公开(公告)号：CN111524983A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010258865.3

申请日：2020-04-03

Applicant: 常州大学

Inventor： 袁宁一 ,  王芹芹 ,  丁建宁 ,  程广贵 ,  王书博

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域，具体提供了一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法；采用双面选择性发射极的结构，在硼掺杂的重掺杂区域为氧化铝代替氧化硅作为遂穿层的多晶硅结构，可达到超过>1E20atom/cm3的恒定表面浓度提升填充因子(FF)，而轻扩区域为单纯的硼掺杂，重扩和轻扩的硼掺杂工艺可在一步中实现，简化了流程。对于磷掺杂区域采用氧化硅作为遂穿层，重掺杂区域为双层多晶硅(poly)结构具有高表面浓度，改善金属化接触，轻扩区域为单层浅掺杂poly结构，进而提升开路电压(Voc)。双面选择性发射极的形成有效地利用了掩膜刻蚀的方式。此结构可有效的提升电池效率，且适合批量化生产。

公开(公告)号：CN110165059A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910370263.4

申请日：2019-05-06

Applicant: 常州大学 ,  江苏大学

Inventor： 丁建宁 ,  陈艺绮 ,  王书博 ,  袁宁一

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿太阳电池组件及其制备方法，首先按照图案在FTO导电玻璃上刻蚀掉部分FTO，之后在FTO上制备一系列栅线电极，然后制备电子传输层，钙钛矿层和空穴传输层，缓存层，之后划隔离线，然后按照图案制备透明电极，最后使用玻璃封装得到双面受光的钙钛矿太阳电池组件。本发明通过设计独特的子电池串联方式，得到了一种往复式串联结构的钙钛矿太阳电池组件，只需要一条隔离线，大大降低了组件制备工艺的复杂程度。

公开(公告)号：CN109346536A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811158665.X

申请日：2018-09-30

Applicant: 常州大学 ,  江苏大学

Inventor： 丁建宁 ,  叶枫 ,  袁宁一 ,  王书博 ,  李云鹏

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/054 ,  H01L31/056 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种接触钝化晶体硅太阳能电池结构及其制备方法，属于太阳能电池领域。太阳能电池以N型硅片或P型硅片作为基底，N型硅片基底受光面从下至上结构依次为：P+扩散层、氧化硅或氧化铝、氮化硅薄膜、栅线电极；N型硅片基底背面从上至下结构依次为：氧化硅或氧化铝、包裹金属纳米粒子的氧化铝薄膜、N型多晶硅、氮化硅薄膜、栅线电极；P型硅片基底受光面从下至上结构依次为：N+扩散层、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、栅线电极；P型硅片基底背面从上至下结构依次为：氧化硅或氧化铝、包裹金属纳米粒子的氧化铝薄膜、P型多晶硅、氮化硅薄膜、栅线电极，叠层之间存在相互协同作用，得到的太阳能电池能显著提高电池效率。

公开(公告)号：CN109216508A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811363985.9

申请日：2018-11-16

Applicant: 常州大学 ,  江苏大学

Inventor： 丁建宁 ,  李云鹏 ,  袁宁一 ,  叶枫 ,  王书博

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种抑制晶硅太阳能电池激光切半后效率降低的方法。包含以下步骤：太阳能电池激光切半后，将半片电池放置在链式、箱式或管式加热炉中；然后加热炉升温至150-500℃，同时通入氧气和惰性气体(氮气或氩气等)，氧气流量比例为5％-30％，处理10min-2h后在空气中自然冷却至室温。晶硅太阳能电池激光切割后导致切割处电子-空穴复合加大，造成了FF和Isc的损失，从而导致了晶硅太阳能电池光电转换效率的下降。本方法的目的是为了有效抑制晶硅太阳能电池切半后效率的损失。经过本方法处理过的半片电池效率比没有经过处理的半片电池光电转换效率提升0.1％以上。

公开(公告)号：CN108389975A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810314934.0

申请日：2018-04-10

Applicant: 常州大学

Inventor： 丁建宁 ,  袁宁一 ,  王书博 ,  贾旭光

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿太阳电池组件的制备方法，将FTO使用激光划间距为1cm的隔离线P1；与P1间隔100μm用直径为100μm的不锈钢丝遮挡FTO，使用热喷涂的方法制备氧化钛或者氧化锡，移去钢丝，形成隔离线P2-1；利用共蒸发法制备碘化铅/碘化铯薄膜，将碘化铅/碘化铯薄膜放入真空腔，加热FAI粉末，FAI蒸汽与碘化铅/碘化铯薄膜反应形成CsxFA1-xPbI3钙钛矿薄膜；再喷涂空穴传输层材料，沿着P2-1使用激光划隔离线P2-2；热蒸发金，使用激光距离P2-2 100μm划隔离线P3，封装得到钙钛矿太阳电池组件。本发明采用不锈钢丝遮挡FTO，热喷涂制备氧化钛或者氧化锡薄膜，利用移去钢丝后所形成的隔离线P2-1，解决了钙钛矿太阳电池之间的有效串联问题，实施效率高。

