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公开(公告)号：CN119024466A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410966948.6
申请日：2024-07-18
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种准BIC光滤波器及其手性调控方法，涉及光学超表面技术领域，包括：光滤波器基于超表面结构，超表面包括若干个方形晶格，每个方形晶格上刻蚀有中断的环形槽；破坏超表面方形晶格中环形槽的面内反转结构对称性至超表面支撑准BIC模式，具体包括将中断环形槽的其中一个槽的一端延长一段距离的同时，相邻槽邻近的一端同时缩短相同的距离，得到在准BIC频点处，将超表面x方向的横磁波切换RCP和LCP时的透射率，根据RCP和LCP的透射率对超表面的圆二色性进行手性调控。
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公开(公告)号：CN117977214A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311371895.5
申请日：2023-10-20
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供了一种涉及天线技术领域的圆锥共形涡旋波超表面透射阵天线，包括透射阵和馈源，馈源固定于透射阵1正中心产生电磁波，透射阵采用单元旋转布阵构成圆锥超表面透射阵结构；单元包括介质板、C型金属贴片以及光栅，C型金属贴片和光栅分别连接于介质板上，透射阵通过调整C型金属贴片的开口角度和旋转角度进行360°相位覆盖。本发明将透射阵与圆锥共形并产生涡旋波，主要解决现有技术中复杂非平面系统无法实现极化转化和涡旋波生成的问题，且能应用于许多空间受限的场景和可穿戴通信系统。
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公开(公告)号：CN117709132A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410163721.8
申请日：2024-02-05
Applicant: 安徽大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/12 , H02S50/10 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池内部损耗机制的诊断方法，涉及太阳能电池领域，太阳能电池包括阳极和阴极，所述阴极与所述阳极之间从上到下依次设置有电子传输层、活性层和空穴传输层；诊断方法包括以下步骤：S1：使用太阳能电池多物理场仿真平台对太阳能电池进行建模，通过调控太阳能电池活性层体缺陷、表面缺陷以及电压扫描速率仿真出A、B、C、D四种类型的太阳能电池JV曲线图；S2：对太阳能电池进行正向电压扫描，得到正向JV曲线图；再进行反向电压扫描，得到反向JV曲线图，根据所得到的正反向两种曲线图判断JV曲线图是A、B、C、D类型中的哪一类；本发明根据仿真出来的JV曲线类型进行分析，诊断其对应的太阳能电池内部损耗机制。
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公开(公告)号：CN117263664A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311315343.2
申请日：2023-10-11
Applicant: 安徽大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/622 , C04B41/88 , C03C6/04 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种毫米波超低介低损耗LTCC材料及其制备方法和生瓷带及其制备方法，LTCC材料和生瓷带的原料包括镁锂硼硅玻璃、氧化铝和氧化硅；所述镁锂硼硅玻璃的原料包括氧化镁、碳酸锂、氧化硼和氧化硅，且所述氧化镁、碳酸锂、氧化硼和氧化硅的质量比为10～20：10～20：20～30：30～60。本发明制备的LTCC材料和生瓷带的相对介电常数εr在3.2～4.8之间，介电损耗小于等于0.001，抗弯强度为180‑200MPa，这将有助于降低在高频下电磁信号的传输损耗和增大信号传输速度。同时，本发明可在820～900℃下进行低温烧结，与Ag共烧匹配，有好的化学兼容性。
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公开(公告)号：CN116813341A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310775903.6
申请日：2023-06-27
Applicant: 安徽大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C03C6/04
Abstract: 本发明公开了一种中介电低损耗低温共烧陶瓷材料及其制备方法，陶瓷材料的原料包括MgZrNb2O8、氟化锂和硼铋锂锌硅玻璃；所述硼铋锂锌硅玻璃的原料按质量百分比包括：10‑30％的H3BO3、15‑35％的Bi2O3、10‑30％的Li2CO3、10‑20％的ZnO、15‑30％的SiO2。本发明提供的LTCC材料在850‑950℃烧结良好，硼铋锂锌硅玻璃/氟化锂复合烧结助剂和MgZrNb2O8陶瓷基体间不发生化学反应，同时降低了烧结温度，具有优异的介电性能，能与银电极共烧，可满足LTCC集成器件应用。
