用于提升CVD单晶金刚石品质的籽晶连续减薄等离子体退火方法

    公开(公告)号:CN111778553A

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN202010743770.0

    申请日:2020-07-29

    Abstract: 用于提升CVD单晶金刚石品质的籽晶连续减薄等离子体退火方法,本发明属于金刚石制备领域,它为了解决现有籽晶预处理方式难以处理籽晶内部原有缺陷及内应力的问题。等离子体退火方法:一、采用激光切割将目标籽晶沿厚度方向切割成两片籽晶,对目标籽晶的激光切割面进行抛光处理;二、籽晶放入MPCVD金刚石生长设备中,抽真空,向腔体内通入氢气并点燃等离子体进行等离子体退火处理;三、依次重复切割抛光处理以及等离子体退火处理多次,得到高品质薄籽晶。本发明通过减薄籽晶与等离子体退火交替反复进行,能够有效降低籽晶内部原有缺陷密度,并不断释放内应力,且能够将一块品质一般的较厚籽晶,处理得到若干品质较优的薄籽晶。

    量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法

    公开(公告)号:CN101571886B

    公开(公告)日:2011-05-11

    申请号:CN200910072263.2

    申请日:2009-06-12

    Abstract: 量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法,它涉及一种量子阱红外探测器材料结构的设计方法。针对采用常规量子阱红外探测器材料的分子束外延方法,材料生长速率慢、成本高、不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化问题。方法是:建立物理模型、求解特征能级和波函数、求解总电子密度、利用泊松方程求解新的静电势能、静电势能判断、输出结果、预制微扰自洽迭代。量子阱探测器的结构设计包含了势阱厚度、势垒厚度、势垒高度(铝的含量)、掺杂浓度及总周期数等参数,本发明能结合特定探测器性能要求,综合考虑各种因素确定所需生长的具体的量子阱红外探测器材料,并具有材料生长速率快、成本低、适宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的优点。

    一种温度敏感触头及分布式温度传感系统

    公开(公告)号:CN114112100B

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202111623400.4

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本发明涉及温度传感技术领域,尤其涉及一种温度敏感触头及分布式温度传感系统,该温度敏感触头包括金刚石基板、金属衬底和壳体;金刚石基板具有NV色心;金属衬底为周期性纳米金属结构,铺设在金刚石基板一侧的表面上,构成金刚石超表面,用于增强637nm波长等离子体信号;壳体套设在金刚石基板和金属衬底的外部,且设有输入光纤耦合口、输出光纤耦合口和波导耦合口;输入光纤耦合口和输出光纤耦合口均设置在金属衬底远离金刚石基板的一侧,且与金属衬底之间存在谐振空腔;波导耦合口为空心结构,穿入壳体,设于金刚石基板和金属衬底的一端。本发明可实现对温度的精准探测,且集成度高。

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