公开(公告)号：CN106531848A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611253164.0

申请日：2016-12-30

Applicant: 常州大学

Inventor： 丁建宁 ,  王书博 ,  袁宁一

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种基于黑硅的隧穿接触太阳能电池在线式制备设备，包括依次经输送料道连通的进样室、黑硅制备腔室、介质膜制备腔室、掺杂膜制备腔室、透明电极制备腔室以及出样室；各腔室上分别设置有真空泵组；各腔室内分别设置有滚轮组，镂空载板可在各室之间的滚轮组上移动；镂空载板用以放置硅片，镂空的四角有四个小挂钩，镂空载板的材质为导电材质；各输送料道上分别设置有真空阀。可以一次性将硅片两面制备介质膜。同时，掺杂硅薄膜层也在一个腔体完成。

公开(公告)号：CN106350866A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610721051.2

申请日：2016-08-25

Applicant: 常州大学

Inventor： 丁建宁 ,  袁宁一 ,  王书博

IPC: C30B28/04 ,  C30B33/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B28/04 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明提供一种超薄黑硅硅片的制作设备及方法，把硅颗粒放入石墨坩埚中，使用电加热使得硅颗粒熔融，一个石英生长平台水台略低于石墨坩埚，两根碳化硅丝线（间距156mm）由伺服电机水平拉动，在石英平台上方有一个降温罩，降温罩通过高速冷空气给硅液降温，在热毛细作用下，硅片将持续的生长，形成超薄的多晶硅片，生长至所需长度之后激光切割硅片，切割下的硅片进入空间堆式的PECVD设备进行RIE制绒，形成超薄的多晶黑硅硅片。

公开(公告)号：CN106252460A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610667379.0

申请日：2016-08-15

Applicant: 常州大学

Inventor： 丁建宁 ,  袁宁一 ,  王书博

IPC: H01L31/18 ,  H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42

Abstract: 本发明提供一种大面积钙钛矿太阳能电池的制作方法，首先在FTO玻璃上激光划线，之后制备空穴传输层，然后在第一蒸发室制备碘化铅或者氯化铅，然后在第二蒸发室制备甲基胺碘，反应形成钙钛矿薄膜，最后喷涂法制备电子传输层，之后激光划线P2，最后制备金属电极，激光划线P3形成大面积钙钛矿组件。本发明还提供一种大面积钙钛矿太阳能电池的制作系统，包括进样室，第一蒸发室，第二蒸发室，空穴传输层制备室，金属电极制备室等。可以大大提高了钙钛矿太阳能电池的大面积均匀性和制备速率。

公开(公告)号：CN105845777A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610279540.7

申请日：2016-04-29

Applicant: 常州大学 ,  江苏大学

Inventor： 丁建宁 ,  袁宁一 ,  王书博 ,  程广贵

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1896

Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种可粘可剥的柔性薄膜太阳能电池的制备方法。具体为：在柔性衬底的一面上制备壁虎胶带；将柔性衬底的壁虎胶带的一面平整的粘贴到传统硬质衬底上；在传统硬质衬底设备中，在柔性衬底的另一面制备硅薄膜太阳电池，或者直接在柔性衬底的另一面制备有机电池、钙钛矿电池或薄膜电池；将制备好的电池揭下之后封装，形成可粘贴可剥的柔性薄膜太阳能电池。该种薄膜电池可以直接粘贴在屋顶，墙壁，帐篷等各种场合，而且还可以方便的揭下；尤其是对于硅薄膜太阳能电池来说，可以直接把壁虎胶带基底粘贴到玻璃上在传统的PECVD设备中制备，避免使用卷到卷的设备，大幅降低柔性硅薄膜太阳能电池的生产成本。

公开(公告)号：CN101866836B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201010187573.1

申请日：2010-05-28

Applicant: 常州大学

Inventor： 袁宁一 ,  丁建宁 ,  叶枫 ,  王秀琴 ,  王书博

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/268 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种纳米硅量子点的制备方法并将该方法用于薄膜太阳电池的制造中。利用PECVD方法生长非晶硅，采用双光束逐层扫描晶化非晶硅薄膜，在非晶网络中形成纳米晶硅。飞秒激光双光束逐层扫描非晶硅是利用三维样品台的移动。首先，飞秒激光聚焦在样品中某一点，激光在该样品深度对样品进行平面扫描，一行一行移动扫描。该层扫描结束后，样品台上移，激光再聚焦到上一平面扫描。通过调控激光功率、脉冲宽度、重复频率和扫描速率，从而在非晶硅网络里形成晶粒大小分布在30～50nm范围，晶粒间距控制在20～40nm左右的纳米硅阵列。利用该纳米硅量子点层可用来制作硅基薄膜电池，提高电池转化效率。