公开(公告)号：CN1134800C

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN98803431.X

申请日：1998-03-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  越后纪康 ,  小田桐优 ,  砂流伸树

IPC: H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30

Abstract: 在具有电介质薄膜(4)、在其上层叠的正规电极(1a、1b)、在电介质薄膜(4)上经由绝缘性区域(20)层叠的虚设电极(2a、2b)以及在两侧面上设置的辅助电极(3)的电子元件中，为了改善等效串联电阻等的特性，将绝缘性区域(20)的宽度定为电介质薄膜(4)的厚度的500倍以上。利用上述结构，可得到改善了因虚设电极引起的频率特性变坏的电子元件，可使用于电容器等。

公开(公告)号：CN1103685C

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN99105823.2

申请日：1999-02-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  越后纪康 ,  小田桐优 ,  砂流伸树

IPC: B32B31/00 ,  B05B15/04 ,  H01G13/00

CPC classification number: B32B37/28 ,  B29C41/26 ,  B29C41/32 ,  B29C53/562 ,  B32B38/162 ,  H01G4/306 ,  H01G13/00

Abstract: 在周边旋转的支撑体(101)上形成树脂层和金属薄膜层之前，使带状物(220)在支撑体上移动，使支撑体上的杂物附着在带状物上，并被除去，同时，设定在带状物上形成树脂层和金属薄膜层的条件后，去除上述带状物，继续在支撑体上形成层压体。利用简便的方法，预先除去附着在支撑体上的杂物，从而可形成规定要求的树脂层和金属薄膜层。

公开(公告)号：CN1315044A

公开(公告)日：2001-09-26

申请号：CN00801169.9

申请日：2000-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  越后纪康 ,  小田桐优 ,  杉本高则

IPC: H01G4/38

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/0289 ,  H05K1/141 ,  H05K1/162 ,  H05K3/0026 ,  H05K3/403 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/09236 ,  H05K2201/10734

Abstract: 以构成电容器的方式将电极层(1、2)相对地配置在电介质层(3)的两侧。在电极层(1、2)上形成取出电极(4、5)。另外,形成与电极层(1、2)绝缘的贯通电极(6)。将这样构成的电子部件(10)安装在布线基板上,能将半导体芯片安装在其上。通过贯通电极(6)连接半导体芯片和布线基板,同时将半导体芯片或布线基板连接在取出电极(4、5)上。由此,虽然安装面积稍微增加,但能将电容器等配置在半导体芯片附近。因此,容易高速地驱动半导体芯片。

公开(公告)号：CN102482762B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201180003592.7

申请日：2011-06-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  别所邦彦 ,  岛田隆司

IPC: C23C14/24 ,  H01M4/1395

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/243 ,  C23C14/542 ,  C23C14/562 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1395

Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其可以避免成膜结束后不必要的成膜材料的飞散和沉积，并且可以实现使用喷嘴方式的蒸发源的稳定高效的成膜。不利用传导可变结构(34)将蒸发室(16)和成膜室(17)之间遮断，将蒸发室(16)和成膜室(17)真空排气，并且在使保持加热过的成膜材料的蒸发源(19)的开放面(14)接近基板(21)，以该状态进行成膜，接着，向蒸发室(16)和成膜室(17)中导入非反应气体，将两室内的压力调节至规定压力以上，抑制成膜材料的蒸发，之后，利用移动机构(35)使蒸发源(19)移动，使开放面(14)远离基板(21)，使传导可变结构运行而将两室间遮断，边向蒸发室(16)继续导入非反应气体，边冷却成膜材料。

公开(公告)号：CN102933333B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201280001565.0

申请日：2012-05-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神山游马 ,  本田和义 ,  末次大辅

IPC: B22D11/04 ,  C01B33/02

CPC classification number: B22D11/045 ,  C01B33/02 ,  C03B19/02

Abstract: 铸模（13）具有用于接受熔融金属（2）的凹部（21）。凹部（21）由用于与熔融金属（2）接触而使熔融金属（2）向凝固物变化的内壁面（29）构成，并且朝向凝固物的拉拔方向（D1）开口。第1轮廓线（23p）和第2轮廓线（25p）的曲线在开始点（43）及（45）的位置具有尖点。宽度方向（D2）上的从第1轮廓线（23p）到第2轮廓线（25p）的距离，随着从拉拔方向（D1）的上游侧向下游侧前进而连续地增加。确定凹部（21）处的内壁面（29）的形状，以使铸造棒（3）能够以通过第1结束点（33）或第2结束点（35）并与铸模（13）的截面垂直的轴为中心，沿顺时针方向或逆时针方向旋转移位。

公开(公告)号：CN102522567B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210004138.X

