膜状物品及其制作方法

    公开(公告)号:CN101916764A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN201010235687.9

    申请日:2005-01-20

    CPC classification number: H01L27/1266 H01L27/12 H01L27/1214 H01L27/13

    Abstract: 本发明涉及膜状物品及其制作方法。由于由硅晶片形成的芯片厚,因此该芯片从表面突出,或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看到它,这影响了商务卡等的设计。因此,本发明的目的是提供一种新的集成电路,其具有一种结构,利用该结构不会影响所述设计。鉴于上述问题,本发明的特征是使膜状物品配备有薄膜集成电路。本发明的另一特征是IDF芯片具有0.2mm或更小的半导体膜作为有源区。因此,与由硅晶片形成的芯片相比,IDF芯片可以被制作得更薄。除此之外,与由硅晶片形成的芯片不同,这种集成电路可以具有透光特性。

    光电转换装置
    59.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101667569A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:CN200910170513.6

    申请日:2009-09-04

    Inventor: 荒井康行

    Abstract: 本发明目的之一在于:在光电转换装置中,将连接各个光电转换元件的布线的制造工序简化。本发明的另一目的在于防止连接各个光电转换元件的布线的连接不良。光电转换装置包括分别具有第一和第二单晶半导体层的第一和第二光电转换元件。第一电极设置在第一和第二光电转换元件的下方表面上,而第二电极设置在第一和第二光电转换元件的上方表面上。第一和第二光电转换元件并置固定在支撑衬底上。第二单晶半导体层具有到达第一电极的贯通口。第一光电转换元件的第二电极延伸到贯通口,以电连接到第二光电转换元件的第一电极。

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