Method and circuit device for controlling the semiconductor switch in the galvanic isolation

    公开(公告)号:JP2009515501A

    公开(公告)日:2009-04-09

    申请号:JP2008539268

    申请日:2006-09-05

    Abstract: ここで提案されているのは、半導体スイッチ(400)をガルバニック絶縁で駆動制御する回路装置(100)ならびに方法である。 この回路装置(100)は、制御回路(101)と、ドライバ回路(102)と、スイッチ信号としての前記制御回路(101)からの駆動制御信号を前記ドライバ回路(102)にガルバニック絶縁に伝送する変換器(200)と、スイッチ信号を整流する手段(301,302)とを有しており、上記のドライバ回路(102)には、ゲート電極(401)と、ソース電極(402)と、ドレイン電極(403)とを有する半導体スイッチ(400)が含まれており、この半導体スイッチ(400)は、前記のゲート電極(401)とソース電極(403)との間の所定の第1電圧によってスイッチング可能であり、これによって前記のドレイン電極(403)とソース電極(401)との間に所定の電流が流れ、上記のスイッチ信号は前記ゲート電極(401)に加えられて、前記半導体スイッチ(400)がスイッチングされ、上記のドライバ回路(102)には、ベース電極(321)と、エミッタ電極(322)と、コレクタ電極(323)とを有する制御トランジスタ(320)が含まれており、この制御トランジスタ(320)は、前記のベース電極(321)とエミッタ電極(322)との間の所定の第2電圧によってスイッチング可能であり、これによって前記のエミッタ電極(322)およびコレクタ電極(323)を介して、上記の半導体スイッチ(400)のゲート電極(401)と、半導体スイッチ(400)のソース電極(402)とを接続してこの半導体スイッチをスイッチングする。 ここでは上記の第2電圧を整流した第3電圧を形成する電圧形成手段(350)が、前記の制御トランジスタ(320)のベース電極(321)とコレクタ電極(323)との間に設けられている。 これによって半導体スイッチの動作を簡単に改善することが可能である。

    Communication systems with redundant communications

    公开(公告)号:JP2006523391A

    公开(公告)日:2006-10-12

    申请号:JP2006504259

    申请日:2004-03-11

    CPC classification number: H04L12/437

    Abstract: 本発明は、通信システムのフォールトトレランスを向上させかつ高いダイナミクスを実現することを目的として、通信システムにおいて使用するための加入者局(1)と、少なくとも一部分で冗長的な通信を伴う前記通信システムに関する。 該通信システムには、少なくとも一部に少なくとも2つの通信経路(10,20)が設けられており、該通信経路は有利には、2重リングトポロジとして構成されている。 本発明による加入者局には通信経路ごとに、各通信経路を介して得られた情報信号の処理、および/または情報信号の生成および各通信経路(10)を介しての送信を行うための処理ユニット(11,21)が設けられている。 さらに該加入者局には、第1の通信経路(10)と第2の通信経路(20)との間に第1のアクティベート可能なカップリング(13,22)が設けられており、該第1のアクティベート可能なカップリングのアクティベート時には情報信号は第1の通信経路(10)から取り出され、第2の通信経路(20)へ供給荒れる。 本発明では該アクティベート可能なカップリングの供給線は、加入者局において信号伝送方向で見て、第2の通信経路(20)の処理ユニット(21)より後方に配置されている。

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