은나노 전자잉크 인쇄발열체 분리형 전기 온열 치료기 및 그 제조 방법
    51.
    发明公开
    은나노 전자잉크 인쇄발열체 분리형 전기 온열 치료기 및 그 제조 방법 有权
    用于加热加热表面的电加热治疗纳米银电子墨水印刷及其产品方法

    公开(公告)号:KR1020150124166A

    公开(公告)日:2015-11-05

    申请号:KR1020140050641

    申请日:2014-04-28

    Inventor: 강문식

    Abstract: 은나노전자잉크인쇄발열체분리형전기온열치료기및 그제조방법이개시된다. 본발명은전원부에서인가되는전원으로발열되는둘 이상의은나노전자잉크인쇄발열체를구비한전기온열치료기에있어서, 상기전원부의전원을입력받아둘 이상의은나노전자잉크인쇄발열체를제어하기위한전원온오프신호와온도제어신호를각각출력하는제어부, 및상기제어부에서인가되는각각의전원및/또는온도로발열되는은나노전자잉크인쇄발열체를포함하게구성함으로써, 전기매트, 전기요, 전기방석, 온수매트, 전기카페트등 일체형발열부를두 부분이상으로분할하여사용할수 있기때문에, 독립적으로사용이용이하고각각의발열부위별희망온도제어가가능하다.

    Abstract translation: 公开了一种银纳米电子墨水印刷热分离型电热处理装置及其制造方法。 根据本发明,具有由电源单元供电的两个以上银纳米电子墨印刷热体的电热处理装置包括:控制单元,用于接收电源单元的功率,并分别输出电源 /关闭信号和温度控制信号,以控制两个或多个银纳米电子墨水印刷热体; 以及在从控制单元施加的每个功率和/或温度下加热的银纳米电子墨水印刷热敏体。 在分为两个或更多个部分之后,可以使用电动垫,电动被子,电动坐垫,温水垫,电动地毯等整体加热单元,以便独立且容易地使用,以及 可以控制每个加热部件的期望温度。

    센서를 내장한 근거리 무선 태그 장치 및 그 제조 방법
    52.
    发明授权
    센서를 내장한 근거리 무선 태그 장치 및 그 제조 방법 有权
    近来RFID装置嵌入式传感器电路及其产品方法

    公开(公告)号:KR101492891B1

    公开(公告)日:2015-02-23

    申请号:KR1020130076981

    申请日:2013-07-02

    Applicant: (주) 파루

    Abstract: 인쇄공정을 이용한 플렉시블 CMOS 형태의 저전압용 구동 집적 회로 제조 방법 및 이를 이용한 RFID 태그가 개시된다. 본 발명의 집적회로 제조방법은 인쇄방법을 사용하여 p형 단일벽 탄소나노튜브(SWNT;Single-wall Nanotube) 기반 트랜지스터(TR;transistor)를 인쇄한 다음, 인쇄된 SWNT 기반 TR의 표면에 전구체와 올리고머가 용해된 N형 도핑 잉크를 사용하여 트랜지스터 채널에 중첩 인쇄하여 소정의 P형 SWNT 기반 TR을 N형 SWNT 기반 트랜지스터로 전환하여 CMOS(Complementary metal oxide semiconductor)형태의 트랜지스터로 변환하여 구성함으로써, 기존 Si에 기반한 스마트폰 및 그 외의 이동식 단말기와 상호 감응이 가능하도록 하여 RFID 및 USN 분야를 실제적으로 모든 생활과 산업에 활용할 수 있도록 하는 효과가 있다.

