公开(公告)号：CN103887443B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310708062.3

申请日：2013-12-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 横山浩平 ,  小坂知裕 ,  下敷领文一 ,  川户伸一 ,  菊池克浩 ,  二星学 ,  越智贵志 ,  塚本优人 ,  大崎智文

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5072 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明的一个方式抑制发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一下部电极；第二下部电极；隔壁；导电性高的层；发光层；以及上部电极，其中，导电性高的层的导电性高于发光层且低于第一下部电极及上部电极的每一个，隔壁具有位于第一下部电极一侧的第一斜面及位于第二下部电极一侧的第二斜面，关于位于第一斜面上的导电性高的层的垂直于第一斜面的方向上的厚度与位于第二斜面上的导电性高的层的垂直于第二斜面的方向上的厚度不同。

公开(公告)号：CN106463634A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580029523.1

申请日：2015-06-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 矶村良幸 ,  菊池克浩 ,  川户伸一 ,  内田秀树 ,  二星学 ,  井上智 ,  塚本优人

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/24 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L51/504 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/322 ,  H01L51/002 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/506 ,  H01L51/5064 ,  H01L51/5068 ,  H01L51/5076 ,  H01L51/508 ,  H01L51/5084 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5265 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/56

Abstract: 有机EL元件(1)具备：阳极(4)；阴极(5)；设置在该阳极(4)与阴极(5)之间的发光层(6)；设置在阳极(4)与发光层(6)之间的空穴输送层输送层(9)，其中，阴极(5)由反射电极构成。电子输送层(9)由添加有n型的掺杂材料的掺杂电子输送层(9b)和未添加n型的掺杂材料的无掺杂电子输送层(9a)构成，在该掺杂电子输送层(9b)与无掺杂电子输送层(9a)的界面，设置有对来自发光层(6)的光进行反射的第一反射面(11)。(7)；和设置在阴极(5)与发光层(6)之间的电子

公开(公告)号：CN104037195A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410083251.0

申请日：2014-03-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 千田尚之 ,  道前芳隆 ,  横山浩平 ,  二星学 ,  塚本优人 ,  井上智 ,  川户伸一 ,  菊池克浩

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L27/3246 ,  H01L33/58 ,  H01L51/5044

Abstract: 本发明抑制发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：绝缘层416；形成在所述绝缘层上的第一下部电极421a；形成在所述绝缘层上的第二下部电极421b；形成在所述绝缘层上且位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的结构物419；形成在所述绝缘层上且位于所述结构物与所述第一下部电极之间的第一隔壁418a；形成在所述绝缘层上且位于所述结构物与所述第二下部电极之间的第二隔壁418b；形成在所述第一下部电极、所述第一隔壁、所述结构物、所述第二隔壁及所述第二下部电极上的第一发光单元423a；形成在所述第一发光单元上的中间层424；形成在所述中间层上的第二发光单元423b；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极422。

公开(公告)号：CN103872260A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310681327.5

申请日：2013-12-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 池田寿雄 ,  二星学 ,  塚本优人

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/529 ,  H01L23/29 ,  H01L51/524 ,  H05B33/04 ,  H01L51/525 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的发光装置。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：衬底101；形成于所述衬底上的有机EL元件110；与所述衬底对置配置的对置衬底102；形成于所述对置衬底上并与所述有机EL元件对置的多个凸结构102a；以及配置于所述衬底与所述对置衬底之间的液体或固体等热导体135a。其中，所述多个凸结构及所述有机EL元件都与所述热导体接触。

公开(公告)号：CN103781215A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310487747.X

申请日：2013-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 波多野薰 ,  千田尚之 ,  二星学 ,  菊池克浩 ,  川户伸一 ,  越智贵志 ,  塚本优人 ,  小坂知裕 ,  大崎智文

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/02 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L33/36 ,  H01L27/3209 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5044 ,  H01L51/525

Abstract: 本发明的课题是抑制具有串联元件的发光装置的串扰现象的发生。本发明的一个方式是一种发光装置，该发光装置包括：形成在绝缘层上的第一下部电极、第二下部电极；形成在所述绝缘层上并位于所述第一下部电极与所述第二下部电极之间的隔壁；形成在所述隔壁上的突起物；形成在所述第一下部电极、所述隔壁、所述突起物和所述第二下部电极的每一个上的第一发光单元；形成在所述第一发光单元上的中间层；形成在所述中间层上的第二发光单元；以及形成在所述第二发光单元上的上部电极，其中由所述突起物的侧面和所述隔壁的侧面形成凹处。