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公开(公告)号：CN116705855A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310702671.1
申请日：2023-06-14
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/78 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供的一种SOI MOSFET结构，包括衬底层、埋氧层、活性区、源电极、漏电极、栅介质层、栅电极及导热柱，埋氧层设置于衬底层的上表面，埋氧层的材质为SiO2，活性区设置于埋氧层的上表面，源电极和漏电极设置于活性区的上表面，栅介质层设置于源电极与漏电极之间；栅电极设置于栅介质层内，导热柱贯穿埋氧层，导热柱的顶壁与活性区接触。本发明设置了导热柱，从而活性区的热量可以经活性区下方的导热柱将热量散出，从而不会出现活性区晶格温度极度升高的情况，避免了漏电极电流的减小。
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公开(公告)号：CN116526113A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310741463.2
申请日：2023-06-20
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供了一种基于毫米波振子与sub‑6GHz环天线的共口径手机边框天线，包括振子天线、环天线、第一馈电点、第二馈电点、微带线以及芯片电感；振子天线设置在手机边框的内侧，并位于YOZ平面中，与Y轴之间具有夹角θ；环天线设置在手机边框外侧，并位于YOZ平面中，第一馈电点设置在位于XOY平面的外部介质板中，第一馈电点通过微带线连接振子天线的一端并为振子天线馈电，第二馈电点与芯片电感并列设置在环天线的顶部，第二馈电点为环天线馈电；通过第一馈电点馈电后的振子天线通过环天线向手机边框外辐射电磁波。本发明结构简单，将天线共口径设计的振子天线设置在手机边框上，能节省更多手机空间，且较易实现。
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公开(公告)号：CN114725671B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210503972.7
申请日：2022-05-10
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提出了一种双向圆极化单元天线及阵列天线，属于毫米波通信技术领域，包括：介质基板，以及嵌于介质基板表面的馈线、辐射贴片、第一平面、第二平面、第一耦合组件和第二耦合组件。本发明通过使单元天线的第一平面和第二平面保持不同的高度，相较于现有技术中使用高度相同的两个平面仅能够产生线极化辐射的方案，本发明能够产生圆极化辐射，解决了线极化失配的问题；进一步通过在辐射贴片两侧引入两个耦合组件，使之分别与辐射贴片发生耦合效应，在天线尺寸未增大的情况下，还大幅提高圆极化天线的频带带宽。
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公开(公告)号：CN116365224A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310235770.3
申请日：2023-03-13
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明涉及一种毫米波圆极化宽轴比波束磁电偶极子天线。第一介质基板、金属地层和第二介质基板从上至下相互平行排列；L形贴片、六边形贴片、开缝圆形贴片、金属圆环共同组成天线的辐射结构，且均位于第一介质基板的上表面；六边形贴片、开缝圆形贴片为L形贴片的寄生贴片，用于扩宽圆极化轴比带宽；金属圆环用于调节天线的表面电流分布，使得表面电流分布更加对称；耦合缝隙位于金属地层的正中间，耦合缝隙为金属地层中间的一个缝隙结构；L形贴片等效为电偶极子，耦合缝隙等效为磁偶极子。本发明能够扩宽天线的圆极化轴比带宽和轴比波束带宽。
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公开(公告)号：CN116315618A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310506371.6
申请日：2023-05-08
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种微型化多波束低频/5G/6G连续频率可调天线，包括：正电极、负电极、压电材料薄膜和电磁波辐射生成结构；所述正电极与直流电源的正极连接，所述负电极与直流电源的负极连接，所述正电极与所述负电极平行放置且上下位置对齐；所述正电极与所述负电极分别与所述压电材料薄膜的两侧表面分别贴合连接，且位于压电材料薄膜的四周；所述电磁波辐射生成结构附着在所述压电材料薄膜的一侧表面上。本发明实现电压馈电的多波束连续频率可调，且天线结构简单体积和尺寸小，便于安装在移动通信终端、人体还可以轻巧的搭载在无人装备上。
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