菲咯啉衍生物的结晶及其制造方法以及使用其的发光元件

    公开(公告)号:CN115335385A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202180023209.8

    申请日:2021-03-25

    Abstract: 本发明的目的是提供适合作为发光元件材料而使用的化学纯度高、残留溶剂量少的菲咯啉衍生物的结晶及其制造方法,提供具有通式(1)所示的结构,并且在粉末X射线衍射中,在衍射角2θ(°)为6.7±0.2、8.2±0.2、13.7±0.2、17.7±0.2和22.2±0.2处分别具有峰的菲咯啉衍生物的结晶(称为B型结晶),以及具有通式(1)所示的结构,并且在粉末X射线衍射中,在衍射角2θ(°)为5.0±0.2、7.5±0.2、8.7±0.2、12.5±0.2和17.3±0.2处分别具有峰的菲咯啉衍生物的结晶(称为C型结晶)。此外,提供作为适合于获得C型结晶的结晶的、具有通式(1)所示的结构,并且在粉末X射线衍射中,在衍射角2θ(°)为5.2±0.2、7.0±0.2、16.4±0.2、20.0±0.2和23.6±0.2处分别具有峰的菲咯啉衍生物的结晶。(X表示亚苯基或亚萘基。)

    发光元件材料及发光元件

    公开(公告)号:CN101835874B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN200880113149.3

    申请日:2008-11-21

    Abstract: 本发明提供一种发光元件材料及使用其的发光元件,所述发光元件材料通过含有通式(1)表示的蒽化合物可以得到高效率且耐久性优异的发光元件。(R1~R16相同或不同,分别表示选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、及与相邻取代基之间形成的环结构中的基团。其中,R9~R16中的任一个用于与A连接。R17~R20相同或不同,分别表示选自氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、及甲硅烷基中的基团。R21表示选自氢原子、直链烷基、环烷基、杂环基、烷氧基、烷基硫基、芳基、杂芳基、氨基、甲硅烷基、及与相邻取代基之间形成的环结构中的基团。A表示亚芳基。n为1或者2。X为氧原子或者硫原子。)

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