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公开(公告)号：CN102170090A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110082164.X
申请日：2005-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件。该发光元件包括：具有六方晶系结晶的氮化物基III-V族化合物半导体层；形成在该氮化物基III-V族化合物半导体层中的光谐振器；和形成在该光谐振器端面的端面涂膜，其中，粘合层形成在该光谐振器的该端面和该端面涂膜之间，至少部分的该端面涂膜或粘合层包含AlNxOy，其中x＜1，y＜1，x+y＝1。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。
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公开(公告)号：CN102144342A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980134707.9
申请日：2009-09-03
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。
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公开(公告)号：CN101540477B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910138134.9
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0243 , H01L21/02433
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN1805230B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200510136195.3
申请日：2005-12-20
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。六方晶系结晶的粘合层设置在具有氮化物基III-V族化合物半导体层的氮化物激光棒的光谐振器端面上，并且端面涂膜设置在粘合层上。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。
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公开(公告)号：CN101931164A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010258196.6
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101645481A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910140670.2
申请日：2005-02-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/223 , H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L33/007 , H01S5/0202 , H01S5/2004 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。
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公开(公告)号：CN101499618A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910007988.3
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00 , H01L21/318 , H01L21/316 , H01S5/028
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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公开(公告)号：CN100508311C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200510119342.6
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0243 , H01L21/02433
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN100431229C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200610121688.4
申请日：2006-08-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 对具有氮化物半导体层的衬底解理，以形成谐振器端面，在所述谐振器端面上形成涂覆膜，从而制成氮化物半导体激光棒。将其划分为氮化物半导体激光元件。在谐振器端面形成涂覆膜之前，将谐振器端面暴露于由含有氮气的气体生成的等离子体气氛中。当以“a”表示所述暴露之前所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“b”表示在所述暴露之前自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值，以“d”表示在暴露于所述等离子体气氛之后所述谐振器端面的表面内的氮镓比率，以“e”表示在所述暴露之后自所述谐振器端面的表面起的内部的氮镓比率的平均值时，将由g＝(b·d)/(a·e)表示的值“g”设为满足g≥0.8的值。
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