公开(公告)号：CN109599435A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811148550.2

申请日：2018-09-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原健吾 ,  大东彻 ,  今井元 ,  菊池哲郎 ,  铃木正彦 ,  西宫节治 ,  上田辉幸

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种薄膜晶体管，进一步增大漏极电流。TFT(10)具备：沟道部(15)，其包括半导体材料；源极电极(13)，其连接到沟道部(15)的一端侧；漏极电极(14)，其连接到沟道部(15)的另一端侧；上层侧栅极电极(11)，其在沟道部(15)的上层侧以与沟道部(15)重叠的方式配置；下层侧栅极电极(12)，其在沟道部(15)的下层侧以与沟道部(15)重叠的方式配置；上层侧栅极绝缘膜(16)，其配置为介于上层侧栅极电极(11)与沟道部(15)之间；以及下层侧栅极绝缘膜(17)，其配置为介于下层侧栅极电极(12)与沟道部(15)之间，其膜厚(T1)与上层侧栅极绝缘膜(16)相比相对较大。

公开(公告)号：CN107112365A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070477.X

申请日：2015-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  大东彻 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41

Abstract: 半导体装置(100)具备基板(10)和薄膜晶体管(5)，其中，所述薄膜晶体管(5)由基板支撑，并包括栅极电极(12)、氧化物半导体层(18)、设置于栅极电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层(20)、以及与氧化物半导体层电性连接的源极电极(14)及漏极电极(16)，漏极电极具有向氧化物半导体层突出的形状，将薄膜晶体管的通道宽度方向上的氧化物半导体层的宽度设为宽度W1，与漏极电极的突出方向正交的方向上的所述漏极电极的宽度设为宽度W2的情况下，宽度W1和所述宽度W2之间满足|W1‑W2|≤1μm的关系，并且，宽度W1及宽度W2为大于等于3μm并小于等于6μm。

公开(公告)号：CN107004603A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064209.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。

公开(公告)号：CN102652330B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201080056072.8

申请日：2010-12-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  锦博彦 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  原猛 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川兴史 ,  春本祥征

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248

Abstract: 半导体装置具有：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极配线(3a)、第一绝缘膜(5)、岛状的氧化物半导体层(7a)、第二绝缘膜(9)、源极配线(13as)、漏极电极(13ad)和保护膜；和端子部，该端子部包括由与栅极配线相同的导电膜形成的第一连接部(3c)、由与源极配线和漏极电极相同的导电膜形成的第二连接部(13c)和在第二连接部上形成的第三连接部(19c)，第二连接部在设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜的第一开口部(11c)内与第一连接部接触，第三连接部(19c)在设置于保护膜的第二开口部(17c)内与第二连接部接触，第二连接部(13c)覆盖第一开口部(11c)的第一绝缘膜和第二绝缘膜的端面，并且不覆盖第二开口部(17c)的保护膜(15)的端面。由此，能够高精度地控制端子部的接触孔的锥形形状。

公开(公告)号：CN102893315B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201180022972.5

申请日：2011-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  近间义雅 ,  水野裕二 ,  太田纯史 ,  吉田德生 ,  中川兴史 ,  春本祥征 ,  宫本惠信 ,  山下彻也

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1345 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244

Abstract: 一种有源矩阵基板(20a)，包括：呈矩阵状设置的多个像素电极(18a)；和多个TFT(5)，该多个TFT(5)与各像素电极(18a)分别连接且包括设置于绝缘基板(10a)的栅极电极(11a)、以覆盖栅极电极(11a)的方式设置的栅极绝缘膜(12a)、在栅极绝缘膜(12a)上以与栅极电极(11a)重叠的方式设置有沟道区域(C)的半导体层(16a)、和在栅极绝缘膜(12a)上以隔着半导体层(16a)的沟道区域(C)彼此分离的方式利用铜或铜合金设置的源极电极(15aa)和漏极电极(15b)，半导体层(16a)利用氧化物半导体以覆盖源极电极(15aa)和漏极电极(15b)的方式设置。

公开(公告)号：CN102906804A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180024993.0

申请日：2011-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山下彻也 ,  吉田德生 ,  近间义雅 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  春本祥征 ,  宫本惠信

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262

Abstract: 各TFT（5a）包括：设置在基板（10）的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11a）重叠的方式设置有沟道区域（C）的、包括氧化物半导体的半导体层（13a）；和在半导体层（13a）上以隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（15aa）和漏极电极（15b），各辅助电容（6a）包括：与栅极电极（11a）在相同层利用相同材料设置的电容线（11b）；以覆盖电容线（11b）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；以在栅极绝缘膜（12）上与电容线（11b）重叠的方式使用氧化物半导体设置的电容中间层（13c）；和在电容中间层（13c）上设置的电容电极（15b），电容中间层（13c）具有导电性。

公开(公告)号：CN102696112A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080058007.9

申请日：2010-08-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 近间义雅 ,  胜井宏充 ,  锦博彦 ,  太田纯史 ,  水野裕二 ,  原猛 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  竹井美智子 ,  中川兴史 ,  春本祥征

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 呈矩阵状设置的多个像素电极（P）；和分别与各像素电极（P）连接的多个TFT（5），各TFT（5）具有：设置于绝缘基板的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12a）；以在栅极绝缘膜（12a）上与栅极电极（11a）重叠的方式设置的氧化物半导体层（13a）；和以互相对峙的方式设置、且分别与氧化物半导体层（13a）连接的源极电极（17a）和漏极电极（17b），在源极电极（17a）和漏极电极（17b）与氧化物半导体层（13a）之间，以覆盖氧化物半导体层（13a）的方式设置有保护绝缘膜（14a）。

公开(公告)号：CN102473727A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029375.0

申请日：2010-03-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田纯史 ,  森豪 ,  锦博彦 ,  近间义雅 ,  会田哲也 ,  铃木正彦 ,  中川兴史 ,  竹井美智子 ,  春本祥征 ,  原猛

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/22 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/10 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。