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公开(公告)号：CN1372327A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02105253.0
申请日：2002-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/7783
Abstract: 一种半导体器件及其制备方法,在由碳化硅形成的衬底11上,依次形成缓和层12;由氮化镓形成且在其上部形成了2维电子气体层的沟道层13;以及由n型氮化铝镓形成且将载流子供到沟道层13的载流子供给层14。在由元件隔离膜15包围起来的元件形成区,有选择地形成由在载流子供给层14上生长的氮化镓形成的半导体层氧化而成的绝缘氧化层16B,再在绝缘氧化层16B上形成栅电极17。
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公开(公告)号：CN101346850B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200780000910.8
申请日：2007-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M2004/021
Abstract: 本发明涉及一种非水电解质二次电池，其至少具有：负极(2)，其具有在负极集电体(14)的外周面沿卷绕方向离散形成、且能够可逆地嵌入和脱嵌锂离子的柱状的第1负极活性物质(15)、和离散形成于内周面上的柱状的第2负极活性物质(16)；正极，其在正极集电体的两面具有包含能够可逆地嵌入和脱嵌锂离子的正极活性物质的正极合剂层；以及隔膜，其介于正极和负极(2)之间；其中，具有将卷绕时在负极(2)的第1负极活性物质(15)间形成的空隙率和在第2负极活性物质(16)间形成的空隙率之差设定在1.1％以内的结构。
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公开(公告)号：CN101032044B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200680000906.7
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M10/052
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M2/1673 , H01M10/0587 , H01M10/4235 , Y02T10/7011
Abstract: 一种圆柱形锂二次电池，具有出色的抗短路性能，能够防止因坠落所造成的容量损失，并且在电池特性方面具有良好的平衡。该圆柱形锂二次电池包括：圆柱形电池罐；电极组件和非水电解液。电极组件具有位于正极和负极之间的多孔耐热层。电极组件具有一个中心空腔，其中插有一根空心轴。空心轴具有一个沿其整个长度延伸的狭缝。空心轴的外径A和狭缝的宽度B满足关系式：0.1≤B/A≤0.6。
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公开(公告)号：CN101902015A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010228923.4
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01L29/66863 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7783
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的Ⅲ族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的Ⅲ族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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公开(公告)号：CN101359667B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810146095.2
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/118 , H01L29/778 , H01L21/784 , H01L21/335 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101584076A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200880001688.8
申请日：2008-01-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/052 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/485 , H01M10/0525 , H01M10/44 , H01M2004/027 , Y02E60/122
Abstract: 本发明涉及锂二次电池，其具备正极、负极以及具有锂离子传导性且介于正极和负极之间的非水电解质，正极具有嵌入/脱嵌锂离子的正极活性物质，负极具有包含选自硅和锡之中的至少一种元素的负极活性物质，在用规定的充电方法充电后的锂二次电池的完全充电状态下，正极活性物质和负极活性物质分别为第1部分充电状态，在用规定的放电方法放电后的锂二次电池的完全放电状态下，负极活性物质为第2部分充电状态。通过这样组合正极活性物质的充电状态和负极活性物质的充电状态进行电池设计，可提供充放电循环特性优良的锂二次电池。
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公开(公告)号：CN100495804C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200680001174.3
申请日：2006-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种具有出色的抗短路性和耐热性、不会因冲击如下落而有容量损失并且具有高容量的锂二次电池。该锂二次电池包括：包括与插入其间的多孔耐热层缠绕在一起的条形正极和条形负极的电极组件；非水电解液；以及电池壳。该电池具有限制电极组件垂直移动的限制部位。从限制部位到电池壳内底面的距离A与负极的宽度B之间满足关系式：0.965≤B/A≤0.995。
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公开(公告)号：CN100472847C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200580009405.0
申请日：2005-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种锂离子二次电池，其包含含有复合氧化锂的正极、能吸附并脱附锂离子的负极、插在正极和负极之间的薄片状隔离层、非水电解液和附着于负极表面的多孔电子绝缘薄膜。该薄片状隔离层是聚丙烯树脂制成的单层膜，或者是其中与正极接触的层由聚丙烯树脂制成的多层膜。该多孔电子绝缘薄膜含有无机氧化物填料和粘合剂。该薄片状隔离层的厚度至少是该多孔电子绝缘薄膜厚度的1.5倍。
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公开(公告)号：CN101346850A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200780000910.8
申请日：2007-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M2004/021
Abstract: 本发明涉及一种非水电解质二次电池，其至少具有：负极(2)，其具有在负极集电体(14)的外周面沿卷绕方向离散形成、且能够可逆地嵌入和脱嵌锂离子的柱状的第1负极活性物质(15)、和离散形成于内周面上的柱状的第2负极活性物质(16)；正极，其在正极集电体的两面具有包含能够可逆地嵌入和脱嵌锂离子的正极活性物质的正极合剂层；以及隔膜，其介于正极和负极(2)之间；其中，具有将卷绕时在负极(2)的第1负极活性物质(15)间形成的空隙率和在第2负极活性物质(16)间形成的空隙率之差设定在1.1％以内的结构。
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公开(公告)号：CN101099251A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200680001786.2
申请日：2006-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种非水电解质二次电池，包含负极、正极、和介于其间的非水电解质。在负极的集电体的至少一个表面，设置有至少包含可以嵌入、脱嵌锂离子的活性物质的负极合剂层。在负极合剂层的与正极合剂层相对置的地方，设置有使集电体露出的平行地设置的多个合剂层膨胀吸收沟。
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