中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

181 records (took 0.057 seconds)

    印刷配線板之製造方法及表面處理裝置
    51.
    发明专利
    印刷配線板之製造方法及表面處理裝置 审中-公开
    印刷配线板之制造方法及表面处理设备

    公开(公告)号：TW201419972A

    公开(公告)日：2014-05-16

    申请号：TW102120290

    申请日：2013-06-07

    Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

    Inventor： 網谷康孝 ,  AMITANI, YASUTAKA ,  松本啟佑 ,  MATSUMOTO, KEISUKE ,  漆畑薰 ,  URUSHIBATA, KAORU

    IPC: H05K3/46

    CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/08 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/0085 ,  H05K2203/075 ,  H05K2203/0789 ,  H05K2203/1476 ,  H05K2203/1509 ,  H05K2203/1545

    Abstract: 本發明提供一種印刷配線板之製造方法，其在進行水平搬送之際，不僅能抑制因搬送損傷起因造成之孔徑不一，更能減低雷射加工能源之用量，及提供一種使用該製造方法之表面處理裝置。本發明之印刷配線板之製造方法係包含以下步驟：對印刷配線板製造用積層板(10)之表層的銅層(3)表面進行前處理步驟，及對經前述前處理步驟後的銅層(3)表面進行雷射光照射以形成孔洞之雷射加工步驟。前述前處理步驟具有以下步驟：在含氧環境下使銅層(3)表面與水溶液A接觸之第一表面處理步驟，及使經過前述第一表面處理步驟後的銅層(3)表面與水溶液B接觸之第二表面處理步驟。本發明中，於前述第二表面處理步驟中，係於不供給氧之下使銅層(3)表面與水溶液B接觸。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种印刷配线板之制造方法，其在进行水平搬送之际，不仅能抑制因搬送损伤起因造成之孔径不一，更能减低激光加工能源之用量，及提供一种使用该制造方法之表面处理设备。本发明之印刷配线板之制造方法系包含以下步骤：对印刷配线板制造用积层板(10)之表层的铜层(3)表面进行前处理步骤，及对经前述前处理步骤后的铜层(3)表面进行激光光照射以形成孔洞之激光加工步骤。前述前处理步骤具有以下步骤：在含氧环境下使铜层(3)表面与水溶液A接触之第一表面处理步骤，及使经过前述第一表面处理步骤后的铜层(3)表面与水溶液B接触之第二表面处理步骤。本发明中，于前述第二表面处理步骤中，系于不供给氧之下使铜层(3)表面与水溶液B接触。

    銅微蝕刻液及其補充液、以及配線基板之製造方法
    52.
    发明专利
    銅微蝕刻液及其補充液、以及配線基板之製造方法 审中-公开
    铜微蚀刻液及其补充液、以及配线基板之制造方法

    公开(公告)号：TW201404937A

    公开(公告)日：2014-02-01

    申请号：TW102109459

    申请日：2013-03-18

    Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

    Inventor： 栗井雅代 ,  KURII, MASAYO ,  田井清登 ,  TAI, KIYOTO ,  中村真美 ,  NAKAMURA, MAMI

    IPC: C23F1/18 ,  H01L21/306 ,  H05K3/06

    CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/34 ,  H05K3/0085 ,  H05K3/022 ,  H05K3/383 ,  H05K2203/0307 ,  H05K2203/0789

    Abstract: 本發明提供微蝕刻劑及其補給液、以及使用微蝕刻劑的配線基板之製造方法。本發明之微蝕刻劑係由包含銅離子、有機酸、鹵化物離子、含有分子量為17~400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成。前述聚合物係具有聚胺鏈及/或陽離子性基，且重量平均分子量係1000以上之水溶性聚合物。本發明之微蝕刻劑在將含有胺基之化合物的濃度設為A重量%，聚合物的濃度設為B重量%時，A/B的值係50~6000。依據本發明，即便是低蝕刻量也能維持銅與樹脂等的密著性。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供微蚀刻剂及其补给液、以及使用微蚀刻剂的配线基板之制造方法。本发明之微蚀刻剂系由包含铜离子、有机酸、卤化物离子、含有分子量为17~400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成。前述聚合物系具有聚胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量系1000以上之水溶性聚合物。本发明之微蚀刻剂在将含有胺基之化合物的浓度设为A重量%，聚合物的浓度设为B重量%时，A/B的值系50~6000。依据本发明，即便是低蚀刻量也能维持铜与树脂等的密着性。

    蝕刻液、補給液及銅配線之形成方法
    53.
    发明专利
    蝕刻液、補給液及銅配線之形成方法 审中-公开
    蚀刻液、补给液及铜配线之形成方法

    公开(公告)号：TW201320843A

    公开(公告)日：2013-05-16

    申请号：TW101141783

    申请日：2012-11-09

    Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

    Inventor： 片山大輔 ,  KATAYAMA, DAISUKE ,  逢坂育代 ,  OSAKA, IKUYO ,  傳江雅美 ,  TSUTAE, MASAMI ,  戶田健次 ,  TODA, KENJI

