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公开(公告)号：CN115485940A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180031834.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 根特大学 , IMEC 非营利协会
Abstract: 一种集成光电器件(100，200，300)包括基板(30)，该基板支撑无源波导(31)，该无源波导用于在两个横向方向上限制折射率，并沿纵向方向引导至少一个光学模式。该器件还包括用于传输第一导电类型的载流子的第一电荷传输层(11)、用于传输与第一导电类型相反的第二导电类型的载流子的第二电荷传输层(12)、以及包括可溶液加工的半导体纳米晶体的颗粒膜的有源层(20)。该有源层相对于所述电荷传输层来被布置以形成二极管结。有源层以及第一和第二电荷传输层被进一步形成在基板上，使得它们各自在垂直于纵向方向的截面中与波导的至少一部分交叠。有源层被倏逝地耦合到波导。
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公开(公告)号：CN114597116A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202110780088.3
申请日：2021-07-09
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: H01L21/02
Abstract: 公开了改进SiO2层的偏置温度不稳定性。在第1方面中，本发明涉及改进SiO2层的偏置温度不稳定性的方法，所述方法包括：(a)将SiO2层暴露于原子氢。
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公开(公告)号：CN109429025B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201811001265.8
申请日：2018-08-30
Applicant: IMEC 非营利协会
Inventor： B·盖伦
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 一种用于获得对象的图像的图像传感器包括：在衬底上形成的光敏区(104)的阵列(102)，其中每个光敏区(104)是该衬底内的连续区域；干扰滤波器(106)的阵列，其中每个干扰滤波器(106)被配置成选择性地传送波长带，其中干扰滤波器(106)的阵列被单片集成到光敏区(104)的阵列(102)上；并且其中多个干扰滤波器(106a‑d)与单个光敏区(104a)相关联，其中多个干扰滤波器(106a‑d)中的每个干扰滤波器(106a‑d)被配置成选择性地将唯一波长带传送给光敏区(104a)，并且多个干扰滤波器(106a‑d)中的每个干扰滤波器(106a‑d)与该光敏区(104a)的唯一部分相关联。
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公开(公告)号：CN114509728A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110829638.6
申请日：2021-07-22
Applicant: IMEC 非营利协会
Abstract: 提供了一种用于促进对IQ不平衡稳定的雷达检测的方法。该方法包括在数字域中生成雷达信号的步骤，该雷达信号包括与渐进相位旋转相乘的具有长度Lc的码序列的M次周期性重复，其中Lc和M是整数，K是整数或非整数，且n是离散整数变量。该方法进一步包括以下步骤：在数字域中通过将对应于该雷达信号的反射信号与渐进相位旋转相乘来从该反射信号中生成处理输入信号。在该上下文中，K被定义成使得比率是非整数，且M被定义成使得比率是整数。
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公开(公告)号：CN110952081B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201910926074.0
申请日：2019-09-27
Applicant: IMEC 非营利协会
Inventor： H·菲利普森
IPC: C23C18/44 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种用于形成互连部的方法和溶液，具体涉及一种用于铂族金属无电沉积的无氧或贫氧溶液，其包含：a.具有第一氧化电势的钌(II)胺络合物，以及b.铂族金属化合物，其还原电势大于钌(II)胺络合物的氧化电势相反数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110504162B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910409763.4
申请日：2019-05-16
Applicant: IMEC 非营利协会
Inventor： 曾文德 , E·阿尔塔米拉诺桑切兹
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 在第一方面中，本发明涉及在半导体结构中形成腔(800)的方法，所述方法包括以下步骤：a.提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：i.半导体基材(100)，ii.在半导体基材(100)上的一组线结构(300)，各线结构(300)具有顶表面和侧壁，所述线结构(300)通过其间的沟槽(400)隔开，以及iii.含氧介电材料(410)，其至少部分填充了线结构(300)之间的沟槽(400)，其中，至少一个线结构(300)的顶表面至少部分暴露，并且其中，顶表面的暴露部分包含无氧介电材料(320,330)；b.使TaSix层(700)相对于含氧介电材料(410)选择性形成于无氧介电材料(320,330)上；c.通过相对于TaSix(700)选择性去除至少部分含氧介电材料(410)来形成腔(800)。
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公开(公告)号：CN114170092A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110793368.8
申请日：2021-07-14
Applicant: IMEC 非营利协会
Inventor： B·戴伊 , S·霍尔德 , G·S·卡尔 , V·M·布兰克 , S·S·S·瓦达库普杜帕拉亚姆
Abstract: 本发明一般涉及图像处理。特别地，本发明涉及一种用于对电子显微镜(EM)图像进行去噪的方法和设备。该方法包括选择EM图像的补丁的步骤，其中该补丁包括多个像素，其中对该补丁执行以下步骤：i)用来自同一EM图像的不同的、优选为随机选择的像素的值替代该补丁的一个像素的值，优选为中心像素的值；ii)基于该补丁中其他像素的值来确定该一个像素的去噪值；以及iii)用确定的去噪值替代该一个像素的值。
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公开(公告)号：CN113937183A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110785247.9
申请日：2021-07-12
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本公开提出了一种雪崩光电二极管(APD)器件，具体而言，横向分离式吸收电荷倍增(SACM)APD器件，以及一种用于制造该APD器件的方法。该APD器件包括在半导体层中形成的第一接触区和第二接触区。此外，该APD器件包括形成在该半导体层上的吸收区，其中该吸收区至少部分地形成在该半导体层的第一区上，其中该第一区被布置在第一接触区和第二接触区之间。该APD器件进一步包括在该半导体层中被形成在第一区和第二接触区之间的电荷区，以及在该半导体层中被形成在该电荷区和第二接触区之间的放大区。至少该吸收区在该半导体层上是弯曲的。
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公开(公告)号：CN113820340A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110659873.3
申请日：2021-06-15
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: G01N23/2202 , G01N1/28 , G01N23/04 , G01N23/22
Abstract: 提供了一种衬底，该衬底在其表面上包括由给定形貌限定的图案化区域。该衬底将被加工以获得该衬底的切片形式的TEM样品。根据本发明的方法，通过在该衬底的与该图案化区域隔开的局部目标区域上沉积对比材料层来在该形貌上沉积对比材料的共形层。该材料是通过电子束诱导沉积(EBID)来沉积的。沉积参数，沉积在目标区域中的层的厚度以及所述目标区域到该图案化区域的距离，使得对比材料的共形层被形成在该图案化区域的形貌上。在此之后是保护层的沉积，这不破坏图案化区域中的形貌，因为该形貌受共形层保护。TEM样品以本领域内已知的方式，例如通过FIB，来制备。共形对比层提供与保护层的良好对比度，由此允许高质量的TEM分析。
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