公开(公告)号：CN106211413A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610363315.1

申请日：2016-05-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  宍户英明 ,  川岛进 ,  山崎舜平

IPC: H05B33/08 ,  G09G3/32

Abstract: 本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，该半导体装置包括：像素电路；监控电路；以及校正电路，像素电路包括：选择晶体管；驱动晶体管；以及发光元件，监控电路包括监控发光元件；以及监控晶体管，在半导体装置中，取得流过监控发光元件及监控晶体管的电流值，并通过校正电路控制流过发光元件及驱动晶体管的电流值。

公开(公告)号：CN106125971A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610299236.9

申请日：2016-05-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宍户英明 ,  平形吉晴 ,  久保田大介

IPC: G06F3/041 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G06F3/044 ,  G02F1/13338 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  G06F2203/04102 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04107 ,  G06F2203/04111 ,  G06F2203/04112 ,  G09G3/00 ,  G06F3/041

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种厚度薄的触摸面板。或者提供一种可见度高的触摸面板。或者提供一种轻量的触摸面板。或者提供一种低功耗的触摸面板。静电电容式触摸传感器中的一对导电层为具有多个开口的网状，并且在平面中与两个显示元件之间的区域重叠地配置。另外，将触摸传感器中的一对导电层配置在触摸面板中的一对衬底之间，并且在该一对导电层与驱动显示元件的电路之间设置能够供应恒电位的导电层。

公开(公告)号：CN105789221A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610219710.2

申请日：2010-03-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  阿部贵征 ,  宍户英明

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开的发明名称为“半导体装置”。本发明提供半导体装置。在一些情况下，阈值电压在薄膜晶体管的制造过程中沿负或正方向偏移某个未指定因子。如果离0 V的偏移量很大，则驱动电压增加，这引起半导体装置的功耗的增加。因此，具有良好平坦度的树脂层作为覆盖氧化物半导体层的第一保护绝缘膜而形成，然后第二保护绝缘膜通过低功率条件下的溅射方法或者等离子体CVD方法在树脂层之上形成。此外，为了将阈值电压调整到预期值，栅电极设置在氧化物半导体层之上和之下。

公开(公告)号：CN102598280B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201080049068.9

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒泽亮 ,  宍户英明 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78609 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种在包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管的像素中可以提高开口率的液晶显示器件。在该液晶显示器件中，薄膜晶体管包括：栅电极、与栅电极重叠地设置的栅极绝缘层及氧化物半导体层以及与氧化物半导体层的一部分重叠的源电极及漏电极，其中薄膜晶体管设置在设置于像素部中的信号线和像素电极之间。薄膜晶体管的截止电流小于或等于1×10-13A。电位可以只使用液晶电容器保持而不设置与液晶元件并联的电容器，并且在像素部不形成与像素电极连接的电容器。

公开(公告)号：CN101276824B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN200810086693.5

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宍户英明

IPC: H01L27/144 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/14 ,  H01L23/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是一种半导体器件，包括：光电转换层；放大光电转换层的输出电流且包括两个薄膜晶体管的放大器电路；供给高电位电源的第一端子；供给低电位电源的第二端子；电连接所述两个薄膜晶体管和所述光电转换层的电极；电连接所述第一端子和所述两个薄膜晶体管的一方的第一薄膜晶体管的第一布线；以及，电连接所述第二端子和所述两个薄膜晶体管的另一方的第二薄膜晶体管的第二布线。在所述半导体器件中，通过使所述第一布线及第二布线弯曲，来使所述第一布线和所述第二布线的电压下降量变大。

公开(公告)号：CN104620390A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047860.4

申请日：2013-09-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三宅博之 ,  宍户英明 ,  小山润

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 提供开口率高且包括电荷容量得到增大的电容器的半导体装置。另外，提供耗电量低的半导体装置。包括：包括透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置于透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置于绝缘膜上的第一透光性导电膜。该电容器包括：用作一个电极的第一透光性导电膜、用作电介质的绝缘膜、以及隔着该绝缘膜与第一透光性导电膜对置的用作另一个电极的第二透光性导电膜。第二透光性导电膜形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上且是含有掺杂剂的金属氧化物膜。

公开(公告)号：CN101950750B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201010212353.X

申请日：2010-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 广濑笃志 ,  宍户英明

IPC: H01L27/144 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14692 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的要旨是使用于半导体装置的保护电路有效地起作用，来防止浪涌所引起的半导体装置的损坏。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：端子电路；保护电路；集成电路；以及使它们彼此电连接的布线，其中，保护电路设置在端子电极和集成电路之间，并且，不分支布线地使端子电极、保护电路、集成电路彼此连接。可以防止静电放电所引起的半导体装置的损坏。此外，可以减少在半导体装置中产生的不良现象。

公开(公告)号：CN102142226B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201110076923.1

申请日：2006-09-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宍户英明

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G09G3/3241 ,  G09G2300/0465 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L27/13

Abstract: 显示器件及显示器件的驱动方法本发明之一是如下：在第一步骤中，在第一及第二存储电容器的两个电极之间保持相当于施加到第一电源线的电压和第一晶体管的阈值电压之间的差的电压；在第二步骤中，在第二存储电容器的两个电极之间保持相当于施加到第一电源线的电压和为将与被输入到信号线的视频信号电流相同的电流供给给发光元件而需要的第一晶体管的栅极-源极之间的电压之间的差的电压；以及在第三步骤中，将基于在第一及第二步骤中保持在存储电容器中的电压的电压施加到第一晶体管的栅电极，从而将电流通过第一晶体管供给给发光元件。

公开(公告)号：CN102783030A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180011903.4

申请日：2011-02-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 天野圣子 ,  丰高耕平 ,  三宅博之 ,  宫崎彩 ,  宍户英明 ,  楠纮慈

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0952

CPC classification number: G11C19/28 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3696 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2310/0286 ,  G11C19/184 ,  H01L25/03 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L2924/0002 ,  H03K19/0013 ,  H05K7/02 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度W与沟道长度L的比率W/L和第三晶体管的W/L各大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L等于第七晶体管的W/L。第三晶体管的W/L大于第四晶体管的W/L。利用这样的结构，脉冲信号输出电路能够稳定地操作，并且能够提供包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。

公开(公告)号：CN102576174A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080046493.2

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒泽亮 ,  宍户英明

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2201/40 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0447 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明目的之一是提供一种可以具有高的开口率的液晶显示装置，其中液晶显示装置所具有的像素具备使用氧化物半导体的薄膜晶体管。所述液晶显示装置包括多个各具有薄膜晶体管及像素电极的像素。该像素与用作扫描线的第一布线电连接。该薄膜晶体管具有在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层以超出设置有第一布线的区域的边缘的方式设置。像素电极和氧化物半导体层彼此重叠。