申请日：2007-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤修二 ,  古结康隆 ,  岩本和也 ,  本田和义 ,  山本泰右 ,  上山康博 ,  大原敬介 ,  片山仁

IPC: H01M4/70 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/66

CPC classification number: H01M4/70 ,  H01M4/04 ,  H01M4/66 ,  H01M4/662 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明涉及一种集电体，其具有：有平坦面的基材部；从所述平坦面突出的多个第1突起；和从所述第1突起的顶部突出的多个第2突起，所述第1突起以规则的图案配置于所述基材部上，使其被配置于在所述平坦面内相互平行并且以第1间隔配置的多条第1假想直线与在所述平坦面内与所述第1假想直线垂直并以比所述第1间隔小的第2间隔配置的多条第2假想直线的交点、以及由相邻的两条所述第1假想直线和相邻的两条所述第2假想直线构成的矩形的中心，含有所述第2突起的第1突起的顶部的表面粗糙度Rz2是所述基材部的平坦面的表面粗糙度Rz0的1.3倍以上。

公开(公告)号：CN103282143A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180062928.7

申请日：2011-12-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神山游马 ,  本田和义 ,  末次大辅

IPC: B22D11/07 ,  B22D11/00 ,  B22D11/04 ,  B22D11/12 ,  B22D11/16 ,  C23C14/24 ,  C30B29/06

CPC classification number: B22D11/045 ,  B22D11/07 ,  C23C14/30 ,  C23C14/564 ,  C30B11/001

Abstract: 本发明的铸造方法包括：通过一边在铸模（25）内使原料凝固一边从铸模（25）将原料沿水平方向连续地拉拔来铸造原料的铸造棒（31）的工序；向铸造棒（31）与铸模（25）之间的间隙导入气体的工序；和对铸模（25）内的铸造棒（31）的上表面进行加热的工序。具体地讲，能够从在铸模（25）的壁面（25a、25b）设置的孔（33）向间隙导入气体。铸造棒（31）的原料例如是伴随从液相向固相的相变而体积增加的材料。

公开(公告)号：CN101699645B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200910178208.1

申请日：2006-07-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古结康隆 ,  宇贺治正弥 ,  高桥庆一 ,  美浓辰治 ,  长尾宣明 ,  涩谷聪 ,  本田和义

IPC: H01M10/38 ,  H01M4/04 ,  H01M4/48 ,  H01M4/38

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/0426 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38 ,  H01M2004/021 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  Y10T29/49115

Abstract: 本发明提供一种锂二次电池的制造方法，具备：制作具有片状正极集电体和担载于该正极集电体上的正极活性物质层的正极的工序；根据锂二次电池用负极的制造方法制作负极的工序，该负极具备片状负极集电体和担载于该负极集电体上的负极活性物质层；使隔膜介于所述正极活性物质层和负极活性物质层之间而将它们相互对置的工序；所述锂二次电池用负极的制造方法，包括如下工序：(a)准备表面粗糙度Rz为2μm以上20μm以下的片状集电体；(b)在氧或氮气氛下，使硅从与所述集电体的法线方向构成角Φ的方向入射到所述集电体上并使其沉积，形成含有所述硅和所述氧、或者所述硅和所述氮的活性物质层，其中，20°≤Φ≤85°。

公开(公告)号：CN101675545B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200880014815.8

申请日：2008-07-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  佐藤俊忠 ,  末次大辅 ,  柏木克巨 ,  别所邦彦

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M4/40 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0525 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387 ,  H01M4/485 ,  H01M10/446

Abstract: 由正极集电体，与正极集电体相接设置在正极活性物质层，设置在正极活性物质层的未设置正极集电体的一侧的隔膜，设置在隔膜层的未设置正极活性物质层的一侧、具有与正极活性物质层对向的对向部和不与正极活性物质层对向的非对向部，含有采用薄膜形成法在对向部和非对向部制作的锂、以硅或锡为主成分的负极活性物质层，设置在负极活性物质层的未设置隔膜层的一侧的负极集电体构成锂离子二次电池。由此防止负极的变形，伴随负极变形的循环特性的降低。

公开(公告)号：CN101361209B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200780001704.9

申请日：2007-02-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冈崎祯之 ,  本田和义 ,  宇贺治正弥

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/48 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/04 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明的非水电解质二次电池用电极(6)具有集电体(3)、在集电体(3)上形成的第1活性物质层(2)、位于第1活性物质层(2)上并含有多个活性物质粒子(4)的第2活性物质层(5)，多个活性物质粒子(4)以由SiOx(0≤x＜1.2)表示的化学组成为主体，第1活性物质层(2)以由SiOy(1.0≤y＜2.0、y＞x)表示的化学组成为主体，第1活性物质层(2)与多个活性物质粒子(4)接触的面积小于集电体(3)与第1活性物质层(2)接触的面积。