    유전막 표면 개질용 트랜지스터 및 이의 제조 방법
    54.
    发明授权
    유전막 표면 개질용 트랜지스터 및 이의 제조 방법 有权
    用于改造介质膜表面的晶体管及其产品方法

    公开(公告)号:KR101487443B1

    公开(公告)日:2015-01-29

    申请号:KR1020130071389

    申请日:2013-06-21

    Applicant: (주) 파루

    Abstract: 유전막 표면 개질용 트랜지스터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 본 발명은 기판 상에 형성된 게이트전극과 상기 기판상에서 상기 게이트전극을 덮도록 인쇄된 유전체층과, 상기 인쇄된 유전체층의 상부에 연속으로 R2R 그라비아 공정을 이용해 인쇄된 표면개질제로 구성된 자기조립분자막(Self-assembled monolayer: SAM)과, 상기 SAM의 상부에 인쇄된 탄소나노튜브층(Carbon nanotube)으로 구성된 활성층(SWNT;Single-Wall ), 및 상기 활성층 상에서 서로 이격되어 인쇄된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하여 유전막 표면 개질용 트랜지스터를 구성함으로써, 유전막 표면 개질을 통한 트랜지스터의 성능을 향상시킬 수가 있다.

    전도성 잉크로 인쇄되는 히팅 패드 및 이를 이용한 스티어링 휠 히터와 그 제조방법
    55.
    发明公开
    전도성 잉크로 인쇄되는 히팅 패드 및 이를 이용한 스티어링 휠 히터와 그 제조방법 无效
    导向油墨加热加热板,加热器加热用加热片及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020140134760A

    公开(公告)日:2014-11-25

    申请号:KR1020130053855

    申请日:2013-05-13

    CPC classification number: B62D1/06 B60Y2410/122 C09D11/52 H05B3/026

    Abstract: 본 발명은 전도성 잉크로 인쇄되는 히팅패드 및 이를 이용한 스티어링 휠 히터와 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전도성 잉크로서 하나 이상의 발열선이 인쇄되는 히팅패드를 제조하여 스티어링 휠커버 및/또는 스티어링 휠과 함께 사출하여 일체형으로 제조할 수 있는 전도성 잉크로 인쇄되는 히팅 패드 및 이를 이용한 스티어링 휠 히터와 그 제조방법에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种印有导电油墨的加热垫,一种使用其的方向盘加热器及其制造方法。 更具体地,印刷的加热垫通过注射方向盘盖和/或方向盘而一体地制造,由此用导电油墨印刷一个或多个加热丝。

    은 나노 젤을 이용한 터치스크린용 투명 전극 제조방법
    56.
    发明授权
    은 나노 젤을 이용한 터치스크린용 투명 전극 제조방법 有权
    透明电极制造方法使用银纳米凝胶触摸屏幕

    公开(公告)号:KR101458405B1

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:KR1020130083889

    申请日:2013-07-17

    Applicant: (주) 파루

    CPC classification number: G06F3/041 G06F2203/04103 H01B5/14 H01B13/00

    Abstract: 본 발명은 은 나노 젤을 이용한 터치스크린용 투명 전극 제조방법에 관한 것이다.
    이러한 본 발명에 의하면, (a) 투명기재를 준비하는 단계; (b) 상기 투명기재의 일측에 몰드를 통해 임프린트(Imprint)하여 수지층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 수지층에 일정 패턴을 이루되, 전도성과 반사방지를 위한 은 나노 젤(Silver Nano Gel) 잉크 또는 은 나노 젤 - 카본 나노(Silver Nano Gel - Carbon Nano) 혼합 잉크 중 어느 하나로 이루어진 반사방지 전극층을 동시에 진행하여 형성하는 단계; 를 포함하되, 상기 은 나노 젤은 은 나노 산화물 수용액, 고분자 바인더 및 환원제를 혼합하여 반응시킨 후, 원심 분리를 통해 일정량의 고분자 바인더를 제거하고, 하이드록시 에틸 셀룰로오스를 첨가하여 이루어짐으로써, 전도성과 반사방지를 위한 인쇄 공정을 동시에 진행하여 작업효율을 향상시키고, 전도성을 향상시킬 수 있으며, 블레이딩(Blading) 또는 스퀴지(Squeegee) 방식으로 인쇄하여 스퀴지가 잘 이루어지면서도 열과 압력에 강한 투명 전극을 제공할 수 있고, 수지층의 손상없이 잉크 잔여물을 쉽게 제거할 수 있게 된다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用银纳米凝胶制造用于触摸屏的透明电极的方法。 该方法包括以下步骤:(a)制备透明基材; (b)通过模具在透明基材的一侧上印刷树脂层; 和(c)在树脂层上形成预定图案,同时形成由银纳米凝胶油墨或银纳米凝胶 - 碳纳米混合油墨中的任何一种制成的防反射电极层,以获得导电性和防止反射,其中银纳米颗粒 通过混合银纳米氧化物溶液,聚合物粘合剂和还原剂,将它们反应,通过离心除去预定量的聚合物粘合剂,并加入羟乙基纤维素形成凝胶。 因此,通过同时进行用于获得导电性和防止反射的印刷工艺,可以提高工作效率,可以提高导电性,可以提供透明电极以容易地形成刮板并通过印刷树脂层和反射来提供耐热和耐压性 防刮电极层,并且油墨残留物可以容易地除去而不损坏树脂层。

