抵抗変化素子およびその形成方法
    55.
    发明专利
    抵抗変化素子およびその形成方法 审中-公开
    电阻变化元件及其形成方法

    公开(公告)号:JP2016192510A

    公开(公告)日:2016-11-10

    申请号:JP2015072246

    申请日:2015-03-31

    Abstract: 【課題】オフ状態におけるリーク電流を低減し、リセット時の絶縁破壊電圧を改善した抵抗変化素子を提供する。 【解決手段】第1電極1、第2電極2、第1電極及び第2電極間に設けられた抵抗変化層3を有する抵抗変化素子である。抵抗変化層3は、第1電極1と接するバッファ層4と第2電極2と接する固体電解質層5とで構成される。第1電極1は、銅を含む構成であり、第1電極及び第2電極間に電圧が印加されると、銅をイオン化して、バッファ層及び固体電解質層内に注入する。バッファ層4は、銅よりも酸化の自由エネルギーが負に大きいバルブメタルの酸化物で構成され、第1電極に近い方から順に第1金属酸化物層6及び第2金属酸化物層7が設けられた構成であり、第2金属酸化物層7は不動態層である。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种电阻变化元件,其在关断状态下具有减小的漏电流并且改善复位时的击穿电压。解决方案:可变电阻元件包括:第一电极1; 第二电极2; 以及设置在第一电极和第二电极之间的电阻变化层3。 电阻变化层3由与第一电极1接触的缓冲层4构成。 以及与第二电极2接触的固体电解质层5.第一电极1具有铜的结构, 并且当在第一电极和第二电极之间施加电压时电离铜,并将电离的铜注入缓冲层和固体电解质层。 缓冲层4由具有比铜大的氧化自由能的阀金属的氧化物制成; 并且具有第一金属氧化物层6和第二金属氧化物层7从第二金属氧化物层7为钝化层的更靠近第一电极的一侧依次设置的结构。图1

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