    IPC: H05K3/10 ,  H05K3/18 ,  H05K3/42

    Abstract: 本發明提供一種不僅抑制側蝕且提高銅配線的直線性，而且能抑制未蝕刻部位之殘留的蝕刻液及其補給液、以及銅配線之形成方法。本發明之蝕刻液是一種銅的蝕刻液，其特徵為包含酸、二價銅離子、唑化合物及脂環式胺化合物的水溶液。本發明之補給液是在連續或反復使用前述本發明之蝕刻液時，添加至前述蝕刻液中的補給液，其特徵為包含酸、唑化合物及脂環式胺化合物的水溶液。本發明銅配線（1）之形成方法的特徵在於：其係對於銅層之未被抗蝕劑（2）被覆的部分進行蝕刻的銅配線（1）之形成方法，且使用前述本發明之蝕刻液進行蝕刻。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种不仅抑制侧蚀且提高铜配线的直线性，而且能抑制未蚀刻部位之残留的蚀刻液及其补给液、以及铜配线之形成方法。本发明之蚀刻液是一种铜的蚀刻液，其特征为包含酸、二价铜离子、唑化合物及脂环式胺化合物的水溶液。本发明之补给液是在连续或反复使用前述本发明之蚀刻液时，添加至前述蚀刻液中的补给液，其特征为包含酸、唑化合物及脂环式胺化合物的水溶液。本发明铜配线（1）之形成方法的特征在于：其系对于铜层之未被抗蚀剂（2）被覆的部分进行蚀刻的铜配线（1）之形成方法，且使用前述本发明之蚀刻液进行蚀刻。

    蝕刻液、其補給液、使用其等之蝕刻方法及佈線基板之製造方法
    58.
    发明专利
    蝕刻液、其補給液、使用其等之蝕刻方法及佈線基板之製造方法 审中-公开
    蚀刻液、其补给液、使用其等之蚀刻方法及布线基板之制造方法

    公开(公告)号：TW200523401A

    公开(公告)日：2005-07-16

    申请号：TW093133581

    申请日：2004-11-04

    Applicant: 美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

    Inventor： 栗山雅代 ,  大串亮 ,  秋山大作 ,  漆薰

    IPC: C23F

    CPC classification number: H05K3/26 ,  C23F1/28 ,  C23F1/30 ,  H05K3/181 ,  H05K2201/0761 ,  H05K2203/0789 ,  H05K2203/124

    Abstract: 本發明之蝕刻液係含有鹽酸、硝酸和二價銅(cupric)離子源的水溶液。本發明的蝕刻方法是將上述金屬與上述蝕刻液接觸。本發明之另一種蝕刻方法是，在將上述金屬表面與由至少含有如下A～C的水溶液組成的第1液(A.鹽酸；B.含有硫原子且含有至少1種選自胺基、亞胺基、羧基、羰基和羥基之基的碳原子數7以下的化合物，唑及唑系化合物所選出的至少一種；C.界面活性劑)接觸後，再與含有鹽酸、硝酸和二價銅離子源的水溶液所構成之第2液接觸。藉此，可提供能夠將選自鎳、鉻、鎳鉻合金和鈀的至少一種金屬迅速地蝕刻，並且降低銅的過度溶解之蝕刻液及使用其之蝕刻方法。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之蚀刻液系含有盐酸、硝酸和二价铜(cupric)离子源的水溶液。本发明的蚀刻方法是将上述金属与上述蚀刻液接触。本发明之另一种蚀刻方法是，在将上述金属表面与由至少含有如下A～C的水溶液组成的第1液(A.盐酸；B.含有硫原子且含有至少1种选自胺基、亚胺基、羧基、羰基和羟基之基的碳原子数7以下的化合物，唑及唑系化合物所选出的至少一种；C.界面活性剂)接触后，再与含有盐酸、硝酸和二价铜离子源的水溶液所构成之第2液接触。借此，可提供能够将选自镍、铬、镍铬合金和钯的至少一种金属迅速地蚀刻，并且降低铜的过度溶解之蚀刻液及使用其之蚀刻方法。

    黏著層形成液,使用該液之銅和樹脂之黏著層之製造方法及其積層體
    59.
    发明专利
    黏著層形成液,使用該液之銅和樹脂之黏著層之製造方法及其積層體 审中-公开
    黏着层形成液,使用该液之铜和树脂之黏着层之制造方法及其积层体

    公开(公告)号：TW200428920A

    公开(公告)日：2004-12-16

    申请号：TW093110950

    申请日：2004-04-20

    Applicant: 美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

    Inventor： 河口陸行 ,  齊藤知志 ,  久田純 ,  中川登志子 ,  神田直美

    IPC: H05K

    CPC classification number: C23C18/48 ,  C23C18/31 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/384 ,  H05K2203/072 ,  Y10T428/31681 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本發明係提供黏著層形成液，使用該液之銅和樹脂之黏著層之製造方法及其積層體。其中於銅表面處，以含有(a)選自無機酸及有機酸中之至少一種酸、(b)錫鹽、(c)選自銀、鋅、鋁、鈦、鉍、鉻、鐵、鈷、鎳、鈀、金及鉑中之至少一種金屬鹽、(d)反應促進劑及(e)含擴散系保持溶劑之水溶液的樹脂黏著層形成液進行接觸，以形成錫及上述(c)之金屬合金層，接著留下上述銅、上述錫及上述(c)之金屬之進行擴散層，藉由除去上述錫及上述(c)之金屬合金層，使於銅表面上形成含有銅、錫及上述(c)之金屬合金之樹脂的黏著層。藉此提高銅及樹脂之黏著力。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供黏着层形成液，使用该液之铜和树脂之黏着层之制造方法及其积层体。其中于铜表面处，以含有(a)选自无机酸及有机酸中之至少一种酸、(b)锡盐、(c)选自银、锌、铝、钛、铋、铬、铁、钴、镍、钯、金及铂中之至少一种金属盐、(d)反应促进剂及(e)含扩散系保持溶剂之水溶液的树脂黏着层形成液进行接触，以形成锡及上述(c)之金属合金层，接着留下上述铜、上述锡及上述(c)之金属之进行扩散层，借由除去上述锡及上述(c)之金属合金层，使于铜表面上形成含有铜、锡及上述(c)之金属合金之树脂的黏着层。借此提高铜及树脂之黏着力。

Patent Agency Ranking