    구리 나노 겔 조성물을 이용한 전도성 나노잉크 및 그 제조 방법
    57.
    发明授权
    구리 나노 겔 조성물을 이용한 전도성 나노잉크 및 그 제조 방법 有权
    使用铜纳米凝胶组合物的导电性纳米油墨及其制备方法

    公开(公告)号:KR101433639B1

    公开(公告)日:2014-08-28

    申请号:KR1020130023498

    申请日:2013-03-05

    Applicant: (주) 파루

    Abstract: Provided in the present invention is a conductive copper nano ink comprising a copper gel composition dispersed in an organic solvent. The copper nano ink of the present invention has an excellent dispersibility of nanoparticles, can be sintered by a thermal treatment under relatively low temperature of 100-300°C, and includes a fine polymer film surrounding copper nanoparticles not to be oxidized even after a thermal treatment in air, thus forming a copper pattern with an excellent conductivity.

    Abstract translation: 本发明提供一种包含分散在有机溶剂中的铜凝胶组合物的导电性铜纳米油墨。 本发明的铜纳米油墨具有优异的纳米颗粒分散性,可以在100-300℃的较低温度下通过热处理进行烧结,并且包括即使在热处理后也不会被氧化的铜纳米颗粒的微细聚合物膜 在空气中处理,从而形成具有优异导电性的铜图案。

    저전압용 RFID 태그 제조 방법 및 이를 이용한 RFID 태그
    59.
    发明授权
    저전압용 RFID 태그 제조 방법 및 이를 이용한 RFID 태그 有权
    用于低驱动电压的RFID标签生产方法和RFID标签

    公开(公告)号:KR101433638B1

    公开(公告)日:2014-08-25

    申请号:KR1020130051210

    申请日:2013-05-07

    Applicant: (주) 파루

    CPC classification number: G06K19/022 G06K19/07718 G06K19/07773 H05K1/09

    Abstract: Disclosed are a method to manufacture an RFID tag for a low voltage and the RFID tag using the same. The method of manufacturing the RFID tag for a low voltage having a predetermined memory capacity is by firstly to print out a transistor (TR) based on a P-type single-wall carbon nanotube (SWNT) on a flexible film substrate; and then to print out an RFID tag circuit of a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) type by switching a predetermined P-type TR to an N-type SWNT-based transistor by using an N-doping ink on the surface, thereby enabling to manufacture the RFID tag for a 4-96 bit low-voltage capable of driving a DC 5V.

    Abstract translation: 公开了一种制造低电压RFID标签的方法和使用其的RFID标签。 制造具有预定存储容量的低电压的RFID标签的方法是首先在柔性膜基板上印刷基于P型单壁碳纳米管(SWNT)的晶体管(TR); 然后通过在表面上使用N掺杂油墨将预定的P型TR切换到N型SWNT基晶体管,从而打印互补金属氧化物半导体(CMOS)型的RFID标签电路,从而能够 制造能够驱动DC 5V的4-96位低电压的RFID标签。

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