Patent search ap:"OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH" Page 6

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发明专利
放射を発する有機素子有权
Title translation: 发射辐射的有机元件

公开(公告)号：JP5688972B2

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：JP2010526163

申请日：2008-09-26

Applicant: オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： シュミットギュンター , シュミットギュンター

IPC: C09K11/06 , H01L51/50

CPC classification number: C09K11/06 , C07D487/04 , C09K2211/1007 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/0087 , H01L51/009 , H01L51/5016

52.

发明专利
発光ダイオードチップ有权
Title translation: 发光二极管芯片

公开(公告)号：JP2015507850A

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：JP2014552597

申请日：2013-01-15

Applicant: オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： マルチンストラスバーグ , マルチンストラスバーグ , エンリケカレヤ−パルド , エンリケカレヤ−パルド , シュテファンアルベルト , シュテファンアルベルト , エンカボアナマリアベンゴエチェア , エンカボアナマリアベンゴエチェア , ミゲルアンヘルサンチェス−ガルシア , ミゲルアンヘルサンチェス−ガルシア , マルティンマンドル , マルティンマンドル , クリストファーケルパー , クリストファーケルパー

IPC: H01L33/08 , H01L33/04 , H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0075 , H01L27/153 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/32

Abstract: 発光ダイオードチップであって、複数の活性領域(2)を有する半導体ボディ(1)を備えており、活性領域(2)の少なくとも1つが少なくとも2つのサブ領域(21…28)を有し、活性領域(2)が、少なくとも2つのサブ領域(21…28)のうちの2つの隣接するサブ領域(21…28)の間に配置されている少なくとも1つの障壁領域(3)を有し、少なくとも2つのサブ領域(21…28)が、発光ダイオードチップの動作時に、相互に異なる色の光を放出し、サブ領域(21…28)の少なくとも1つにおいて、光の放出が電気的に生成され、障壁領域(3)が、2つの隣接するサブ領域(21…28)の間での電荷キャリアの熱活性化再分散を妨げるように構成されている、発光ダイオードチップが、特定される。

Abstract translation: 一种发光二极管芯片包括：（1），具有多个有源区（2）的半导体主体具有至少一个在至少两个有源区的子区域（2）（21 ... 28），活性区域（2）具有至少一个势垒区被布置在至少两个子区域中的两个相邻的子区之间（21 ... 28）（21 ... 28）（3），至少两个子区域（21 ... 28），所述发光二极管芯片的工作期间发射的相互不同颜色的光，至少一个子区域（21 ... 28），通过电产生的光的释放，阻挡区（3），两个被配置，从而防止相邻的子区域（21 ... 28）之间的电荷载流子热活化再分散，发光二极管芯片被识别。

53.

发明专利
オプトエレクトロニクス素子及びオプトエレクトロニクス素子の動作方法有权
Title translation: 一种操作光电子装置和光电器件的方法

公开(公告)号：JP5676047B2

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：JP2014501530

申请日：2012-03-19

Applicant: オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： ヴィッケマークス , ヴィッケマークス

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L31/153 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L2224/49171 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

54.

发明专利
オプトエレクトロニクス半導体モジュール有权

公开(公告)号：JP5669940B2

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：JP2013519007

申请日：2011-06-16

Applicant: オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： シュナイダーマークス , シュナイダーマークス , ラッチュダーフィト , ラッチュダーフィト , ラムヒェンヨハン , ラムヒェンヨハン

IPC: H01L33/56 , H01L33/50 , H01L33/60

CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2924/1715 , H01L2924/3025 , H01L2924/00

55.

发明专利
オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体レーザ审中-公开
Title translation: 制造方法及的光电子半导体器件的光电子半导体激光

公开(公告)号：JP2015503217A

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：JP2014539267

申请日：2012-09-19

Applicant: オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： クリストフアイヒラー , クリストフアイヒラー , ソンケタウツ , ソンケタウツ

IPC: H01S5/028 , C23C16/30 , H01L21/205 , H01S5/042 , H01S5/40

CPC classification number: H01S5/34333 , G02B1/11 , H01L33/58 , H01S5/0206 , H01S5/0264 , H01S5/0281 , H01S5/0286 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S2301/16 , H01S2301/18

Abstract: オプトエレクトロニクス半導体部品(1)を製造する方法であって、活性層を備えた半導体積層体(2)を成長基板(3)の上にエピタキシャル成長させるステップと、半導体積層体(2)と成長基板(3)において、フロントファセット(4)を形成するステップと、完成した半導体部品(1)において生成される放射(R)に対して、フロントファセット(4)の一部を遮光層(5)によって被覆するステップと、を含んでおり、遮光層(5)が指向性被覆法によって形成され、遮光層(5)が、被覆時、成長基板(3)によるシェーディングによって、もしくは、成長基板(3)に配置された、および/または成長基板(3)に並んで配置された少なくとも1つのダミーバー(6)によるシェーディングによって、またはその両方によって、構造化される、方法。

Abstract translation: 光电半导体部件（1）WO制造方法在那里手，有源层WO与其他半导体层叠体（2）WO生长衬底（3）卢顶部的两个外延生长到步骤门，半导体层叠体（2）的资本生长衬底（在3）涂层，形成用于在完成的半导体器件（1）（R），由光屏蔽层的前端面（4）的部分产生的辐射前端面（4）（5）到步骤门，WO包括去笼，遮光层（5）的面向蛾性涂覆法Niyotte形成，遮光层（5）蛾，涂覆时间，生长衬底（3）る遮光Niyotte，Moshikuwa，生长衬底（3）2 根据引锭杆中的至少一个被布置在生长衬底（3）（6），或通过两者，在结构，如何布置和/或通过阴影。