个等效电路，四个等效电路模型为四个四分之一波长短路谐振器，其物理尺寸长度与谐振频率成反比，可以通过调节各枝节和均匀阻抗谐振器的尺寸构件不同模式的谐振频率。所述双通带带通滤波器由四模枝节加载谐振器和半波长谐振器组合得到，并通过在半波长谐振器中间并联一个阻抗匹配支节，实现第二通带可控带宽和可控回波损耗的优点。

公开(公告)号：CN113228409A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980084715.0

申请日：2019-12-19

Applicant: 阿维科斯公司

Inventor： 崔权 ,  玛丽安·贝罗里尼

IPC: H01P1/203 ,  H05K1/16 ,  H01P1/201

Abstract: 一种多层电子装置可以包括在垂直于X‑Y平面的Z方向上堆叠的多个介电层。所述装置可以包括第一导电层，所述第一导电层覆盖在所述多个介电层中的一个上。所述多层电子装置可以包括第二导电层，所述第二导电层覆盖在所述多个介电层中的另一个上并且在所述Z方向上与所述第一导电层间隔开。所述第二导电层可以在所述X‑Y平面中在重叠区域处与所述第一导电层重叠以形成电容器。所述第一导电层可以具有在所述重叠区域的边界处的一对平行边缘和在所述重叠区域内的偏移边缘，所述偏移边缘平行于所述一对平行边缘。在所述偏移边缘与所述一对平行边缘中的至少一个之间的偏移距离可以小于约500微米。