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公开(公告)号：CN108122766A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710423492.9
申请日：2017-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/3115
CPC classification number: H01L29/7856 , H01L21/02321 , H01L21/02323 , H01L21/28158 , H01L21/3115 , H01L21/31155 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/401 , H01L29/42364 , H01L29/495 , H01L29/512 , H01L29/513 , H01L29/66795 , H01L29/7843 , H01L29/7851
Abstract: 一种半导体元件的制成方法，包括使用含氧材料掺杂层间介电层(ILD)的第一部分，其中层间介电层是在基板上方。此方法进一步包括使用较大种类材料掺杂层间介电层的第二部分。第二部分包括在第一部分下方的层间介电层的区域，且第二部分与基板分离。此方法进一步包括退火层间介电层。
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公开(公告)号：CN106653833A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610534560.4
申请日：2016-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种鳍式场效晶体管装置与形成鳍式场效晶体管装置的方法。鳍式场效晶体管装置包含设置在第一半导体鳍片上的n型栅极结构，其中n型栅极结构包含有设置在第一高介电常数介电层上的n型功函数金属层。n型功函数金属层包含有钛铝合金，其中钛对铝的原子比实质介于1至3之间。鳍式场效晶体管装置还包含设置在第二半导体鳍片上的p型栅极结构，其中p型栅极结构含有设置在第二高介电常数介电层上的p型功函数金属层。p型功函数金属层包含氮化钛，其中钛对氮的原子比实质介于1:0.9至1:1.1之间。
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公开(公告)号：CN106486549A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610657160.2
申请日：2016-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 在制造FinFET中的操作包括提供具有鳍结构的衬底，其中，鳍结构的上部具有第一鳍表面轮廓。在衬底上形成与鳍结构接触的隔离区域。通过蚀刻工艺凹进隔离区域的部分以形成凹进部分和暴露鳍结构的上部，该凹进部分具有第一隔离表面轮廓。对鳍结构和凹进部分应用热氢处理。通过热氢处理，在鳍结构上方形成具有基本上均匀厚度的栅极介电层，其中，将凹进部分从第一隔离表面轮廓调节至第二隔离表面轮廓且将鳍结构从第一鳍表面轮廓调节至第二鳍表面轮廓。本发明实施例涉及用于FINFET器件中的栅极氧化物的均匀性的平坦STI表面。
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公开(公告)号：CN106098554A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510764195.1
申请日：2015-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 描述了栅极上的缓冲层及其形成方法。根据一个方法实施例，形成栅极结构。该栅极机构包括位于衬底上方的栅极电介质，位于栅极电介质上方的功函调整层，位于功函调整层上方的含金属材料。缓冲层形成在含金属材料上。介电材料形成在缓冲层上。根据一种结构实施例，栅极结构包括高k栅极电介质和金属栅电极。缓冲层位于金属栅电极上。电介质盖位于缓冲层上。层间电介质位于衬底上方以及围绕栅极结构。层间电介质的顶面与电介质盖的顶面共面。
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公开(公告)号：CN106067422A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201510790930.6
申请日：2015-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体结构的方法。多个沟槽形成在衬底中。沟槽限定位于其之间的至少一个鳍。鳍被氢退火。介电材料形成在沟槽中。沟槽中的介电材料被凹入。本发明还提供了一种半导体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105742343A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510777147.6
申请日：2015-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823456 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/6681 , H01L29/7856 , H01L29/42356 , H01L29/401
Abstract: 根据一些实施例本发明提供了一种半导体结构。半导体结构包括半导体衬底；以及设置在半导体衬底上的栅极堆叠件；其中，栅极堆叠件包括高k介电材料层以及设置在高k介电材料层上的各个金属层，其中，栅极堆叠件具有凸顶面。本发明实施例涉及用于3D FINFET金属栅极的结构和方法。
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公开(公告)号：CN105261637A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510403987.6
申请日：2015-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/42356 , H01L29/401
Abstract: 本发明实施例公开了一种具有作为功函数层和/或多功能阻挡/润湿层的碳氮化铝钛(TiAlCN)的金属栅极堆叠件及其制造方法。在实例中，集成电路器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的栅极堆叠件。栅极堆叠件包括设置在半导体衬底上方的栅极介电层、设置在栅极介电层上方的多功能阻挡/润湿层，其中多功能阻挡/润湿层包括TiAlCN、设置在多功能阻挡/润湿层上方的功函数层以及设置在功函数层上方的导电层。
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公开(公告)号：CN103151296B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210208661.4
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/764 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底和覆盖半导体衬底的低K介电层。低K介电层的第一部分包括介电材料，并且低K介电层的第二部分包括气隙，其中，第一部分和第二部分彼此横向设置。还公开了形成低K介电层的一种方法，包括：在半导体衬底上方形成介电层；形成多个气隙，多个气隙在介电层中彼此横向设置；以及在介电层和气隙上方形成覆盖层。本发明还提供了部分气隙低K沉积的集成技术。
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公开(公告)号：CN104051479A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310451790.0
申请日：2013-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器件及用于制造图像传感器件的方法。示例性图像传感器件包括具有正面及背面的衬底，设置在衬底正面处的多个传感器元件。多个传感器元件的每个可操作以感测投射向衬底背面的辐射。图像传感器也包括设置在衬底背面上方的高k介电网格。高k介电网格具有高k介电沟槽及侧壁。图像传感器也包括设置在高k介电网格上方的滤色器及微透镜。本发明还公开了用于半导体器件的高K介电网格结构。
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公开(公告)号：CN103151296A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210208661.4
申请日：2012-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/764 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底和覆盖半导体衬底的低K介电层。低K介电层的第一部分包括介电材料，并且低K介电层的第二部分包括气隙，其中，第一部分和第二部分彼此横向设置。还公开了形成低K介电层的一种方法，包括：在半导体衬底上方形成介电层；形成多个气隙，多个气隙在介电层中彼此横向设置；以及在介电层和气隙上方形成覆盖层。本发明还提供了部分气隙低K沉积的集成技术。
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