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公开(公告)号：CN114124100B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202111457615.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明提供了一种具有背景失配校准的噪声整形SAR ADC，属于集成电路技术领域。本发明所采用的SAR ADC架构类似于通用SAR ADC，结构包括采样和保持(S/H)模块、二进制加权电容式DAC(CDAC)、SAR逻辑块、比较器和数字加法器；所呈现的拓扑与通用SAR ADC的不同之处在于，它嵌入了两个附加模块：噪声整形和DAC校准模块。偶尔激活的校准模块能够通过使用一组子DAC的机制执行DAC失配校准；在典型的SAR转换中通常被丢弃的残差信息Vresidue则被NS块重新使用，从而可以改变带内比较器噪声和量化噪声。本发明将NS‑SAR与新的背景校准相结合，同时结合了ΣΔ和SAR架构的优点，实现了高精度低功耗架构，并且克服了比较器噪声和DAC失配误差对电路的限制。
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公开(公告)号：CN113746464B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202111035555.6
申请日：2021-09-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路，通过电压比较器和单输入双输出直流稳压电源转换器控制LDMOS关态和开态的衬底电压，在提高关态击穿电压的同时保证开态性能不变，改善了两者的折衷关系。在实际制造过程中，采用常规的CMOS工艺就可以实现该技术，无需增加额外掩模版和工艺流程，制备简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN116825817A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202311019567.9
申请日：2023-08-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了基于介质定位的浮空场限环功率器件及制备方法，包括器件主体、高K介质槽区和P型浮空场限环；器件主体包括N型掺杂的半导体漂移区；高K介质槽区等间距布设在半导体漂移区的顶部中心，且包括凹槽和填充在凹槽内的高K介质；位于高K介质槽区之间的有源层形成为半导体岛区；半导体岛区通过P型掺杂形成P型浮空场限环，且P型浮空场限环的结深大于高K介质槽区的深度。凹槽为条状槽、网状槽或矩形槽等。本发明的P型浮空场限环基于介质凹槽进行定位，能减少掩膜等工艺步骤，凹槽内淀积的高K介质能有效调制表面电场并避免表面电荷对P型浮空场限环的影响，从而提高击穿电压，同时提高漂移区浓度，降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN116317692A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310419108.3
申请日：2023-04-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种基于翻转电容复用技术的多压电源能量收集前端电路，包括压电换能电路、过零检测电路、脉冲产生电路、压电换能器选择电路、脉冲排序电路、开关驱动电路、电源管理电路、翻转电容电路和储能电容电路；本发明在环境中存在较弱振动时，通过多压电换能器提高能量收集前端电路的输出功率，同时，为解决多压电换能器面临的接口电路储能元件的线性增加，通过电路设计实现多压电换能器复用同一翻转电容，最终实现输出功率提升的同时减小压电能量收集前端电路的尺寸，在复用翻转电容减小电路尺寸的基础上实现更高的输出功率。
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公开(公告)号：CN115933795B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310016707.0
申请日：2023-01-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种应用于电源管理单元的超低功耗基准电流源电路，涉及模拟集成电路设计技术领域，包括工艺角补偿偏置电路、负温度系数偏置产生电路以及电流基准输出级电路，工艺角补偿偏置电路用于产生偏置电压来补偿阈值电压的不同工艺角变化；负温度系数偏置产生电路用于产生与绝对温度负相关的电压；电流基准输出级电路用于输出基准电流，从而针对不同工艺角的变化引入基于栅极补偿MOS管阈值电压温度系数的电流基准，既得到了pA级的基准电流，也减小了芯片面积，提高了系统的工作性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115800927B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310046966.8
申请日：2023-01-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于占空比检测的晶体振荡器，包括第一反相器，电阻，第一、第二负载电容，第一~四开关，石英晶体，缓冲器，采样保持模块，第一、第二比较器，相位转换模块，数字控制模块和能量注入模块。所述石英晶体一端用于信号注入，对石英晶体的另一端信号通过采样处理，经第一比较器获得表征相位误差累积的信息，即占空比在不断变化的信号，最终通过相位转化模块和第二比较器对占空比进行检测，得到相位切换的准确时刻。本发明在实现低功耗的基础上，通过检测占空比和精准地切换相位，保证了能量可持续性地注入，实现了晶体振荡器的快速启动。
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公开(公告)号：CN115966596A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310234418.8
申请日：2023-03-13
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种分离槽横向双扩散功率器件及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。该器件包括从下至上依次叠设的半导体衬底和有源区；有源区包括半导体漏区、半导体漂移区和半导体阱区，半导体阱区包含半导体源区和半导体体接触区；在半导体漂移区及栅极区域有源区刻蚀出分离槽及栅极凹槽，分离槽和栅极凹槽底部及四周填充高介电常数介质材料，随后使用二氧化硅将分离槽填满，分离槽及栅极凹槽的刻蚀、淀积均可同时进行；分离槽结构的漂移区纵向拓展电流传导区域并增加高介电常数介质调制面积，有效提高漂移区掺杂浓度；使用高介电常数介质材料制备的槽型栅MIS电容增大，电子积累层密度增大，在保证耐压不变的情况下降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN115357949B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202211299122.6
申请日：2022-10-24
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于硬件安全技术领域，公开了一种基于环形振荡器PUF的加密测试电路，包括密钥生成模块电路、测试向量输入与判决模块电路和安全扫描链电路；所述密钥生成模块电路产生密钥寄存在安全扫描链电路中；所述测试向量输入与判决模块电路判断输入的明文对汉明距离进行判断，输出判断信号为1或0，从而判断进入安全扫描链电路的为随机序列和正确的扫描测试向量的异或值或正确的扫描测试向量。本发明在解决电压影响的基础上减小PUF的面积以及功耗，生成密钥，并且对密钥进行进一步保护。
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公开(公告)号：CN115498998A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211419950.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于相位误差自动校正的高频晶体振荡器，包括高频晶体、负载电容、两个单刀双掷开关、环形振荡器、8分频电路、扭环形计数器、峰值检测器、缓冲器、数字模块、多路选择器和放大器，本发明在电路对高频晶体进行能量注入的同时，检测注入信号与晶体振荡信号之间的相位误差并自动校正，使相位误差始终小于45°。本发明保证了高频晶体内部能量持续高效的线性增长，大大降低晶体达到稳定振荡幅度所需的启动时间，实现快速启动；且基于相位误差自动校正技术，本发明在极大地降低启动时间的同时，大幅降低了产生能量注入信号的信号源频率精度要求，本发明显著地提升了芯片良率。
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公开(公告)号：CN114912342A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210312686.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06Q10/06 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于多质量参数的封装引线键合工艺参数优化方法，先获取与引线键合质量参数相关的工艺参数和每个工艺参数的取值范围，随机组合工艺参数，通过实验和仿真收集不同工艺参数条件下的引线键合的质量参数，生成数据集，基于神经网络进行训练；结合质量参数预测模型生成目标函数，设置初始参数集合并导入质量参数预测模型，得到相应的质量参数的实时预测值；将新的工艺参数集合导入质量参数预测模型，得到满足设计要求的质量参数。本发明利用贝叶斯优化算法，自动简单地优化引线键合的工艺参数，使得最终优化过后的工艺参数的质量参数能够达到目标值，从而降低人力、物力耗费，具有成本低，速度快，精度高等优势。
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